画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | タイプ | 基本製品番号 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | i/oの数 | コアプロセッサ | コアサイズ | スピード | 接続性 | 周辺機器 | プログラムメモリサイズ | プログラムメモリタイプ | eepromサイズ | ラムサイズ | 電圧 -供給( vcc/vdd) | データコンバーター | オシレータータイプ | インタフェース | コア/バス幅の数 | 共同プロセッサ/dsp | ラムコントローラー | グラフィックの加速 | ディスプレイとインターフェイスコントローラー | イーサネット | サタ | USB | 電圧-i/o | セキュリティ機能 | 追加のインターフェイス | クロックレート | 不揮発性メモリ | オンチップラム | 電圧 -コア | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MCF52211CAE80 | 14.7600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | MCF5221X | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-LQFP | MCF52211 | 64-lqfp(10x10) | ダウンロード | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 43 | Coldfire V2 | 32ビットシングルコア | 80MHz | i²c、 spi | DMA 、LVD | 128kb( 128k x 8) | フラッシュ | - | 16k x 8 | 3V〜3.6V | A/D 8x12B | 内部 | |||||||||||||||||||||||
![]() | MPC860SRCVR66D4 | 167.6500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | MPC8XX | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C(タタ | 表面マウント | 357-BBGA | MPC86 | 357-PBGA (25x25 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 5A991B4B | 8542.31.0001 | 1 | MPC8XX | 66MHz | 1 コア、 32ビット | コミュニケーション; CPM | ドラム | いいえ | - | 10Mbps(4) | - | - | 3.3V | - | hdlc/sdlc | ||||||||||||||||||||
![]() | MC68882EI16A | 54.6700 | ![]() | 787 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 68-lcc | 浮動小数点 | 68-PLCC(24.23x24.23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991 | 8542.31.0001 | 1 | SCI 、SPI | - | 16MHz | - | - | 5.00V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | S9S08EL16F1MTL | 4.4000 | ![]() | 4772 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | S08 | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 28-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | S9S08 | 28-tssop | ダウンロード | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 50 | 22 | S08 | 8ビット | 40MHz | i²c、 linbus | LVD | 16kb(16k x 8) | フラッシュ | 256 x 8 | 512 x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 16x10b | 外部の | |||||||||||||||||||||||
![]() | MSC8256TAG1000B | 244.9900 | ![]() | 85 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | * | バルク | 廃止 | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-MSC8256TAG1000B-600055 | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MC56F8013VFAE | 10.5800 | ![]() | 74 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | 56F8XXX | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 32-LQFP | MC56F80 | 32-lqfp(7x7) | ダウンロード | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 26 | 56800E | 16ビット | 32MHz | i²c、sci、spi | por、pwm wdt | 16kb (8k x 16) | フラッシュ | - | 2k x 16 | 3V〜3.6V | A/D 6x12B | 内部 | |||||||||||||||||||||||
![]() | S9S08LG32J0VLK | 5.2400 | ![]() | 83 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | S08 | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 80-lqfp | S9S08 | 80-lqfp( 14x14) | ダウンロード | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 58 | 69 | S08 | 8ビット | 40MHz | i²c、 linbus | LCD | 32kb(32k x 8) | フラッシュ | - | 1.9kx 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 16x12b | 内部 | 確認されていません | ||||||||||||||||||||||
![]() | MPC8321CZQAFDC | - | ![]() | 4128 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | MPC83XX | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 516-BBGA | 516-PBGA (27x27 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 200 | PowerPC E300C2 | 333MHz | 1 コア、 32ビット | コミュニケーション; quiccエンジン | DDR 、DDR2 | いいえ | - | 10/100Mbps | - | USB 2.0(1) | 1.8v | - | duart、i²c、pci、 spi、tdm uart | |||||||||||||||||||||||
![]() | MCIMX6S5DVM10AB | - | ![]() | 3442 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | i.mx6s | バルク | アクティブ | 0°C〜95°C | 表面マウント | 624-LFBGA | MCIMX6 | 624-Mapbga | ダウンロード | 5A992C | 8542.31.0001 | 1 | ARM®Cortex®-A9 | 1.0GHz | 1 コア、 32ビット | マルチメディア; Neon™Simd | LPDDR2 、LVDDR3、DDR3 | はい | キーパッド、LCD | 10/100/1000Mbps | - | USB 2.0 + phy(4) | 1.8v | アームtz | can、i²c、i²s、mmc/sd/sdio、sai | |||||||||||||||||||||||
![]() | MPC860SRVR50D4R2 | 146.6400 | ![]() | 235 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | MPC8XX | バルク | アクティブ | 0°C〜95°C(TA) | 表面マウント | 357-BBGA | MPC86 | 357-PBGA (25x25 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 5A991B4B | 8542.31.0001 | 1 | MPC8XX | 50MHz | 1 コア、 32ビット | コミュニケーション; CPM | ドラム | いいえ | - | 10Mbps(4) | - | - | 3.3V | - | hdlc/sdlc | ||||||||||||||||||||
