SIC
close
画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 特徴 基本製品番号 入力タイプ 頻度 テクノロジー 電圧 -入力(最大) 出力タイプ 回路の数 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ ロジックタイプ 要素の数 要素ごとのビット数 電流 -出力が高く、低い 関数 現在 -静止(最大) 現在 -出力 /チャネル 入力数 i/oの数 コアプロセッサ コアサイズ スピード 接続性 周辺機器 プログラムメモリサイズ プログラムメモリタイプ eepromサイズ ラムサイズ 電圧 -供給( vcc/vdd) データコンバーター オシレータータイプ インタフェース クロック周波数 出力数 トリガータイプ Max Propagation Delay @ V 現在 -静止(IQ) 現在 -供給(最大) 入力容量 入力ロジックレベル -低い 入力ロジックレベル -高 内部スイッチ トポロジー 制御機能 電圧 -供給(最大) 出力構成 現在 -出力 電圧 -負荷 モータータイプ -ステッパー モータータイプ-ac 、dc ステップ解決 調光 電圧 -供給(最小) 電圧 -出力 電圧 -min/固定) 電圧 -出力(最大) 規制当局の数 電圧ドロップアウト(最大) psrr 保護機能
TCR3UG1825A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG1825A 、LF 0.1261
RFQ
ECAD 4531 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3UG テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFBGA 、WLCSP 5.5V 修理済み 4-wcspf( 0.65x0.65) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 5,000 0.68 µA 現在の制限、有効 ポジティブ 300mA 1.825V - 1 - 70dB 電流で、温度を超えます
TCR2DG24,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG24、LF 0.1394
RFQ
ECAD 3967 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2DG テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-ufbga、wlcsp 5.5V 修理済み 4-wcsp( 0.79x0.79) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 有効にする ポジティブ 200mA 2.4V - 1 0.13V @ 100MA - 電流で、温度を超えます
TCR2LE11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE11 0.0742
RFQ
ECAD 8537 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 tcr2le テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C (TJ 表面マウント SOT-553 TCR2LE11 5.5V 修理済み ESV ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.1V - 1 1.3V @ 150ma - 現在の上
74VHC174FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC174FT 0.1020
RFQ
ECAD 5661 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 16-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) dタイプ 74VHC174 非反転 2V〜5.5V 16-TSSOPB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 2,500 1 6 8ma 、8ma マスターリセット 120 MHz ポジティブエッジ 9.2NS @ 5V 、50pf 4 µA 4 pf
TCR2LN085,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN085 0.3800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LN テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C (TJ 表面マウント 4-XFDFN露出パッド 5.5V 修理済み 4-SDFN (0.8x0.8) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 0.85V - 1 1.56V @ 150ma - 現在の上
TCR2LN12,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN12 0.3800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LN テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C (TJ 表面マウント 4-XFDFN露出パッド 5.5V 修理済み 4-SDFN (0.8x0.8) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.2V - 1 1.23V @ 150ma - 現在の上
TCR2LE12,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE12 0.4100
RFQ
ECAD 1177 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 tcr2le テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C (TJ 表面マウント SOT-553 TCR2LE12 5.5V 修理済み ESV ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.2V - 1 1.25V @ 150ma - 現在の上
TCR2EE275,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE275 0.3700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2EE テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SOT-553 TCR2EE275 5.5V 修理済み ESV ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 2.75V - 1 0.23V @ 150ma 73dB 現在の上
TAR5S15U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S15U 0.1676
RFQ
ECAD 3500 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 6-smd(5 リード)、フラットリード TAR5S15 15V 修理済み UFV ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 3,000 850 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.5V - 1 - 70dB 電流で、温度を超えます
TCR2LN09,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN09 0.3800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LN テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C (TJ 表面マウント 4-XFDFN露出パッド 5.5V 修理済み 4-SDFN (0.8x0.8) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 0.9V - 1 1.46V @ 150ma - 現在の上
TB67H301FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H301FTG 、EL 1.6700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 汎用 表面マウント 24-WFQFN露出パッド TB67H301 bicdmos 3V〜5.5V 24-wqfn (4x4) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 5,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ(2) 1a 4.5V〜38V - dc -
TCR3UF30A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF30A 0.4100
RFQ
ECAD 2099 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3UF テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR3UF30 5.5V 修理済み SMV - ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 3,000 680 na 有効にする ポジティブ 300mA 3V - 1 0.287V @ 300MA 70dB 電流で、温度を超えます
KIA78DL15PI Toshiba Semiconductor and Storage Kia78dl15pi -
RFQ
ECAD 3334 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ アクティブ Kia78 - ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 50
TCR3UM09A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM09A 0.4700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-udfn露出パッド 5.5V 修理済み 4-dfn(1x1) - ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 10,000 580 na 現在の制限、有効 ポジティブ 300mA 0.9V - 1 1.157V @ 300MA - 電流で、温度を超えます
