SIC
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ICS ）（2120）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 特徴 基本製品番号 入力タイプ 頻度 テクノロジー 電圧 -入力（最大） 出力タイプ 回路の数 比率 -入力：出力 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ ロジックタイプ 要素の数 要素ごとのビット数 電流 -出力が高く、低い 関数 現在 -静止（最大） 現在 -出力 /チャネル 入力数 i/oの数 コアプロセッサ コアサイズ スピード 接続性 周辺機器 プログラムメモリサイズ プログラムメモリタイプ eepromサイズ ラムサイズ 電圧 -供給（ vcc/vdd） データコンバーター オシレータータイプ インタフェース 出力数 Max Propagation Delay @ V 現在 -静止（IQ） 現在 -供給（最大） 入力ロジックレベル -低い 入力ロジックレベル -高 内部スイッチ トポロジー 周波数 -切り替え 障害保護 制御機能 電圧 -供給（最大） 出力構成 同期整流器 現在 -出力 rds on（typ） 電圧 -負荷 モータータイプ -ステッパー モータータイプ-ac 、dc ステップ解決 調光 電圧 -供給（最小） 電圧 -出力 スイッチタイプ 現在 -出力（最大） 電圧 -min/固定） 電圧 -出力（最大） 電圧 -入力（最小） 規制当局の数 電圧ドロップアウト（最大） psrr 保護機能
TBD62381APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62381APG 1.9400
RFQ
 ECAD 6671 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜85°C 穴を通して 18-dip（0.300 "、7.62mm） - TBD62381 - nチャネル 1：1 18ディップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 20 4.5v〜5.5V オン/オフ 8 - ローサイド 1OHM 0V〜50V 汎用 500mA
74HC165D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC165D 0.5900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 74hc テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 16-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 74HC165 相補的 2V〜6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,500 シフトレジスタ 1 8 並列またはシリアルからシリアル
TCR2DG21,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG21、LF 0.1394
RFQ
 ECAD 8943 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2DG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-ufbga、wlcsp 5.5V 修理済み 4-wcsp（ 0.79x0.79） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 有効にする ポジティブ 200mA 2.1V - 1 0.15V @ 100MA - 電流で、温度を超えます
TA58M10F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M10F （TE16L1 、NQ -
RFQ
 ECAD 2343 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C 表面マウント to-252-3 TA58M10 29V 修理済み pw-mold - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 1.2 Ma 80 Ma - ポジティブ 500mA 10V - 1 0.65V @ 500MA - 電流、温度上、逆極性
TCR5AM11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM11、LF 0.1344
RFQ
 ECAD 7752 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR5AM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR5AM11 5.5V 修理済み 5-dfnb（1.2x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA 有効にする ポジティブ 500mA 1.1V - 1 0.25V @ 500MA 70db〜40db（1kHz10Hz 電流、温度を超えて、電圧ロックアウト（ウブロ）
TC4001BFTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC4001Bftel 0.1309
RFQ
 ECAD 8549 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 4000b テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜85°C 表面マウント 14-SOIC（0.209 "、幅5.30mm） - TC4001 4 3V〜18V 14ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 ゲートも 3.4ma 、3.4ma 1 µA 2 80ns @ 15V 、50pf 1.5V〜4V 3.5V〜11V
TC7PZ05FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7PZ05FU 0.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TC7PZ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 ドレインを開いてください 7PZ05 2 1.65V〜5.5V US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 インバーター -、32ma 1 µA 2 3.5NS @ 5V 、50pf - -
TB67S269FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S269FTG、EL 2.8900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜150°C （TJ 汎用 表面マウント 48-wfqfn露出パッド TB67S269 Power Mosfet 4.75v〜5.25V 48-wqfn （7x7） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（4） 2a 10V〜47V バイポーラ - 1〜1/32
TCA62723FMG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TCA62723FMG、EL -
RFQ
 ECAD 9743 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） 廃止 -40°C〜85°C（タタ - 表面マウント 10-SMD 、フラットリード リニア TCA62723 - 10 ソン（3x3） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 150ma 3 はい - 5.5V - 2.7V -
TA58M06S,MTDQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58M06S -
RFQ
 ECAD 8463 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58M06 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 80 Ma - ポジティブ 500mA 6V - 1 0.65V @ 500MA - 電流、温度上、逆極性
TCR5AM105A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM105A 、LF 0.1344
RFQ
 ECAD 5403 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR5AM テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR5AM105 5.5V 修理済み 5-dfnb（1.2x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 有効にする ポジティブ 500mA 1.05V - 1 0.25V @ 500MA 70db〜40db（1kHz10Hz 電流、温度を超えて、電圧ロックアウト（ウブロ）
TCK207G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK207G 、LF 0.5400
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 4-XFBGA 、CSPBGA 負荷放電、スルーレートが制御されます TCK207 非反転 nチャネル 1：1 4-wcsp（ 0.90x0.90） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 必要ありません オン/オフ 1 逆電流 ハイサイド 18.1mohm 0.75V〜3.6V 汎用 2a
TB67S209FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S209FTG 1.6644
RFQ
 ECAD 2320 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜85°C 汎用 表面マウント 48-wfqfn露出パッド TB67S209 nmos、pmos 4.75v〜5.25V 48-wqfn （7x7） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（4） 3a 10V〜47V バイポーラ dc 1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32
TB62269FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62269FTG 2.2800
RFQ
 ECAD 2460 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜150°C （TJ 汎用 表面マウント 48-wfqfn露出パッド TB62269 Power Mosfet 4.75v〜5.25V 48-wqfn （7x7） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（4） 1.8a 10V〜38V バイポーラ - 1〜1/32