![]() | S912XEQ512J2CAL | - | ![]() | 3331 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | HCS12X | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 112-LQFP | S912 | 112-lqfp(20x20) | ダウンロード | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 91 | HCS12X | 16ビット | 50MHz | キャンバス、 ebi/emi | LVD | 512kb (512k x 8) | フラッシュ | 4k x 8 | 32k x 8 | 1.72V〜5.5V | A/D 16x12b | 外部の | |||||||||||||||||||||||
MPC8536EAVTAQG | 140.3400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | MPC85XX | バルク | アクティブ | 0°C〜90°C(TA) | 表面マウント | 783-BBGA 、FCBGA | 783-FCPBGA (29x29) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 5A002A1 | 8542.31.0001 | 1 | PowerPC E500 | 1.0GHz | 1 コア、 32ビット | 安全;秒 | DDR2 、DDR3 | いいえ | - | 10/100/1000Mbps | SATA 3GBPS | USB 2.0 | 1.8v | 暗号化 | duart、i²c、mmc/sd、pci、Spi | ||||||||||||||||||||||
![]() | MC908QY4CDWER-FR | 5.5000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | HC08 | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | MC908 | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.31.0001 | 1,000 | 13 | M68HC08 | 8ビット | 8MHz | - | LVD | 4kb (4k x 8) | フラッシュ | - | 128 x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 4x8b | 内部 | ||||||||||||||||||||
![]() | MC9S08AW32CFGE | - | ![]() | 1654 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | S08 | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-LQFP | MC9S08 | 44-lqfp(10x10) | ダウンロード | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 34 | S08 | 8ビット | 40MHz | i²c、sci、spi | LVD | 32kb(32k x 8) | フラッシュ | - | 2k x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 8x10B | 内部 | |||||||||||||||||||||||
![]() | MC9S08DN32ACLC | - | ![]() | 3338 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | S08 | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-LQFP | MC9S08 | 32-lqfp(7x7) | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 1 | 25 | S08 | 8ビット | 40MHz | i²c、 linbus | LVD | 32kb(32k x 8) | フラッシュ | 1k x 8 | 1.5kx 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 10x12B | 外部の | ||||||||||||||||||||||
![]() | MC8640DVJ1000HE | - | ![]() | 6452 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | MPC86XX | バルク | 廃止 | 0°C〜105°C(TA) | 表面マウント | 1023-BCBGA fcbga | 1023-FCCBGA(33x33 | - | 2156-MC8640DVJ1000HE | 1 | PowerPC E600 | 1GHz | 2 コア、32ビット | - | DDR 、DDR2 | いいえ | - | 10/100/1000Mbps | - | - | 1.8v | - | Duart 、HSSI | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MPC8548EVTAUJC557 | - | ![]() | 8063 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | MPC85XX | バルク | アクティブ | 0°C〜105°C(TA) | 表面マウント | 783-BBGA 、FCBGA | 783-FCPBGA (29x29) | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 1 | PowerPC E500 | 1.333GHz | 1 コア、 32ビット | 信号処理; spe 、セキュリティ;秒 | ddr 、DDR2、SDRAM | いいえ | - | 10/100/1000Mbps | - | - | 1.8v | AES 、暗号化、カスミ、乱数ジェネレーター | duart、i²c、 pci、rapioio | |||||||||||||||||||||||
![]() | MC9S12XD256VPV | - | ![]() | 4337 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | HCS12X | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 112-LQFP | MC9S12 | 112-lqfp(20x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 91 | HCS12X | 16ビット | 80MHz | キャンバス、 ebi/emi | LVD | 256kb(256k x 8) | フラッシュ | 4k x 8 | 14k x 8 | 2.35V〜5.5V | A/D 16x10B SAR | 外部の | ||||||||||||||||||||
![]() | MPC8271CVRPIEA | 42.7600 | ![]() | 40 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | MPC82XX | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 516-BBGA | 516-PBGA (27x27 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 5A002A1 | 8542.31.0001 | 40 | PowerPC G2_LE | 300MHz | 1 コア、 32ビット | コミュニケーション; RISC CPM | sdram | いいえ | - | 10/100Mbps(2) | - | USB 2.0(1) | 3.3V | - | i²c、 scc | |||||||||||||||||||||||
![]() | LPC812M101JD20FP | - | ![]() | 9170 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | LPC81XM | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 20-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | LPC812 | 20-SO | ダウンロード | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 18 | ARM®Cortex®M0+ | 32ビットシングルコア | 30MHz | i²c、 spi、uart/usart | ブラウンアウト検出/リセット、 por、pwm wdt | 16kb(16k x 8) | フラッシュ | - | 4k x 8 | 1.8V〜3.6V | - | 内部 | |||||||||||||||||||||||