7UL1T86FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7ul1t86fu 、lf 0.4100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 - 7ul1t86 1 2.3V〜3.6V USV - ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 3,000 xor (排他的または) 8ma 、8ma 1 µA 2 4.4NS @ 3.3V、15pf 0.1V〜0.4V 2V〜2.48V
TMP91FW27UG Toshiba Semiconductor and Storage TMP91FW27UG -
RFQ
ECAD 8461 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TLCS-900/L1 トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-LQFP TMP91 64-lqfp(10x10) - 3 (168 時間) tmp91fw27ug 3A991A2 8542.31.0001 10 53 900/l1 16ビット 27MHz ebi/emi dma wdt 128kb( 128k x 8) フラッシュ - 12k x 8 2.2V〜3.6V A/D 4x10b 内部
TB6560AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AFTG、C8、EL 2.0549
RFQ
ECAD 4373 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * テープ&リール( tr) アクティブ TB6560 ダウンロード ROHS3準拠 TB6560AFTGC8EL ear99 8542.39.0001 2,000
TC7SH02F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH02F 、LJ(CT 0.0824
RFQ
ECAD 3803 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TC7SH テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 - 7sh02 1 2V〜5.5V SMV ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 3,000 ゲートも 8ma 、8ma 2 µA 2 7.5ns @ 5V 、50pf 0.5V 1.5V
TLP7820(A-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp7820 -
RFQ
ECAD 3605 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 現在のセンシング、パワー管理 表面マウント 8-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) 分離 TLP7820 8-SO ダウンロード 1 (無制限) 264-tlp7820(a-lf4e ear99 8542.33.0001 75
TCR3DM135,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM135 0.4800
RFQ
ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-udfn露出パッド 5.5V 修理済み 4-dfn(1x1) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 10,000 有効にする ポジティブ 300mA 1.35V - 1 0.52V @ 300MA - 電流で、温度を超えます
TCR3UM18A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM18A 0.4700
RFQ
ECAD 166 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-udfn露出パッド 5.5V 修理済み 4-dfn(1x1) - ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 10,000 680 na 現在の制限、有効 ポジティブ 300mA 1.8V - 1 0.457V @ 300MA - 電流で、温度を超えます
TC62D748CFNAG(CBHJ Toshiba Semiconductor and Storage tc62d748cfnag cbhj -
RFQ
ECAD 5936 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜85°C(タタ LED照明 表面マウント 24-ssop (0.154 "、3.90mm 幅) リニア TC62D748 - 24ソップ - 264-TC62D748CFNAG(CBHJ 廃止 1 90ma 16 いいえ シフトレジスタ 5.5V いいえ 3V 17V
TCR3DM25,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM25 、LF 0.4600
RFQ
ECAD 9892 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-udfn露出パッド TCR3DM25 5.5V 修理済み 4-dfn(1x1) ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 10,000 65 µA 78 µA 有効にする ポジティブ 300mA 2.5V - 1 0.29V @ 300MA 70dB 電流で、温度を超えます
74VHC9541FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC9541FT 0.5100
RFQ
ECAD 8153 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 74VHC テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 20-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) 74VHC9541 シュミットトリガー 3状態 2V〜5.5V 20-TSSOPB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 2,500 バッファー、非反転 1 8 8ma 、8ma
TC74VHC245FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC245FK 0.6200
RFQ
ECAD 7577 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TC74VHC テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 20-VFSOP (0.118 "、幅3.00mm) 74VHC245 - 3状態 2V〜5.5V 20 vssop ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 2,500 トランシーバー、非反転 1 8 8ma 、8ma
TMPM4G9F10FG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G9F10FG -
RFQ
ECAD 4453 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TX04 トレイ 廃止 -40°C〜70°C(タタ 表面マウント 100-lqfp TMPM4G9 100-lqfp(14x14) ダウンロード ROHS準拠 3 (168 時間) 3A991A2 8542.31.0001 60 150 ARM®Cortex®M4F 32ビットシングルコア 160MHz cec.ebi/emi DMA 、LVD 1MB(1M x 8) フラッシュ 32k x 8 192k x 8 2.7V〜3.6V A/D 24x12B; D/A 2x8B 内部
TB6674FAG Toshiba Semiconductor and Storage TB6674FAG -
RFQ
ECAD 3570 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -30°C〜75°C(Ta) 汎用 表面マウント 16-sop (0.181 "、幅4.60mm) TB6674 Power Mosfet 4.5v〜5.5V 16ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 2,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ(4) 100mA 2.7V〜22V バイポーラ - -
TB6674FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6674FG 、8、EL 1.1201
RFQ
ECAD 8652 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -30°C〜75°C(Ta) 汎用 表面マウント 16-BSOP (0.252 "、6.40mm + 2ヒートタブ TB6674 Power Mosfet 4.5v〜5.5V 16-hsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.39.0001 1,500 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ(4) 350ma 2.7V〜22V バイポーラ - -
TC62D748AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748AFG、EL 0.4326
RFQ
ECAD 8344 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * テープ&リール( tr) アクティブ TC62D748 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 2,000
TMPM4G9FEFG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G9FEFG 12.7000
RFQ
ECAD 9982 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TX04 トレイ アクティブ -40°C〜70°C(タタ 表面マウント 100-lqfp TMPM4G9 100-lqfp(14x14) ダウンロード ROHS準拠 3 (168 時間) 3A991A2 8542.31.0001 60 150 ARM®Cortex®M4F 32ビットシングルコア 160MHz cec.ebi/emi DMA 、LVD 768kb (768k x 8) フラッシュ 32k x 8 128k x 8 2.7V〜3.6V A/D 24x12B; D/A 2x8B 内部
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