SIC
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ICS ）（2120）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 特徴 基本製品番号 入力タイプ 頻度 テクノロジー 現在 -供給 電圧 -入力（最大） 出力タイプ 方向 回路の数 比率 -入力：出力 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ ロジックタイプ 要素の数 要素ごとのビット数 電流 -出力が高く、低い 関数 現在 -静止（最大） スルーレート -3db帯域幅 現在 -出力 /チャネル アンプタイプ 帯域幅製品を獲得します 現在 -入力バイアス 電圧 -入力オフセット 電圧 -供給スパン（最小） 電圧 -供給スパン（最大） 入力数 i/oの数 コアプロセッサ コアサイズ スピード 接続性 周辺機器 プログラムメモリサイズ プログラムメモリタイプ eepromサイズ ラムサイズ 電圧 -供給（ vcc/vdd） データコンバーター オシレータータイプ スイッチ回路 Multiplexer/Demultiplexer回路 オンステートレジスタンス（最大） チャネル間マッチング（Δron） 電圧 -供給、シングル（ V+） 電圧 -供給、デュアル（ v±） スイッチ時間（トン、トフ）（最大） 充電注射 チャネル静電容量（CS （オフ）、CD （オフ）） 現在 -漏れ（は（オフ クロストーク インタフェース 出力数 電圧供給源 リセット タイミング カウントレート トリガータイプ Max Propagation Delay @ V 現在 -静止（IQ） 現在 -供給（最大） 入力ロジックレベル -低い 入力ロジックレベル -高 シュミットトリガー入力 回路 独立した回路 伝播遅延 内部スイッチ トポロジー 障害保護 制御機能 電圧 -供給（最大） 出力構成 現在 -出力 rds on（typ） 電圧 -負荷 モータータイプ -ステッパー モータータイプ-ac 、dc ステップ解決 調光 電圧 -供給（最小） 電圧 -出力 スイッチタイプ 現在 -出力（最大） 電圧 -min/固定） 電圧 -出力（最大） 規制当局の数 電圧ドロップアウト（最大） psrr 保護機能
TA58L08S,SUMISQ(M Toshiba Semiconductor and Storage ta58l08s -
RFQ
 ECAD 5777 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58L08 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 50 Ma - ポジティブ 250ma 8V - 1 0.4V @ 200mA - 電流で、温度を超えます
TC7SB66CFU,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SB66CFU 0.4500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 TC7SB66 1 USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 - SPST -NC 1：1 7ohm - 1.65V〜5.5V - 4NS 、4.5ns - 5pf 1µA -
TCR3UM30A,LF Toshiba Semiconductor and Storage tcr3um30a、lf -
RFQ
 ECAD 1903 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 tcr3um テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 4-udfn露出パッド TCR3UM30 5.5V 修理済み 4-dfn（1x1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 680 na 現在の制限、有効 ポジティブ 300mA 3V - 1 0.273V @ 300MA 70dB 電流で、温度を超えます
TAR5SB33(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5SB33 0.4600
RFQ
 ECAD 8980 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TAR5SB33 15V 修理済み SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 850 µA 有効にする ポジティブ 200mA 3.3V - 1 0.2V @ 50MA 70dB 電流で、温度を超えます
TCK22923G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22923G、LF 0.1675
RFQ
 ECAD 4602 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 6-ufbga、wlcsp 負荷放電、スルーレートが制御されます TCK22923 非反転 pチャネル 1：1 6-wcspe（0.80x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 必要ありません オン/オフ 1 逆電流 ハイサイド 25mohm 1.1V〜5.5V 汎用 2a
TB62D786FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62D786FTG 0.9553
RFQ
 ECAD 6622 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ - 表面マウント 24-VFQFN露出パッド リニア TB62D786 - 24-VQFN （4x4） - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 40ma 9 はい - 28V PWM 7V 28V
TCR2EN28,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN28、LF 0.0896
RFQ
 ECAD 1287 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2EN テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド TCR2EN28 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 2.8V - 1 0.21V @ 150ma 73dB 現在の上
TB67S149FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S149FG 3.6800
RFQ
 ECAD 970 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜85°C（Ta） 汎用 表面マウント 28ソップ（ 0.295 "、幅7.50mm + 2ヒートタブ TB67S149 Power Mosfet 4.75v〜5.25V 28-hssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（2） 3a 10V〜40V ユニポーラ - 1〜1/32
TA75W01FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage ta75w01fu 、lf 0.4400
RFQ
 ECAD 1999年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-TSSOP 、8-MSOP （0.110 "、2.80mm 幅） TA75W01 700µA - 2 8-SSOP ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.33.0001 3,000 - 40 Ma 汎用 300 kHz 45 Na 2 mv 3 v 12 v
TCR2EN35,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN35、LF -
RFQ
 ECAD 1876年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2EN テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド TCR2EN35 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 3.5V - 1 0.18V @ 150ma 73dB 現在の上
TCK22911G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22911G、LF 0.1675
RFQ
 ECAD 8653 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 6-ufbga、wlcsp 荷重放電 TCK22911 非反転 pチャネル 1：1 6-wcspe（0.80x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 必要ありません オン/オフ 1 uvlo ハイサイド 31mohm 1.1V〜5.5V 汎用 2a
TCR2EF40,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF40 0.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 tcr2ef テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR2EF40 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 4V - 1 0.2V @ 150ma 73dB 現在の上
TCR2LE15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE15 0.0742
RFQ
 ECAD 5651 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 tcr2le テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント SOT-553 TCR2LE15 5.5V 修理済み ESV ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.5V - 1 1.13V @ 150ma - 現在の上
TA78L005AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage ta78l005ap -
RFQ
 ECAD 8241 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L005 35V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 6 Ma - ポジティブ 150ma 5V - 1 1.7V @ 40ma（タイプ） 49db （120Hz） -
TCR2DG29,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG29、LF 0.1394
RFQ
