SIC
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ICS ）（2120）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 特徴 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー チャネルの数 電圧 -入力（最大） 出力タイプ 回路の数 比率 -入力：出力 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ ロジックタイプ 要素の数 要素ごとのビット数 電流 -出力が高く、低い 関数 現在 -静止（最大） -3db帯域幅 サンプリングレート（ 1 秒あたり） 入力数 データインターフェイス 電圧 -供給（ vcc/vdd） スイッチ回路 Multiplexer/Demultiplexer回路 オンステートレジスタンス（最大） チャネル間マッチング（Δron） 電圧 -供給、シングル（ V+） 電圧 -供給、デュアル（ v±） スイッチ時間（トン、トフ）（最大） 充電注射 チャネル静電容量（CS （オフ）、CD （オフ）） 現在 -漏れ（は（オフ クロストーク データレート インタフェース 解像度（ビット） 入力信号 出力信号 出力数 電圧供給源 Max Propagation Delay @ V 現在 -静止（IQ） 現在 -供給（最大） 入力ロジックレベル -低い 入力ロジックレベル -高 翻訳者タイプ チャネルタイプ 回路ごとのチャネル 電圧-vcca 電圧-VCCB 障害保護 制御機能 出力構成 現在 -出力 rds on（typ） 電圧 -負荷 モータータイプ -ステッパー モータータイプ-ac 、dc ステップ解決 スイッチタイプ 現在 -出力（最大） 電圧 -min/固定） 電圧 -出力（最大） 規制当局の数 電圧ドロップアウト（最大） psrr 保護機能
TCR2LF21,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF21 0.0700
RFQ
 ECAD 1084 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR2LF21 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 2.1V - 1 0.56V @ 150ma - 現在の上
TLP7830(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP7830 -
RFQ
 ECAD 5869 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 8-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） モジュレーター TLP7830 1 3V〜5.5V、3V〜5.5V 8-SO - 1 （無制限） 264-tlp7830 d4-tp4etr 1,500 - シリアル 1 b 二重供給
TPD2017FN,L1F(S Toshiba Semiconductor and Storage TPD2017FN 4.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 24 ソップ（0.236 "、幅6.00mm） - TPD2017 非反転 nチャネル 1：1 24ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 2,000 必要ありません オン/オフ 8 現在の制限（調整可能）、温度経過 ローサイド 1OHM 0.8V〜2V リレー、ソレノイドドライバー 500mA
TB62208FTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62208FTG 2.9200
RFQ
 ECAD 6044 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜150°C （TJ 汎用 表面マウント 48-VFQFN露出パッド TB62208 DMOS 4.5v〜5.5V 48-QFN （7x7） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 2,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（4） 1.8a 10V〜38V バイポーラ - 1、1/2
TB67B001FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67B001FTG 3.0600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 汎用 表面マウント 36-VFQFN露出パッド TB67B001 バイポーラ 4V〜22V 36-vqfn （5x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 2,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ PWM ハーフブリッジ（ 3） 3a - 多相 dc （bldc） -
TCR5AM085,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM085、LF 0.1344
RFQ
 ECAD 5661 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR5AM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR5AM085 5.5V 修理済み 5-dfnb（1.2x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA 有効にする ポジティブ 500mA 0.85V - 1 0.22V @ 500MA 70db〜40db（1kHz10Hz 電流、温度を超えて、電圧ロックアウト（ウブロ）
TCR3DM18,RF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM18 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-udfn露出パッド 5.5V 修理済み 4-dfn（1x1） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 有効にする ポジティブ 300mA 1.8V - 1 0.38V @ 300MA - 電流で、温度を超えます
TCR3RM33A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM33A 0.4600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3RM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR3RM33 5.5V 修理済み 4-dfnc ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 12 µA 現在の制限、有効 ポジティブ 300mA 3.3V - 1 0.14V @ 300MA - 電流で、温度を超えます
TCR3DM45,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM45 0.4800
RFQ
 ECAD 3185 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-udfn露出パッド 5.5V 修理済み 4-dfn（1x1） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 125 µA 有効にする ポジティブ 300mA 4.5V - 1 0.2V @ 300MA - 電流で、温度を超えます
TCR2EE20,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE20 0.3700
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2EE テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SOT-553 TCR2EE20 5.5V 修理済み ESV ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 2V - 1 0.31V @ 150ma 73dB 現在の上
TC7SPN3125CFC(T5L) Toshiba Semiconductor and Storage TC7SPN3125CFC -
RFQ
 ECAD 5767 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TC7SP テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 6-XFDFN露出パッド - TC7SPN 3 つの状態、非反転 1 CST6C - 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 - - - 電圧レベル 単方向 1 1.1 V〜2.7 v 1.65 V〜3.6 v
TCR2EN25,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN25 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 2.5V - 1 0.21V @ 150ma 73dB 現在の上
TCR5RG09A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG09A 、LF 0.5300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR5RG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFBGA 、WLCSP TCR5RG09 5.5V 修理済み 4-wcspf（ 0.65x0.65） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 13 µA - ポジティブ 500mA 0.9V - 1 - 100db〜59db（1khz1mhz 電流で、温度を超えます
TCR2LF115,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF115 0.3800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR2LF115 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.15V - 1 1.3V @ 150ma - 現在の上
TBD62786AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62786AFNG、EL 1.8200
