SIC
close
画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 特徴 基本製品番号 入力タイプ 頻度 テクノロジー 電圧 -入力(最大) 出力タイプ sicプログラム可能 回路の数 比率 -入力:出力 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ ロジックタイプ 要素の数 要素ごとのビット数 電流 -出力が高く、低い 関数 現在 -静止(最大) -3db帯域幅 現在 -出力 /チャネル 入力数 i/oの数 コアプロセッサ コアサイズ スピード 接続性 周辺機器 プログラムメモリサイズ プログラムメモリタイプ eepromサイズ ラムサイズ 電圧 -供給( vcc/vdd) データコンバーター オシレータータイプ スイッチ回路 Multiplexer/Demultiplexer回路 オンステートレジスタンス(最大) チャネル間マッチング(Δron) 電圧 -供給、シングル( V+) 電圧 -供給、デュアル( v±) スイッチ時間(トン、トフ)(最大) 充電注射 チャネル静電容量(CS (オフ)、CD (オフ)) 現在 -漏れ(は(オフ クロストーク インタフェース 出力数 電圧供給源 Max Propagation Delay @ V 現在 -静止(IQ) 現在 -供給(最大) 入力ロジックレベル -低い 入力ロジックレベル -高 回路 独立した回路 チャネルタイプ 内部スイッチ トポロジー 周波数 -切り替え 障害保護 制御機能 電圧 -供給(最大) 出力構成 同期整流器 現在 -出力 rds on(typ) 電圧 -負荷 駆動型構成 ドライバーの数 ゲートタイプ 論理電圧-vil、vih 現在 -ピーク出力(ソース、シンク) 立ち上がり /上下時間(タイプ) モータータイプ -ステッパー モータータイプ-ac 、dc ステップ解決 調光 電圧 -供給(最小) 電圧 -出力 スイッチタイプ 現在 -出力(最大) 電圧 -min/固定) 電圧 -出力(最大) 電圧 -入力(最小) 規制当局の数 電圧ドロップアウト(最大) psrr 保護機能
TCR3UG33B,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG33B 、LF 0.4600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3UG テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFBGA 、WLCSP TCR3UG33 5.5V 修理済み 4-wcspf( 0.65x0.65) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 5,000 680 na 有効にする ポジティブ 300mA 3.3V - 1 0.273V @ 300MA 70dB イングラッシュ電流、電流、温度上
TCK101G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK101G 、LF 0.2235
RFQ
ECAD 7725 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 6-ufbga 負荷放電、スルーレートが制御されます TCK101 非反転 pチャネル 1:1 6-BGA ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 3,000 必要ありません オン/オフ 1 オーバー温度 ハイサイド 50mohm 1.1V〜5.5V 汎用 1a
TCR2EE34,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE34 0.3700
RFQ
ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2EE テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SOT-553 TCR2EE34 5.5V 修理済み ESV ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 3.4V - 1 0.2V @ 150ma 73dB 現在の上
7UL1G04FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7UL1G04FS 、LF 0.4600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 7ul テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント SOT-953 - 7ul1g04 1 0.9V〜3.6V FSV ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 10,000 インバーター 8ma 、8ma 1 µA 1 4.4NS @ 3.3V 、30pf 0.1V〜0.4V 0.75V〜2.48V
TC74VHC595FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC595FK 0.6200
RFQ
ECAD 4526 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TC74VHC テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 16-VFSOP (0.118 "、幅3.00mm) 74VHC595 トライステート 2V〜5.5V 16-VSSOP ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 2,500 シフトレジスタ 1 8 シリアルからパラレル
TA58M05S,SUMISQ(M Toshiba Semiconductor and Storage ta58m05s -
RFQ
ECAD 1316 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58M05 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 80 Ma - ポジティブ 500µA 5V - 1 0.65V @ 500MA - 電流、温度上、逆極性
TCR2LN08,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08 -
RFQ
ECAD 7168 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LN テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C (TJ 表面マウント 4-XFDFN露出パッド TCR2LN08 5.5V 修理済み 4-SDFN (0.8x0.8) ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 0.8V - 1 1.56V @ 150ma - 現在の上
TC74HC4066APF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC4066APF 0.6400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 穴を通して 14-dip (0.300 "、7.62mm) TC74HC4066 4 14ディップ ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 25 200MHz spst-いいえ 1:1 80OHM 5ohm 2V〜12V - 12ns、18ns - 10pf 1µA -60db @ 1MHz
TMPM370FYDFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM370FYDFG 7.8320
RFQ
ECAD 6368 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TX03 トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 100-BQFP TMPM370 100-QFP ダウンロード ROHS準拠 3 (168 時間) 3A991A2 8542.31.0001 1 74 ARM®Cortex®M3 32ビットシングルコア 80MHz i²c、 sio、uart/usart DMA 256kb(256k x 8) フラッシュ - 10k x 8 4.5v〜5.5V A/D 22x12B SAR 内部
TC7WPB8306L8X,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7WPB8306L8X、LF -
RFQ
ECAD 5007 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TC7WP テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 8-uflga バススイッチ TC7WPB8306 1.65V〜5V、2.3V〜5.5V MP8 - ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 3,000 - 二重供給 2 x 1:1 1
TCR3UF20A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF20A 、LM(CT 0.4100
RFQ
ECAD 301 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3UF テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR3UF20 5.5V 修理済み SMV - ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 3,000 680 na - ポジティブ 300mA 2V - 1 0.412V @ 300MA 70dB 電流で、温度を超えます
TCK422G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK422G、L3F 0.8500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 6-XFBGA 、WLCSP TCK422 非反転 確認されていません 2.7V〜28V 6-wcspg(0.8x1.2) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 5,000 シングル ハイサイド 1 nチャンネルmosfet 0.4V 、1.2V - -
TCR2EN25,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN25 0.3800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド 5.5V 修理済み 4-SDFN (0.8x0.8) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 2.5V - 1 0.21V @ 150ma 73dB 現在の上
