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統合サーキット（ICS ）（4103）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	特徴	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	現在 -供給	電圧 -入力	出力タイプ	sicプログラム可能	回路の数	比率 -入力：出力	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	関数	i/oの数	コアプロセッサ	コアサイズ	スピード	接続性	周辺機器	プログラムメモリサイズ	プログラムメモリタイプ	eepromサイズ	ラムサイズ	電圧 -供給（ vcc/vdd）	データコンバーター	オシレータータイプ	プロトコル	ドライバー/レシーバーの数	二重	データレート	インタフェース	コア/バス幅の数	共同プロセッサ/dsp	ラムコントローラー	グラフィックの加速	ディスプレイとインターフェイスコントローラー	イーサネット	サタ	USB	電圧-i/o	セキュリティ機能	追加のインターフェイス	入力信号	出力信号	出力数	翻訳者タイプ	チャネルタイプ	回路ごとのチャネル	電圧-vcca	電圧-VCCB	障害保護	出力構成	現在 -出力	rds on（typ）	電圧 -負荷	駆動型構成	ドライバーの数	ゲートタイプ	論理電圧-vil、vih	現在 -ピーク出力（ソース、シンク）	立ち上がり /上下時間（タイプ）	モータータイプ -ステッパー	モータータイプ-ac 、dc	ステップ解決	電圧 -出力	スイッチタイプ	現在 -出力（最大）	sicプログラム可能
NTS0101GM 、115	-	RFQ	9507	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ		表面マウント	6-xfdfn		自動方向センシング	NTS0101					排水溝、トライステート		1			6-XSON	-	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない			5,000																		50Mbps													-	-		電圧レベル	双方向	1	1.65 V〜3.6 v	2.3 V〜5.5 v
MC9RS08KB8CWJ574	-	RFQ	2956	フリースケール半導体	S08	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	20-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）			MC9RS08										20-SOIC	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー			1		18	RS08	8ビット	20MHz	i²c、Spi	LVD	8kb（8k x 8）	フラッシュ	-	254 x 8	1.8V〜5.5V	A/D 12x10B	内部
MC9S08JE64CLH	5.7900	RFQ	2	フリースケール半導体	S08	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	64-LQFP			MC9S08										64-lqfp（10x10）	ダウンロード				3A991A2	8542.31.0001	1		33	S08	8ビット	48MHz	i²c、sci、spi、usb	LVD	64kb（64k x 8）	フラッシュ	-	12k x 8	1.8V〜3.6V	A/D 6x12B	内部
MPC8569ECVJAQLJB	223.1300	RFQ	28	フリースケール半導体	MPC85XX	バルク	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）		表面マウント	783-BBGA 、FCBGA													783-FCPBGA （29x29）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	5A002A1	8542.31.0001	1			PowerPC E500V2		1.067GHz															1 コア、 32ビット	コミュニケーション; quicc エンジン、セキュリティ;秒	ddr2、ddr3、SDRAM	いいえ	-	10/100Mbps	-	USB 2.0（1）	1V 、1.5V、1.8V 、2.5V 3.3V	暗号化、乱数ジェネレーター	duart 、hssi、i²c、mmc/sd、pci
MPC862PZQ66B	115.0000	RFQ	132	フリースケール半導体	MPC8XX	バルク	アクティブ	0°C〜105°C（TA）		表面マウント	357-BBGA			MPC86										357-PBGA （25x25	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー	5A991	8542.31.0001	1			MPC8XX		66MHz															1 コア、 32ビット	コミュニケーション; CPM	ドラム	いいえ	-	10Mbps（4）、10/100Mbps	-	-	3.3V	-	hdlc/sdlc
MC68HC908QT4VPE	-	RFQ	8218	フリースケール半導体	HC08	バルク	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）		穴を通して	8-dip （0.300 "、7.62mm）			MC68HC908										8-pdip	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない			1		5	HC08	8ビット	8MHz	-	LVD	4kb （4k x 8）	フラッシュ	-	128 x 8	2.7V〜5.5V	A/D 4x8b	内部
MC9S12XS128MAER	-	RFQ	7937	フリースケール半導体	HCS12X	バルク	廃止	-40°C〜125°C（タタ		表面マウント	64-LQFP			MC9S12										64-lqfp（10x10）	ダウンロード	ROHS3準拠			3A991A2	8542.31.0001	1,500		44	HCS12X	16ビット	40MHz	sci、spi	LVD	128kb（ 128k x 8）	フラッシュ	8k x 8	8k x 8	1.72V〜5.5V	A/D 8x12B	外部の
MC9S08LL8CGT	-	RFQ	4996	フリースケール半導体	S08	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	48-VFQFN露出パッド			MC9S08										48-qfn-ep（ 7x7）	ダウンロード				ear99	8542.31.0001	1		31	S08	8ビット	20MHz	i²c、sci、spi	LCD 、LVD	10kb（10k x 8）	フラッシュ	-	2k x 8	1.8V〜3.6V	A/D 8x12B	内部