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 18-lssop（ 0.173 "、幅4.40mm） - TBD62786 反転 pチャネル 1：1 18ソップ ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 2,000 2V〜50V オン/オフ 8 - ハイサイド 1.6ohm 0V〜50V 汎用 400mA
TB9102FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9102FNG、EL 3.8831
RFQ
 ECAD 3997 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 自動車 表面マウント 24-lssop（0.220 "、5.60mm 幅） TB9102 bi-cmos 4.5v〜5.5V 24ソップ ダウンロード ROHS準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 2,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ spi ハーフブリッジ（6） 1.5a 7V〜18V - dc -
TCR2EF115,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF115 0.3200
RFQ
 ECAD 925 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 tcr2ef テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR2EF115 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.15V - 1 0.67V @ 150ma 73dB 現在の上
TCR3DM105,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM105 0.4800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-udfn露出パッド 5.5V 修理済み 4-dfn（1x1） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 有効にする ポジティブ 300mA 1.05V - 1 0.75V @ 300MA - 電流で、温度を超えます
TA4808BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA4808BF （T6L1 0.8200
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜150°C 表面マウント to-252-3 TA4808 16V 修理済み pw-mold - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 1.7 Ma 20 ma - ポジティブ 1a 8V - 1 0.69V @ 1a（タイプ） 56db （120Hz） 電流で、温度を超えます
TCK101G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK101G 、LF 0.2235
RFQ
 ECAD 7725 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 6-ufbga 負荷放電、スルーレートが制御されます TCK101 非反転 pチャネル 1：1 6-BGA ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 必要ありません オン/オフ 1 オーバー温度 ハイサイド 50mohm 1.1V〜5.5V 汎用 1a
TCR2EE34,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE34 0.3700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2EE テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SOT-553 TCR2EE34 5.5V 修理済み ESV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 3.4V - 1 0.2V @ 150ma 73dB 現在の上
7UL1G04FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7UL1G04FS 、LF 0.4600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 7ul テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント SOT-953 - 7ul1g04 1 0.9V〜3.6V FSV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 インバーター 8ma 、8ma 1 µA 1 4.4NS @ 3.3V 、30pf 0.1V〜0.4V 0.75V〜2.48V
TCR3UG33B,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG33B 、LF 0.4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3UG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFBGA 、WLCSP TCR3UG33 5.5V 修理済み 4-wcspf（ 0.65x0.65） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 680 na 有効にする ポジティブ 300mA 3.3V - 1 0.273V @ 300MA 70dB イングラッシュ電流、電流、温度上
TC74VHC595FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC595FK 0.6200
RFQ
 ECAD 4526 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TC74VHC テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 16-VFSOP （0.118 "、幅3.00mm） 74VHC595 トライステート 2V〜5.5V 16-VSSOP ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,500 シフトレジスタ 1 8 シリアルからパラレル
74VHC4052AFT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC4052aft 0.5100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） 74VHC4052 2 16-TSSOPB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,500 230MHz SP4T 4：1 37OHM 5ohm 2V〜5.5V - 12ns、12ns - 0.5pf、13.1pf 100NA -45db @ 1MHz
TCR3DG45,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG45、LF 0.1054
RFQ
 ECAD 6507 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFBGA 、CSPBGA TCR3DG45 5.5V 修理済み 4-wcspe（0.65x0.65） - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 125 µA 有効にする ポジティブ 300mA 4.5V - 1 0.185V @ 300MA 70dB イングラッシュ電流、電流、温度上
TCR8BM115A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM115A 、L3F 0.4600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR8BM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XDFN露出パッド 5.5V 修理済み 5-dfnb（1.2x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 現在の制限、有効 ポジティブ 800mA 1.15V - 1 0.255V @ 800MA - 電流、温度を超えて、電圧ロックアウト（ウブロ）
TCR2EN30,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN30 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 3V - 1 0.18V @ 150ma - 現在の上
TC74ACT32FT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC74ACT32FT （EL） 0.1453
RFQ
 ECAD 9326 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TC74ACT テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜85°C 表面マウント 14-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） - 74ACT32 4 4.5v〜5.5V 14-tssop - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 またはゲート 24ma 、24ma 4 µA 2 7.9ns @ 5V 、50pf 0.8V 2V
TLP7820(A,TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP7820 -
RFQ
 ECAD 7367 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 現在のセンシング、パワー管理 表面マウント 8-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） 分離 TLP7820 8-SO - 1 （無制限） 264-TLP7820 atle 廃止 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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