TCR5RG09A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG09A 、LF 0.5300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR5RG テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFBGA 、WLCSP TCR5RG09 5.5V 修理済み 4-wcspf( 0.65x0.65) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 5,000 13 µA - ポジティブ 500mA 0.9V - 1 - 100db〜59db(1khz1mhz 電流で、温度を超えます
TCR2LF09,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF09 0.3800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LF テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C (TJ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR2LF09 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 0.9V - 1 1.48V @ 150ma - 現在の上
TC62D776CFNAG(CEBH Toshiba Semiconductor and Storage TC62D776CFNAG (CEBH -
RFQ
ECAD 8331 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜85°C LED照明 表面マウント 24-ssop (0.154 "、3.90mm 幅) リニア TC62D776 - 24ソップ - 264-TC62D776CFNAG (CEBH 廃止 1 90ma 1 いいえ シフトレジスタ 5.5V いいえ 3V 17V
74LCX240FT Toshiba Semiconductor and Storage 74LCX240FT 0.1740
RFQ
ECAD 1955年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 74lcx テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 20-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) 74LCX240 - 3状態 1.65v〜3.6V 20-TSSOPB ダウンロード ROHS3準拠 2,500 バッファ、反転 2 4 24ma 、24ma
TCR2EN15,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN15 0.3800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド 5.5V 修理済み 4-SDFN (0.8x0.8) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.5V - 1 0.37V @ 150ma - 現在の上
TB62215AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AFG 1.1500
RFQ
ECAD 8532 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -20°C〜150°C (TJ 汎用 表面マウント 28-BSOP (0.346 "、8.80mm + 2ヒートタブ TB62215 Power Mosfet 4.75v〜5.25V 28-HSOP ダウンロード ROHS準拠 3 (168 時間) ear99 8542.39.0001 1,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ(4) 3a 10V〜38V バイポーラ - 1、1/2、1/4
TCR2LF105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF105 0.3800
RFQ
ECAD 43 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LF テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C (TJ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR2LF105 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.05V - 1 1.4V @ 150ma - 現在の上
TCK425G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK425G、L3F 0.8500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 6-XFBGA 、WLCSP TCK425 非反転 確認されていません 2.7V〜28V 6-wcspg(0.8x1.2) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 5,000 シングル ハイサイド 1 nチャンネルmosfet 0.4V 、1.2V - -
TBD62083AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083AFNG 1.4000
RFQ
ECAD 1091 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 18-lssop( 0.173 "、幅4.40mm) - TBD62083 反転 nチャネル 1:1 18ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 2,000 必要ありません オン/オフ 8 - ローサイド - 50V (最大) 汎用 500mA
TBD62084AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62084AFWG 1.1900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 18-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) - TBD62084 反転 nチャネル 1:1 18ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 1,000 必要ありません オン/オフ 8 - ローサイド - 50V (最大) 汎用 500mA
TCR3DF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF19 0.0906
RFQ
ECAD 9523 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DF テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR3DF19 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 3,000 有効にする ポジティブ 300mA 1.9V - 1 0.4V @ 300MA 70dB イングラッシュ電流、電流、温度上
TB7102F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7102F (TE85L -
RFQ
ECAD 7840 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TB7102 5.5V 調整可能 PS-8(2.9x2.4) - 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 3,000 降圧 1 バック 1MHz ポジティブ はい 1a 0.8V 4.5V 2.7V
TB62214AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFG -
RFQ
ECAD 4503 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 -20°C〜150°C (TJ 汎用 表面マウント 28-BSOP (0.346 "、8.80mm + 2ヒートタブ TB62214 DMOS 4.75v〜5.25V 28-HSOP ダウンロード 3 (168 時間) ear99 8542.39.0001 1,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ(4) 2a 10V〜38V バイポーラ - 1、1/2、1/4
TCR3DM11,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM11 0.4800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-udfn露出パッド 5.5V 修理済み 4-dfn(1x1) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 10,000 有効にする ポジティブ 300mA 1.1V - 1 0.65V @ 300MA - 電流で、温度を超えます
TCR3DM18,RF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM18 0.4800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-udfn露出パッド 5.5V 修理済み 4-dfn(1x1) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 10,000 有効にする ポジティブ 300mA 1.8V - 1 0.38V @ 300MA - 電流で、温度を超えます
74VHC4052AFT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC4052aft 0.5100
RFQ
ECAD 14 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) 74VHC4052 2 16-TSSOPB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 2,500 230MHz SP4T 4:1 37OHM 5ohm 2V〜5.5V - 12ns、12ns - 0.5pf、13.1pf 100NA -45db @ 1MHz
TCR3RM33A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM33A 0.4600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3RM テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR3RM33 5.5V 修理済み 4-dfnc ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 10,000 12 µA 現在の制限、有効 ポジティブ 300mA 3.3V - 1 0.14V @ 300MA - 電流で、温度を超えます
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