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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 特徴 基本製品番号 入力タイプ 頻度 テクノロジー 現在 -供給 電圧 -入力 電圧 -入力(最大) 出力タイプ 温度係数 出力 回路の数 比率 -入力:出力 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ ロジックタイプ 要素の数 要素ごとのビット数 電流 -出力が高く、低い 関数 現在 -静止(最大) -3db帯域幅 現在 -出力 /チャネル 入力数 参照タイプ i/oの数 コアプロセッサ コアサイズ スピード 接続性 周辺機器 プログラムメモリサイズ プログラムメモリタイプ eepromサイズ ラムサイズ 電圧 -供給( vcc/vdd) データコンバーター オシレータータイプ スイッチ回路 Multiplexer/Demultiplexer回路 オンステートレジスタンス(最大) チャネル間マッチング(Δron) 電圧 -供給、シングル( V+) 電圧 -供給、デュアル( v±) スイッチ時間(トン、トフ)(最大) 充電注射 チャネル静電容量(CS (オフ)、CD (オフ)) 現在 -漏れ(は(オフ クロストーク インタフェース クロック周波数 出力数 リセット トリガータイプ Max Propagation Delay @ V 現在 -静止(IQ) 現在 -供給(最大) 入力容量 入力ロジックレベル -低い 入力ロジックレベル -高 内部スイッチ トポロジー 障害保護 制御機能 電圧 -供給(最大) 出力構成 現在 -出力 rds on(typ) 電圧 -負荷 モータータイプ -ステッパー モータータイプ-ac 、dc ステップ解決 調光 電圧 -供給(最小) 電圧 -出力 スイッチタイプ 現在 -出力(最大) 監視されている電圧の数 電圧 -しきい値 電圧 -min/固定) ノイズ-0.1Hz10Hz ノイズ-10Hz10kHz 電圧 -出力(最大) 規制当局の数 電圧ドロップアウト(最大) psrr 保護機能
TCR2EE30,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE30 0.3700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2EE テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SOT-553 TCR2EE30 5.5V 修理済み ESV ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 3V - 1 0.2V @ 150ma 73dB 現在の上
TMPM4G8F10FG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G8F10FG 12.7000
RFQ
ECAD 9925 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TX04 トレイ アクティブ -40°C〜70°C(タタ 表面マウント 100-lqfp TMPM4G8 100-lqfp(14x14) ダウンロード ROHS準拠 3 (168 時間) 3A991A2 8542.31.0001 60 122 ARM®Cortex®M4F 32ビットシングルコア 160MHz cec.ebi/emi DMA 、LVD 1MB(1M x 8) フラッシュ 32k x 8 192k x 8 2.7V〜3.6V A/D 16x12B; D/A 2x8B 内部
TMPM3HLFDAUG Toshiba Semiconductor and Storage tmpm3hlfdaug 8.5900
RFQ
ECAD 5132 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TXZ+ トレイ アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 64-LQFP 64-lqfp(10x10) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 264-tmpm3hlfdaug 160 57 ARM®Cortex®M3 32ビット 120MHz i²c、 spi、uart/usart DMA 、LVD 512kb (512k x 8) フラッシュ 32k x 8 64k x 8 2.7V〜5.5V A/D 12x12B SAR; D/A 2x8B 外部、内部
TA76432S,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S -
RFQ
ECAD 3650 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 - -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA76432 - - - - LSTM ダウンロード 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TA78L024AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage ta78l024ap -
RFQ
ECAD 7020 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L024 40V 修理済み LSTM ダウンロード 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - ポジティブ 150ma 24V - 1 1.7V @ 40ma(タイプ) 35db (120Hz) 現在の上
TCR2LF085,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF085 0.3800
RFQ
ECAD 40 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LF テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C (TJ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR2LF085 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 0.85V - 1 1.58V @ 150ma - 現在の上
TB62771FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62771FTG 1.5500
RFQ
ECAD 12 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ バックライト 表面マウント 20-wfqfn露出パッド DC DCレギュレーター TB62771 200kHz〜2MHz 20-wqfn (4x4) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 5,000 150ma 4 はい ステップアップ(ブースト) 40V PWM 4.75V 45V
TCR3RM28A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM28A 0.4600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3RM テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR3RM28 5.5V 修理済み 4-dfnc ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 10,000 12 µA 現在の制限、有効 ポジティブ 300mA 2.8V - 1 0.15V @ 300MA 100db〜68db(1khz1mhz 電流で、温度を超えます
TCR2EN105,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105 0.3800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド TCR2EN105 5.5V 修理済み 4-SDFN (0.8x0.8) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.05V - 1 0.75V @ 150ma - 現在の上
TC7WH08FK,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH08FK 、LJ CT 0.4200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TC7WH テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-VFSOP (0.091 "、幅2.30mm) - 7WH08 2 2V〜5.5V 8-SSOP ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 3,000 とゲート 8ma 、8ma 2 µA 2 7.9ns @ 5V 、50pf 0.5V 1.5V
TC7SET125F(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage TC7SET125F (TE85L f 0.4400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 tc7set テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TC7set125 - 3状態 4.5v〜5.5V SMV ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 3,000 バッファー、非反転 1 1 8ma 、8ma
TBD62781APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62781APG 1.9400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜85°C 穴を通して 18-dip(0.300 "、7.62mm) - TBD62781 非反転 pチャネル 1:1 18ディップ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 800 必要ありません オン/オフ 8 - ハイサイド 1.6ohm 50V (最大) 汎用 400mA
TCR5AM18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM18A 、LF 0.1357
RFQ
ECAD 2718 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR5AM テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C (TJ 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR5AM18 5.5V 修理済み 5-dfnb(1.2x1.2) ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 有効にする ポジティブ 500mA 1.8V - 1 0.43V @ 500MA 90dB 電流、温度を超えて、電圧ロックアウト(ウブロ)
TCK128AG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK128AG 、LF -
RFQ
