SIC
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ICS ）（2120）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 特徴 基本製品番号 入力タイプ 頻度 テクノロジー 現在 -供給 電圧 -入力 電圧 -入力（最大） 出力タイプ 温度係数 回路の数 比率 -入力：出力 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ ロジックタイプ 要素の数 要素ごとのビット数 電流 -出力が高く、低い 関数 現在 -静止（最大） 現在 -出力 /チャネル 入力数 参照タイプ i/oの数 コアプロセッサ コアサイズ スピード 接続性 周辺機器 プログラムメモリサイズ プログラムメモリタイプ eepromサイズ ラムサイズ 電圧 -供給（ vcc/vdd） データコンバーター オシレータータイプ インタフェース 出力数 Max Propagation Delay @ V 現在 -静止（IQ） 入力ロジックレベル -低い 入力ロジックレベル -高 内部スイッチ トポロジー 周波数 -切り替え 障害保護 制御機能 電圧 -供給（最大） 出力構成 同期整流器 現在 -出力 rds on（typ） 電圧 -負荷 モータータイプ -ステッパー モータータイプ-ac 、dc ステップ解決 調光 電圧 -供給（最小） 電圧 -出力 スイッチタイプ 現在 -出力（最大） 電圧 -min/固定） ノイズ-0.1Hz10Hz ノイズ-10Hz10kHz 電圧 -出力（最大） 電圧 -入力（最小） 規制当局の数 電圧ドロップアウト（最大） psrr 保護機能
TB62262FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62262FTAG、EL 2.1700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜150°C （TJ アプライアンス 表面マウント 36-wfqfn露出パッド TB62262 Power Mosfet 4.75v〜5.25V 36-wqfn ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ PWM ハーフブリッジ（4） 800mA 10V〜35V バイポーラ dc 1、1/2、1/4
TCR3DG25,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG25 、LF 0.3900
RFQ
 ECAD 5877 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFBGA 、CSPBGA 5.5V 修理済み 4-wcspe（0.65x0.65） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 5,000 有効にする ポジティブ 300mA 2.5V - 1 0.275V @ 300MA 70dB 電流で、温度を超えます
TC7SH02FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH02FSTPL3 -
RFQ
 ECAD 2111 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TC7SH テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント SOT-953 - 7sh02 1 2V〜5.5V FSV - 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 ゲートも 8ma 、8ma 2 µA 2 7.5ns @ 5V 、50pf 0.5V 1.5V
TCR2EN12,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN12 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.2V - 1 0.55V @ 150ma - 現在の上
TA76431S,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S -
RFQ
 ECAD 5030 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA76431 - 調整可能 LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 - ポジティブ - 2.495V 36V 1 - - -
TB7110F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TB7110F （TE12L -
RFQ
 ECAD 2524 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 8-powertdfn TB7110 27V 調整可能 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 降圧 2 バック 500kHz ポジティブ いいえ 1.5a 、800ma 1.215V 24V 4.5V
TCR2DG33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG33、LF 0.5000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2DG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-ufbga、wlcsp TCR2DG33 5.5V 修理済み 4-wcsp（ 0.79x0.79） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA - ポジティブ 200mA 3.3V - 1 0.11V @ 100mA - イングラッシュ電流、電流、サーマルシャットダウン
TB9051FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9051FTG 8.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 自動車 表面マウント 28-POWERQFN TB9051 bi-cmos 4.5v〜5.5V 28-QFN （6x6） ダウンロード ROHS準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 3,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ PWM ハーフブリッジ（2） 6a - - dc -
TMPM368FDFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM368FDFG 12.0400
RFQ
 ECAD 5333 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TX03 トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp TMPM368 100-lqfp（14x14） ダウンロード ROHS準拠 3 （168 時間） 3A991A2 8542.31.0001 90 59 ARM®Cortex®M3 32ビットシングルコア 80MHz Canbus DMA 、LVD 512kb （512k x 8） フラッシュ - 128k x 8 2.7V〜3.6V A/D 8x12B; D/A 2x10B 外部の
TCR2EE30,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE30 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2EE テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SOT-553 TCR2EE30 5.5V 修理済み ESV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 3V - 1 0.2V @ 150ma 73dB 現在の上
TMPM4G8F10FG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G8F10FG 12.7000
RFQ
 ECAD 9925 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TX04 トレイ アクティブ -40°C〜70°C（タタ 表面マウント 100-lqfp TMPM4G8 100-lqfp（14x14） ダウンロード ROHS準拠 3 （168 時間） 3A991A2 8542.31.0001 60 122 ARM®Cortex®M4F 32ビットシングルコア 160MHz cec.ebi/emi DMA 、LVD 1MB（1M x 8） フラッシュ 32k x 8 192k x 8 2.7V〜3.6V A/D 16x12B; D/A 2x8B 内部
TMPM3HLFDAUG Toshiba Semiconductor and Storage tmpm3hlfdaug 8.5900
RFQ
 ECAD 5132 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TXZ+ トレイ アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 64-LQFP 64-lqfp（10x10） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 264-tmpm3hlfdaug 160 57 ARM®Cortex®M3 32ビット 120MHz i²c、 spi、uart/usart DMA 、LVD 512kb （512k x 8） フラッシュ 32k x 8 64k x 8 2.7V〜5.5V A/D 12x12B SAR; D/A 2x8B 外部、内部
TA76432S,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S -
RFQ
 ECAD 3650 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 - -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA76432 - - - - LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TA78L024AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage ta78l024ap -
RFQ