![]() | MC9S08AC96CFUE | - | ![]() | 2856 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | S08 | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-QFP | MC9S08 | 64-QFP(14x14 | ダウンロード | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 54 | S08 | 8ビット | 40MHz | i²c、 linbus | LVD | 96kb (96k x 8) | フラッシュ | - | 6k x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 16x10b | 内部 | |||||||||||||||||||||||
![]() | S9S12B128F0MFUE | - | ![]() | 4689 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | HCS12 | バルク | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 80-QFP | S9S12 | 80-QFP(14x14 | ダウンロード | ear99 | 8542.31.0001 | 1 | 59 | HCS12 | 16ビット | 25MHz | Canbus | por、pwm wdt | 128kb( 128k x 8) | フラッシュ | 1k x 8 | 4k x 8 | 2.35V〜5.5V | A/D 8x10B | 内部 | |||||||||||||||||||||||
![]() | s912xep100j2val | - | ![]() | 8818 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | HCS12X | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 112-LQFP | S912 | 112-lqfp(20x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.31.0001 | 1 | 91 | HCS12X | 16ビット | 50MHz | キャンバス、 ebi/emi | LVD | 1MB(1M x 8) | フラッシュ | 4k x 8 | 64k x 8 | 1.72V〜1.98V | A/D 16x12B SAR | 外部、内部 | ||||||||||||||||||||
![]() | MC9RS08KA8CWJ | - | ![]() | 6005 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | RS08 | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 20-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | MC9RS08 | 20-SOIC | ダウンロード | ear99 | 8542.31.0001 | 1 | 18 | RS08 | 8ビット | 20MHz | i²c | LVD | 8kb(8k x 8) | フラッシュ | - | 254 x 8 | 1.8V〜5.5V | A/D 12x10B | 内部 | |||||||||||||||||||||||
![]() | P5010NSN1TNB557 | - | ![]() | 4834 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | Qoriq P5 | バルク | アクティブ | 0°C〜105°C(TA) | 表面マウント | 1295-BBGA 、FCBGA | 1295-FCPBGA(37.5x37.5 | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 1 | PowerPC E5500 | 2GHz | 1 コア、64ビット | - | ddr3、ddr3l | いいえ | - | 1gbps(5)、10gbps(1) | SATA 3GBPS | USB 2.0 + phy(2) | 1V 、1.1V | - | duart、i²c、mmc/sd、spi | |||||||||||||||||||||||
![]() | S912XEQ384J3VAG | - | ![]() | 7292 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | HCS12X | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 144-LQFP | S912 | 144-lqfp(20x20) | ダウンロード | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 119 | HCS12X | 16ビット | 50MHz | キャンバス、 ebi/emi | LVD | 384kb(384k x 8) | フラッシュ | 4k x 8 | 24k x 8 | 1.72V〜5.5V | A/D 24x12B | 外部の | |||||||||||||||||||||||
![]() | MK52DN512CLQ10 | - | ![]() | 5057 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | Kinetis K50 | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 144-LQFP | MK52DN512 | 144-lqfp(20x20) | ダウンロード | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 96 | ARM®Cortex®M4 | 32ビットシングルコア | 100MHz | ebi/emi | dma | 512kb (512k x 8) | フラッシュ | - | 128k x 8 | 1.71V〜3.6V | A/D 41X16B; D/A 2x12B | 内部 | |||||||||||||||||||||||
![]() | MCF5274CVM166 | - | ![]() | 7820 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | MCF527X | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 256-lbga | MCF5274 | 256-mapbga | ダウンロード | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 69 | Coldfire V2 | 32ビットシングルコア | 166MHz | ebi/emi | dma wdt | - | ロンレス | - | 64k x 8 | 1.4V〜1.6V | - | 外部の | |||||||||||||||||||||||
![]() | MCF51JF32VFM | 3.6300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | MCF51JX | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント、濡れ可能な側面 | 32-VFQFN露出パッド | MCF51 | 32-hvqfn | ダウンロード | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 22 | Coldfire V1 | 32ビットシングルコア | 50MHz | i²c、 spi | dma | 32kb(32k x 8) | フラッシュ | - | 8k x 8 | 1.71V〜3.6V | A/D 6x12B; D/A 1x12B | 外部の | |||||||||||||||||||||||
![]() | MC9S08RD8CDWE-FR | 1.7900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | S08 | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | MC9S08 | 28-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.31.0001 | 1 | 23 | S08 | 8ビット | 8MHz | SCI | LVD | 8kb(8k x 8) | フラッシュ | - | 1k x 8 | 1.8V〜3.6V | - | 内部 |
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