ECAD 2792 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ TCK128 - 264-TCK128AG 、LFTR ear99 8542.39.0001 1
TC78H660FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H660FTG 、EL 1.1900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 汎用 表面マウント 16-VFQFN露出パッド TC78H660 DMOS 1.5v〜5.5V 16-VQFN(3x3) ダウンロード 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ - ハーフブリッジ(4) 2a 2.5V〜16V - dc -
TB62747AFNG,C8EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62747AFNG 、C8EL 1.0200
RFQ
ECAD 1951年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ - 表面マウント 24-lssop(0.220 "、5.60mm 幅) リニア TB62747 - 24ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.39.0001 2,000 45ma 16 はい シフトレジスタ 5.5V - 3V 26V
TB62777FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62777FNG、EL -
RFQ
ECAD 7013 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ - 表面マウント 16-lssop(0.173 "、幅4.40mm) リニア TB62777 - 16ソップ ダウンロード 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 2,000 40ma 8 はい シフトレジスタ 5.5V - 3V 25V
TB6593FNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage tb6593fng -
RFQ
ECAD 1555 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -20°C〜85°C(Ta) 汎用 表面マウント 20-lssop (0.173 "、幅4.40mm) TB6593 Power Mosfet 2.7V〜5.5V 20ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 2,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ PWM ハーフブリッジ(2) 1a 2.5V〜13.5V - dc -
TCR2EE15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE15 -
RFQ
ECAD 7280 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ(CT) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SOT-553 TCR2EE15 5.5V 修理済み ESV ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.5V - 1 - 73dB 現在の上
TC7SZ02F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ02F 、LJ ct 0.0721
RFQ
ECAD 7018 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TC7SZ テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 - 7SZ02 1 1.8V〜5.5V SMV ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 3,000 ゲートも 32MA、32MA 2 µA 2 4.3ns @ 5V 、50pf - -
TC4053BFTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC4053Bftel 0.1724
RFQ
ECAD 1016 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) TC4053 3 16-tssop ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 2,000 30MHz SPDT 2:1 160ohm 4ohm 3V〜18V - - - 0.2pf 、5pf 100NA -50dB @ 1.5MHz
TC78H621FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H621FNG、EL 1.7000
RFQ
ECAD 23 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -30°C〜85°C(TA) 汎用 表面マウント 16-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) TC78H621 DMOS 2.7V〜5.5V 16-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバ PWM プレドライバー -ハーフブリッジ(2) 1.1a 2.5V〜15V バイポーラ dc -
TCTH022BE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage tcth022be 0.5000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 tcth0xxxe テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント サーマル ドレインまたはオープンコレクターを開いてください - ROHS3準拠 1 (無制限) 4,000 - 1 0.5V
TA78L05F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ta78l05f (TE12L -
RFQ
ECAD 9629 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C 表面マウント TO-243AA TA78L05 35V 修理済み pw-mini ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 1,000 5.5 Ma 6 Ma - ポジティブ 150ma 5V - 1 - 49db (120Hz) 電流で、温度を超えます
TC62D902FG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D902FG 0.7648
RFQ
ECAD 4860 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 点灯 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) AC DCオフラインスイッチャー TC62D902 200kHz 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 2,500 - 1 いいえ フライバック 25V トライアック 1.8V 15V
TCR3UF18B,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF18B 0.4100
RFQ
ECAD 6777 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3UF テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR3UF18 5.5V 修理済み SMV - ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 3,000 680 na 有効にする ポジティブ 300mA 1.8V - 1 0.464V @ 300MA 70dB 電流で、温度を超えます
TCR3DG32,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG32 、LF 0.1054
RFQ
ECAD 4276 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DG テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 4-XFBGA 、CSPBGA TCR3DG32 5.5V 修理済み 4-wcspe(0.65x0.65) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 5,000 65 µA 78 µA - ポジティブ 300mA 3.2V - 1 0.215V @ 300MA 70dB 電流で、温度を超えます
TCK108AG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK108AG 、LF 0.4800
RFQ
ECAD 24 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 4-ufbga、wlcsp 負荷放電、スルーレートが制御されます TCK108 非反転 pチャネル 1:1 4-WCSPD (0.79x0.79 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 5,000 必要ありません オン/オフ 1 - ハイサイド 34mohm 1.1V〜5.5V 汎用 1a
TC74VHC574FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC574FK 0.2614
RFQ
ECAD 8415 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TC74VHC テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 20-VFSOP (0.118 "、幅3.00mm) dタイプ 74VHC574 3 つの状態、非反転 2V〜5.5V 20 vssop ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 2,500 1 8 8ma 、8ma 標準 115 MHz ポジティブエッジ 10.6ns @ 5V 、50pf 40 µA 4 pf
TMPM366FDXBG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM366FDXBG 5.3845
RFQ
ECAD 6774 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TX03 トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 109-TFBGA TMPM366 109-TFBGA (9x9) ダウンロード ROHS準拠 3 (168 時間) 3A991A2 8542.31.0001 200 74 ARM®Cortex®M3 32ビットシングルコア 48MHz i²c、 sio、uart/usart DMA 512kb (512k x 8) フラッシュ - 64k x 8 2.7V〜3.6V A/D 12x12B 内部
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