S912XEG128J2MAAR	-	RFQ	4780	フリースケール半導体	HCS12X	バルク	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ		表面マウント	80-QFP			S912										80-QFP（14x14	ダウンロード				3A991A2	8542.31.0001	1		59	HCS12X	16ビット	50MHz	キャンバス、 ebi/emi	LVD	128kb（ 128k x 8）	フラッシュ	2k x 8	12k x 8	1.72V〜5.5V	A/D 8x12B	外部の
MC145576PBA1	7.2100	RFQ	1	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	-20°C〜70°C（TA）		表面マウント	44-LQFP	トランシーバー											4.75v〜5.25V	44-lqfp（10x10）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた	ear99	8542.39.0001	1															-	2/2	満杯	-
MKE15Z256VLH7	-	RFQ	1605	フリースケール半導体	kinetis ke1xz	バルク	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）		表面マウント	64-LQFP			MKE15Z256										64-lqfp（10x10）	ダウンロード				3A991A2	8542.31.0001	1		58	ARM®Cortex®M0+	32ビットシングルコア	72MHz	flexio	DMA 、LVD	256kb（256k x 8）	フラッシュ	34k x 8	32k x 8	2.7V〜5.5V	A/D 16x12B; D/A 1x8B	内部
MC908JL3ECFAE	3.0800	RFQ	334	フリースケール半導体	HC08	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	48-LQFP			MC908										48-lqfp（7x7）	ダウンロード	ROHS3準拠			ear99	8542.31.0001	2,500		23	HC08	8ビット	8MHz	-	LED	4kb （4k x 8）	フラッシュ	-	128 x 8	2.7V〜3.3V	A/D 12x8b	外部の
MK12DX128VLF5557	-	RFQ	1856年年	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）		表面マウント	48-LQFP			MK12DX128										48-lqfp（7x7）	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		0000.00.0000	1		33	ARM®Cortex®M4	32ビットシングルコア	50MHz	i²c、irda	dma	128kb（ 128k x 8）	フラッシュ	4k x 8	32k x 8	1.71V〜3.6V	A/D 18x16b	内部
MPC8545VTATGD	138.6400	RFQ	148	フリースケール半導体	MPC85XX	トレイ	廃止	0°C〜105°C（TA）		表面マウント	783-BBGA 、FCBGA													783-FCPBGA （29x29）	ダウンロード	ROHS3準拠			3A991A2	8542.31.0001	36			PowerPC E500		1.2GHz															1 コア、 32ビット	信号処理; Spe	ddr 、DDR2、SDRAM	いいえ	-	10/100/1000Mbps	-	-	1.8v	-	duart、i²c、 pci、rapioio
MC9S08JS8CFK	2.6600	RFQ	4	フリースケール半導体	S08	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	24-VQFN露出パッド			MC9S08										24-hvqfn （5x5）	ダウンロード				3A991A2	8542.31.0001	113		14	S08	8ビット	48MHz	Linbus	LVD	8kb（8k x 8）	フラッシュ	-	512 x 8	2.7V〜5.5V	-	内部																																										確認されていません
MC68EN360AI25L	-	RFQ	1898年年	フリースケール半導体	M683xx	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）		表面マウント	240-BFQFP													240-FQFP	ダウンロード					0000.00.0000	1			CPU32+		25MHz															1 コア、 32ビット	コミュニケーション; CPM	ドラム	いいえ	-	10Mbps（1）	-	-	5.0V	-	SCC、smc、Spi
MC56F8122VFAE	14.7000	RFQ	30	フリースケール半導体	56F8XXX	バルク	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）		表面マウント	48-LQFP			MC56F81										48-lqfp（7x7）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	3A991A2	8542.31.0001	1		21	56800E	16ビット	40MHz	SCI 、SPI	por wdt	32kb（16k x 16）	フラッシュ	-	4k x 16	2.25V〜3.6V	A/D 6x12B	内部
SC41200VTB	-	RFQ	5425	フリースケール半導体	*	バルク	アクティブ													確認されていません					-	適用できない	3 （168 時間）				1
MC13892AJVL	-	RFQ	6489	フリースケール半導体	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C	バッテリー管理、ディスプレイ（ LED ドライバー）、ハンドヘルド/モバイルデバイス、電源	表面マウント	186-lfbga			MC13892			-						-	186-pbga（12x12）	ダウンロード	ROHS3準拠			ear99	8542.39.0001	945