 ECAD 4370 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2DG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-ufbga、wlcsp 5.5V 修理済み 4-wcsp（ 0.79x0.79） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 有効にする ポジティブ 200mA 2.9V - 1 0.12V @ 100MA - 電流で、温度を超えます
74HC02D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC02D 0.5700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 74hc テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 14-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） - 74HC02 4 2V〜6V 14-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,500 ゲートも 5.2ma 、5.2ma 1 µA 2 16ns @ 6V 、50pf 0.5V〜1.8V 1.5V〜4.2V
7UL1G02FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7UL1G02FU 、LF 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 7ul テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 - 7ul1g02 1 0.9V〜3.6V 5スソップ - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 ゲートも 8ma 、8ma 1 µA 2 4.4NS @ 3.3V 、30pf 0.1V〜0.4V 0.75V〜2.48V
TC74ACT245P Toshiba Semiconductor and Storage TC74ACT245P -
RFQ
 ECAD 2016年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 74ACT チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 20-dip （0.300 "、7.62mm） 74ACT245 - 3状態 4.5v〜5.5V 20ディップ - ROHS非準拠 1 （無制限） TC74ACT245P-NDR ear99 8542.39.0001 20 トランシーバー、非反転 1 8 24ma 、24ma
TC7SPB9306TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7SPB9306TU 、LF -
RFQ
 ECAD 3452 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TC7SP テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード バススイッチ TC7SPB9306 1.65V〜5V、2.3V〜5.5V UF6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 - 二重供給 1 x 1：1 1
TC74VHC393FT(EL,M) Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC393FT -
RFQ
 ECAD 4322 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TC74VHC テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 14-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） 74VHC393 上 2 V〜5.5 v 14-tssop ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 バイナリカウンター 2 4 非同期 - 170 MHz ネガティブエッジ
7UL1G02FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7UL1G02FS 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 7ul テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント SOT-953 - 7ul1g02 1 0.9V〜3.6V FSV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 ゲートも 8ma 、8ma 1 µA 2 4.4ns @ 3.6V 、30pf 0.1V〜0.4V 0.75V〜2.48V
TA58L09S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage Ta58L09S -
RFQ
 ECAD 8131 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58L09 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 50 Ma - ポジティブ 250ma 9V - 1 0.4V @ 200mA - 電流で、温度を超えます
TC7WH123FU(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH123FU （TE12L） -
RFQ
 ECAD 9738 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 7wh Digi-Reel® 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 8-TSSOP 、8-MSOP （0.110 "、2.80mm 幅） TC7WH123 2 V〜5.5 v 8-SSOP ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 単独可能 8ma 、8ma いいえ 1 10.3 ns
TC74AC32P Toshiba Semiconductor and Storage TC74AC32P -
RFQ
 ECAD 1124 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TC74AC チューブ 廃止 -40°C〜85°C 穴を通して 14-dip （0.300 "、7.62mm） - 74AC32 4 2V〜5.5V 14ディップ ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） TC74AC32P-NDR ear99 8542.39.0001 25 またはゲート 24ma 、24ma 4 µA 2 7.4ns @ 5V 、50pf 0.5V〜1.65V 1.5V〜3.85V
TB6605FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6605FTG 2.8700
RFQ
 ECAD 7876 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C（TA） 汎用 表面マウント 36-VFQFN露出パッド TB6605 bi-cmos 9V〜28V 36-vqfn （5x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 2,000 コントローラー -整流、方向管理 平行 プレドライバー -ハーフブリッジ（ 3） - - - dc （bldc） -
TA78L015AP,6FNCF(J Toshiba Semiconductor and Storage ta78l015ap -
RFQ
 ECAD 4631 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L015 35V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - ポジティブ 150ma 15V - 1 1.7V @ 40ma（タイプ） 40dB （120Hz） 電流で、温度を超えます
TA78L012AP,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage Ta78l012ap -
RFQ
 ECAD 4521 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L012 35V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - ポジティブ 150ma 12V - 1 1.7V @ 40ma（タイプ） 41db （120Hz） 現在の上
TB67S179FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S179FTG 、EL 3.1400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜150°C （TJ 汎用 表面マウント 48-VFQFN露出パッド TB67S179 Power Mosfet 4.75v〜5.25V 48-VQFN （7x7） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（4） 1.5a 10V〜60V ユニポーラ - 1〜1/32
TMPM330FDFG(C) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM330FDFG 5.0908
RFQ
 ECAD 2960 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TX03 トレイ アクティブ -20°C〜85°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp TMPM330 100-lqfp（14x14） ダウンロード ROHS準拠 3 （168 時間） 3A991A2 8542.31.0001 200 79 ARM®Cortex®M3 32ビットシングルコア 40MHz i²c、 sio、uart/usart por wdt 512kb （512k x 8） フラッシュ - 32k x 8 2.7V〜3.6V A/D 12x10B 外部の
TC7WH157FU(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH157FU （TE12L -
RFQ
 ECAD 7714 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 7wh Digi-Reel® 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 8-TSSOP 、8-MSOP （0.110 "、2.80mm 幅） マルチプレクサ TC7WH157 2V〜5.5V 8-SSOP ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 8ma 、8ma 単一の供給 4 x 2：1 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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