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統合サーキット（ICS ）（2201）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	特徴	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	出力タイプ	sicプログラム可能	pll	主な目的	入力	出力	回路の数	比率 -入力：出力	微分 -入力：出力	周波数max	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	ロジックタイプ	要素の数	要素ごとのビット数	電流 -出力が高く、低い	関数	データレート	クロック周波数	入力信号	出力信号	メモリタイプ	電圧供給源	メモリサイズ	トリガータイプ	Max Propagation Delay @ V	現在 -静止（IQ）	アクセス時間	入力容量	回路	独立した回路	翻訳者タイプ	チャネルタイプ	回路ごとのチャネル	電圧-vcca	電圧-VCCB	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
5962-9223001M3A	9.7000	RFQ	39	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-55°C〜125°C	表面マウント	28-clcc露出パッド	dタイプ		5962-9223001			3 つの状態、非反転										4.5v〜5.5V	28-lcc （11.46x11.46）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた			0000.00.0000	1		1	8	12ma、32ma	セット（プリセット）とリセット								ポジティブエッジ	20NS @ 5V、300pf	1 Ma		6 pf
ZSSC3138BE1B	3.0900	RFQ	5389	IDT、統合デバイステクノロジーInc	*	トレイ	アクティブ						ZSSC3138															ダウンロード						0000.00.0000	2,880
7164S20YGI	-	RFQ	7476	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm）			7164S		sram-非同期											4.5v〜5.5V	28-SOJ	ダウンロード					ear99	8542.32.0041	1										揮発性		64kbit				20 ns									sram	8k x 8	平行	20ns
71v67603S133pf	6.0000	RFQ	219	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp			71v67603		sram- sdr											3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		3A991B2A	8542.32.0041	1							133 MHz			揮発性		9mbit				4.2 ns									sram	256k x 36	平行	-
74ALVCH16843APA	-	RFQ	2564	IDT、統合デバイステクノロジーInc	*	バルク	アクティブ										確認されていません											-						0000.00.0000	1
71V016SA12PH	-	RFQ	6190	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）			71V016		sram-非同期											3V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		3A991B2B	8542.32.0041	1										揮発性		1mbit				12 ns									sram	64k x 16	平行	12ns
65245d	-	RFQ	2565	IDT、統合デバイステクノロジーInc	*	バルク	アクティブ										確認されていません											-	適用できない	3 （168 時間）					1
74FCT245ZATQ	0.2700	RFQ	12	IDT、統合デバイステクノロジーInc	*	バルク	アクティブ																					-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー			0000.00.0000	1
QS54FCT2244ZQATQ	6.8300	RFQ	208	IDT、統合デバイステクノロジーInc	*	バルク	アクティブ						54FCT2244															-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー				1
71v424ys15phgi	-	RFQ	7011	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）			71V424		sram-非同期											3V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠				3A991B2A	8542.32.0041	26										揮発性		4mbit				15 ns									sram	512k x 8	平行	15ns
74CBTLV3126QG	0.2400	RFQ	8	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C	表面マウント	16-SSOP （0.154 "、3.90mm 幅）	バススイッチ		74CBTLV3126													2.3V〜3.6V	16-QSOP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1				-							単一の供給							1 x 1：1	4
IDT74LVC241AESO	0.4000	RFQ	4	IDT、統合デバイステクノロジーInc	*	バルク	アクティブ						74LVC241															-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー			0000.00.0000	1
IDT74FCT240TQ	0.5400	RFQ	7	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	20-ssop （0.154 "、3.90mm 幅）			74FCT240	-		3状態										4.75v〜5.25V	20-QSOP	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8542.39.0001	1	バッファ、反転	2	4	15ma 、64ma
71T75602S100PF	6.6800	RFQ	428	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp			71T75602		sram- sdr（zbt）											2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		3A991B2A	8542.32.0041	1							100 MHz			揮発性		18mbit				5 ns									sram	512K x 36	平行	-