TB62213AHQ Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AHQ -
RFQ
 ECAD 3279 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ 廃止 -20°C〜150°C （TJ 汎用 穴を通して 25-sip形成リード TB62213 Power Mosfet 4.75v〜5.25V 25-hzip ダウンロード 1 （無制限） TB62213AHQ ear99 8542.39.0001 504 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（4） 2.4a 10V〜38V バイポーラ - 1、1/2、1/4
TCR3DF17,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF17 0.0906
RFQ
 ECAD 8478 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR3DF17 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 有効にする ポジティブ 300mA 1.7V - 1 0.47V @ 300MA 70dB イングラッシュ電流、電流、温度上
TMP86PM29BUG(C,JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP86PM29BUG -
RFQ
 ECAD 3291 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TLCS-870/c トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-LQFP TMP86 64-lqfp（10x10） - 3 （168 時間） TMP86PM29BUG ear99 8542.31.0001 1 39 - 8ビット 16MHz sio、uart/usart LCD 32kb（32k x 8） OTP - 1.5kx 8 1.8V〜5.5V A/D 8x10B 外部の
TCR3RM285A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM285A 0.4600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3RM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR3RM285 5.5V 修理済み 4-dfnc ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 12 µA 現在の制限、有効 ポジティブ 300mA 2.85V - 1 0.15V @ 300MA - 電流で、温度を超えます
TCR2LN28,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN28 、LF 0.3500
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LN テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 4-XFDFN露出パッド TCR2LN28 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 2.8V - 1 0.36V @ 150ma - 現在の上
TCR2EF14,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF14 0.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 tcr2ef テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR2EF14 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.4V - 1 0.42V @ 150ma 73dB 現在の上
TCK107G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK107G 、LF -
RFQ
 ECAD 1336 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 4-ufbga 負荷放電、スルーレートが制御されます TCK107 非反転 pチャネル 1：1 4-wcsp（ 0.79x0.79） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 必要ありません オン/オフ 1 - ハイサイド 49mohm 1.1V〜5.5V 汎用 1a
TCR3UF28A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF28A 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3UF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR3UF28 5.5V 修理済み SMV - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 680 na 有効にする ポジティブ 300mA 2.8V - 1 0.342V @ 300MA 70dB 電流で、温度を超えます
TCV7103AF(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7103AF （TE12L -
RFQ
 ECAD 5726 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 8-powertdfn TCV71 5.6V 調整可能 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 降圧 1 バック 1MHz ポジティブ はい 6a 0.8V 5.6V 2.7V
TB62218AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62218AFNG 1.4487
RFQ
 ECAD 9608 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜150°C （TJ 汎用 表面マウント 48-TFSOP （0.240 "、6.10mm 幅）露出したパッド TB62218 DMOS 4.75v〜5.25V 48-htssop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 1,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（4） 2a 10V〜38V バイポーラ - 1、1/2、1/4
74HC164D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC164D 0.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 74hc テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 14-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 74HC164 プッシュプル 2V〜6V 14ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,500 シフトレジスタ 1 8 シリアルからパラレル
TA58M05S(YNS,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage ta58m05s -
RFQ
 ECAD 2248 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58M05 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 80 Ma - ポジティブ 500µA 5V - 1 0.65V @ 500MA - 電流、温度上、逆極性
TCR2EF20,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF20 0.3300
RFQ
 ECAD 8680 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 tcr2ef テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR2EF20 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 2V - 1 0.31V @ 150ma 73dB 現在の上
TCR3UM33A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM33A 0.4700
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-udfn露出パッド 5.5V 修理済み 4-dfn（1x1） - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 680 na 現在の制限、有効 ポジティブ 300mA 3.3V - 1 0.273V @ 300MA - 電流で、温度を超えます
TB67S101ANG Toshiba Semiconductor and Storage TB67S101ANG 4.5000
RFQ
 ECAD 1512 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -20°C〜150°C （TJ 汎用 穴を通して 24-sdip（0.300 "、7.62mm） TB67S101 Power Mosfet 4.75v〜5.25V 24スディップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） TB67S101ANG ear99 8542.39.0001 20 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（4） 4a 10V〜47V バイポーラ - 1、1/2、1/4
TB6614FNG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6614FNG -
RFQ
 ECAD 4247 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -20°C〜85°C（Ta） 汎用 表面マウント 16-lssop（0.173 "、幅4.40mm） TB6614 Power Mosfet 2.7V〜5.5V 16ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（4） 1a 2.5V〜13.5V - dc -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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