XPC8260CVVIFBC	224.7500	RFQ	378	フリースケール半導体	MPC82XX	バルク	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）		表面マウント	480-lbga露出パッド			XPC82										480-TBGA（37.5x37.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		0000.00.0000	1			PowerPC G2		200MHz															1 コア、 32ビット	コミュニケーション; RISC CPM	sdram	いいえ	-	10/100Mbps	-	-	3.3V	-	i²c、 scc
MC34717EP	-	RFQ	1254	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C	ddr	表面マウント	26-VFQFN露出パッド							3V〜6V						26-QFN （5x5）	ダウンロード					0000.00.0000	1																																	2																				0.7V〜3.6V
MC33879APEKR2	-	RFQ	7764	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ		表面マウント	32-BSSOP （0.295 "、幅7.50mm ）露出したパッド		-	MC33879	-				nチャネル			1：4		32-SOIC	ダウンロード					0000.00.0000	1												3.1V〜5.5V							spi														8						電流制限（固定）、開いた負荷検出、上の電圧	ハイサイドまたはローサイド		750mohm	5.5V〜27.5V											汎用	600MA
MC13892BJVKR2	4.2000	RFQ	400	フリースケール半導体	-	バルク	廃止	-40°C〜85°C	バッテリー管理、ディスプレイ（ LED ドライバー）、ハンドヘルド/モバイルデバイス、電源	表面マウント	139-TFBGA			MC13892			-						-	139-PBGA	ダウンロード	ROHS3準拠			ear99	8542.39.0001	2,000
SC900844JVK	-	RFQ	7249	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C	PC 、PDA	表面マウント	338-TFBGA			SC900844			-						-	338-Mapbga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー	ear99	8542.39.0001	1
MCZ33883EGR2	-	RFQ	1442	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ		表面マウント	20-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）			MCZ33883	非反転					確認されていません			5.5V〜55V	20-SOIC	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー	ear99	8542.39.0001	1,000																																			独立した									ハーフブリッジ	4	nチャンネルmosfet	0.8V 、2V	1a、1a	-
MPC17559EPR2	6.0500	RFQ	2	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	-20°C〜65°C（Ta）	バッテリー駆動	表面マウント	56-VFQFN			MPC17559		Power Mosfet							1.8V〜3.5V	56-QFN （8x8）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー	ear99	8542.39.0001	2,000	ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ																		平行																					ハーフブリッジ（10）	300mA		0.9V〜3.5V							-	dc（bldc ）、ブラシ付き dc	-
MC33910G5AC	3.3300	RFQ	220	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	-40°C〜125°C	システムベースチップ	表面マウント	32-LQFP			MC33910			4.5mA						5.5V〜27V	32-lqfp（7x7）	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	91
MC9S08DV128MLH	7.9200	RFQ	4	フリースケール半導体	S08	トレイ	廃止	-40°C〜125°C（タタ		表面マウント	64-LQFP			MC9S08										64-lqfp（10x10）	ダウンロード	ROHS3準拠			3A991A2	8542.31.0001	640		53	S08	8ビット	40MHz	Canbus	LVD	128kb（ 128k x 8）	フラッシュ	-	6k x 8	2.7V〜5.5V	A/D 24x12B	外部の
MC56F8037VLHR	-	RFQ	1782	フリースケール半導体	56F8XXX	バルク	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）		表面マウント	64-LQFP			MC56F80										64-lqfp（10x10）	ダウンロード					0000.00.0000	1		53	56800E	16ビット	32MHz	Canbus	por、pwm wdt	64kb（32k x 16）	フラッシュ	-	4k x 16	3V〜3.6V	A/D 16x12B; D/A 2x12B	内部
SPC5746CK1MKU2	-	RFQ	2865	フリースケール半導体	MPC57XX	バルク	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ		表面マウント	176-lqfp露出パッド			SPC5746										176-lqfp（24x24）	ダウンロード					0000.00.0000	1		129	E200Z2 、E200Z4	32ビットデュアルコア	80MHz/160MHz	CANBUS	DMA 、LVD	3MB（3M x 8）	フラッシュ	-	512k x 8	3V〜5.5V	A/D 80x10b 、64x12b	内部