QS5813PV	6.3200	RFQ	343	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	穴を通して	48-dip（0.600 "、15.24mm）							確認されていません	はい	SDRAM DIMM	-	クロック	1	1:13	ノー/ノー	-	3.135V〜3.465V	48-pdip	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8542.39.0001	1
ZSPM1363BA1R1-0602	-	RFQ	9466	IDT、統合デバイステクノロジーInc	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ						ZSPM1363															ダウンロード					ear99	8542.39.0001	3,000
960023CGLF	1.4700	RFQ	4	IDT、統合デバイステクノロジーInc	*	バルク	新しいデザインではありません										確認されていません											-	適用できない	未定義のベンダー	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2832-960023CGLF	ear99	8542.39.0001	1
74CBTLV3862SQG	0.2400	RFQ	9	IDT、統合デバイステクノロジーInc	*	バルク	アクティブ						74CBTLV3862															-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	3,000
71256SA20PZ	-	RFQ	6559	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅）			71256SA		sram-非同期											4.5v〜5.5V	28-tsop	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		ear99	8542.32.0041	1										揮発性		256kbit				20 ns									sram	32k x 8	平行	20ns
71v2576S150pfi	-	RFQ	4540	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp			71v2576		sram- sdr											3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		3A991B2A	8542.32.0041	1							150 MHz			揮発性		4.5mbit				3.8 ns									sram	128k x 36	平行	-
QS74LCX4X245Q3	2.0900	RFQ	2	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	穴を通して	48-dip（0.600 "、15.24mm）				-		3状態										2V〜3.6V	48-pdip	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1	トランシーバー、非反転	4	8	12ma、12ma
71v3578ys133pfg	2.0100	RFQ	450	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp			71V3578		sram- sdr											3.135V〜3.465V	100-TQFP	ダウンロード	ROHS3準拠				3A991B2A	8542.32.0041	72							133 MHz			揮発性		4.5mbit				4.2 ns									sram	256k x 18	平行	-
54FCT374CTDB	17.3900	RFQ	288	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-55°C〜125°C	穴を通して	20-CDIP （0.300 "、7.62mm）	dタイプ		54FCT374			トライステート										4.5v〜5.5V	20-CDIP	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1		1	8	15ma 、48ma	標準								ポジティブエッジ	6.2ns @ 50pf	1 Ma		10 pf
74LVC4245AXF4SO	0.1400	RFQ	5640	IDT、統合デバイステクノロジーInc	74LVC	バルク	アクティブ						74LVC4245															-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー				1
71V2546S133PFG	7.6600	RFQ	41	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp			71v2546		sram- sdr（zbt）											3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14	ダウンロード						8542.32.0041	1							133 MHz			揮発性		4.5mbit				4.2 ns									sram	128k x 36	平行	-
71V3577S75bg	8.6800	RFQ	5324	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	119-BGA			71V3577		sram- sdr											3.135V〜3.465V	119-PBGA	ダウンロード					3A991B2A	8542.32.0041	1							117 MHz			揮発性		4.5mbit				7.5 ns									sram	128k x 36	平行	-
6116LA25TPG	-	RFQ	5643	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	穴を通して	24-dip （0.300 "、7.62mm）			6116la		sram-非同期											4.5v〜5.5V	24-pdip	ダウンロード					ear99	8542.32.0041	1										揮発性		16kbit				25 ns									sram	2k x 8	平行	25ns
71V016SA15PH	1.0700	RFQ	8373	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）			71V016		sram-非同期											3V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		3A991B2B	8542.32.0041	1										揮発性		1mbit				15 ns									sram	64k x 16	平行	15ns
74ALVC164245PAG8	1.5700	RFQ	100	IDT、統合デバイステクノロジーInc	74alvc	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-tfsop （0.240 "、幅6.10mm）		-	74alvc164245			3 つの状態、非反転						2					48-tssop	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	192						-		-	-											電圧レベル	双方向	8	2.7 V〜3.6 v	4.5 V〜5.5 v
ZSSC3015NE1B	-	RFQ	2483	IDT、統合デバイステクノロジーInc	*	トレイ	アクティブ						ZSSC3015				確認されていません											ダウンロード						0000.00.0000	5,700