 ECAD 7020 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L024 40V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - ポジティブ 150ma 24V - 1 1.7V @ 40ma（タイプ） 35db （120Hz） 現在の上
TCR2LF085,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF085 0.3800
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR2LF085 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 0.85V - 1 1.58V @ 150ma - 現在の上
TBD62786APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62786APG 1.8200
RFQ
 ECAD 221 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜85°C 穴を通して 18-dip（0.300 "、7.62mm） - TBD62786 反転 pチャネル 1：1 18ディップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 20 2V〜50V オン/オフ 8 - ハイサイド 1.6ohm 0V〜50V 汎用 400mA
TB62771FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62771FTG 1.5500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ バックライト 表面マウント 20-wfqfn露出パッド DC DCレギュレーター TB62771 200kHz〜2MHz 20-wqfn （4x4） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 150ma 4 はい ステップアップ（ブースト） 40V PWM 4.75V 45V
TCR3RM28A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM28A 0.4600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3RM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR3RM28 5.5V 修理済み 4-dfnc ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 12 µA 現在の制限、有効 ポジティブ 300mA 2.8V - 1 0.15V @ 300MA 100db〜68db（1khz1mhz 電流で、温度を超えます
TCR2EN105,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド TCR2EN105 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.05V - 1 0.75V @ 150ma - 現在の上
74VHC05FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC05FT 0.4800
RFQ
 ECAD 1812年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 74VHC テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 14-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） ドレインを開いてください 74VHC05 6 2V〜5.5V 14-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,500 インバーター --8ma 2 µA 1 7.5ns @ 5V 、50pf 0.5V 1.5V
TC7WH08FK,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH08FK 、LJ CT 0.4200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TC7WH テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-VFSOP （0.091 "、幅2.30mm） - 7WH08 2 2V〜5.5V 8-SSOP ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 とゲート 8ma 、8ma 2 µA 2 7.9ns @ 5V 、50pf 0.5V 1.5V
TC7SET125F(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage TC7SET125F （TE85L f 0.4400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 tc7set テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TC7set125 - 3状態 4.5v〜5.5V SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 バッファー、非反転 1 1 8ma 、8ma
TBD62781APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62781APG 1.9400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜85°C 穴を通して 18-dip（0.300 "、7.62mm） - TBD62781 非反転 pチャネル 1：1 18ディップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 800 必要ありません オン/オフ 8 - ハイサイド 1.6ohm 50V （最大） 汎用 400mA
TCR5AM18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM18A 、LF 0.1357
RFQ
 ECAD 2718 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR5AM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR5AM18 5.5V 修理済み 5-dfnb（1.2x1.2） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 有効にする ポジティブ 500mA 1.8V - 1 0.43V @ 500MA 90dB 電流、温度を超えて、電圧ロックアウト（ウブロ）
TCK128AG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK128AG 、LF -
RFQ
 ECAD 2792 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ TCK128 - 264-TCK128AG 、LFTR ear99 8542.39.0001 1
TC78H660FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H660FTG 、EL 1.1900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 汎用 表面マウント 16-VFQFN露出パッド TC78H660 DMOS 1.5v〜5.5V 16-VQFN（3x3） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ - ハーフブリッジ（4） 2a 2.5V〜16V - dc -
TB62747AFNG,C8EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62747AFNG 、C8EL 1.0200
RFQ
 ECAD 1951年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ - 表面マウント 24-lssop（0.220 "、5.60mm 幅） リニア TB62747 - 24ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 2,000 45ma 16 はい シフトレジスタ 5.5V - 3V 26V
TB62777FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62777FNG、EL -
RFQ
 ECAD 7013 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ - 表面マウント 16-lssop（0.173 "、幅4.40mm） リニア TB62777 - 16ソップ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 40ma 8 はい シフトレジスタ 5.5V - 3V 25V
TB6593FNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage tb6593fng -
RFQ
 ECAD 1555 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜85°C（Ta） 汎用 表面マウント 20-lssop （0.173 "、幅4.40mm） TB6593 Power Mosfet 2.7V〜5.5V 20ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ PWM ハーフブリッジ（2） 1a 2.5V〜13.5V - dc -
TCR2EE15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE15 -
RFQ
 ECAD 7280 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SOT-553 TCR2EE15 5.5V 修理済み ESV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.5V - 1 - 73dB 現在の上
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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