画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | アプリケーション | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 関数 | 基準 | 制御インターフェイス | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MB85RS1MTPW-G-APEWE1 | 6.0900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XFBGA 、WLCSP | MB85RS1 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8-wlp(2.28x3.09) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 40 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラム | 128k x 8 | spi | - | |||||||
![]() | MB85RS256BPNF-G-JNERE1 | 4.2900 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RS256 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 33 MHz | 不揮発性 | 256kbit | フラム | 32k x 8 | spi | - | |||||||
![]() | MB85RS16PNF-G-JNERE1 | 1.1709 | ![]() | 9673 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RS16 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 20 MHz | 不揮発性 | 16kbit | フラム | 2k x 8 | spi | - | |||||||
MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 | 3.9700 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Kaga Fei America | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RS256 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8ソップ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 33 MHz | 不揮発性 | 256kbit | フラム | 32k x 8 | spi | - | |||||||||
![]() | MB85RS512TPNF-G-JNERE1 | 5.6800 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RS512 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 30 MHz | 不揮発性 | 512kbit | フラム | 64k x 8 | spi | - | |||||||
![]() | MB85RC16VPNF-G-AWE2 | 1.1187 | ![]() | 1144 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RC16 | フラム(強誘電性ラム) | 3V〜5.5V | 8ソップ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 865-MB85RC16VPNF-G-AWE2 | ear99 | 8542.32.0071 | 85 | 1 MHz | 不揮発性 | 16kbit | 550 ns | フラム | 2k x 8 | i²c | - | ||||||
![]() | MB85RS4MLYPN-GS-AWEWE1 | 7.0974 | ![]() | 3893 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | MB85RS4 | フラム(強誘電性ラム) | 1.7V〜1.95V | 8-dfn | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 865-MB85RS4MLYPN-GS-AWEWE1TR | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 50 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 9 ns | フラム | 512k x 8 | spi | - | ||||||
![]() | MB85RS2MLYPN-G-AWEWE1 | 4.9893 | ![]() | 6381 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | MB85RS2 | フラム(強誘電性ラム) | 1.7V〜1.95V | 8-dfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 50 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラム | 256k x 8 | spi | - | ||||||||
MB85AS8MTPWG-KBCERE1 | - | ![]() | 3445 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 11-xfbga 、wlbga | MB85AS8 | レラム(抵抗ラム) | 1.6V〜3.6V | 11-wlp(2.07x2.88) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 865-MB85AS8MTPWG-KBCERE1TR | ear99 | 8542.32.0071 | 10,000 | 10 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 35 ns | ラム | 1m x 8 | spi | 10ms | |||||||
![]() | MB85RC64APNF-G-JNE1 | 2.2200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | チューブ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RC64 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 47 | 1 MHz | 不揮発性 | 64kbit | 550 ns | フラム | 8k x 8 | i²c | - | ||||||
![]() | MB85RS64TPN-G-MAMEWE1 | 1.9200 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wfdfn露出パッド | MB85RS64 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8 ソン(2x3) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 10 MHz | 不揮発性 | 64kbit | フラム | 8k x 8 | spi | - | ||||||||
MB85RS4MTPF-G-JNE2 | - | ![]() | 8471 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | MB85RS4 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 865-MB85RS4MTPF-G-JNE2 | ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 40 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 9 ns | フラム | 512k x 8 | spi | - | |||||||
![]() | MB85RS64Vypn-G-amewe1 | 1.5749 | ![]() | 6525 | 0.00000000 | Kaga Fei America | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | MB85RS64 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜5.5V | 8-dfn | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 33 MHz | 不揮発性 | 64kbit | フラム | 8k x 8 | spi | - | ||||||||
![]() | MB85RC16PNF-G-JNERE1 | 1.0873 | ![]() | 5317 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RC16 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 1 MHz | 不揮発性 | 16kbit | 550 ns | フラム | 2k x 8 | i²c | - | |||||||
MB85RS2MTYPNF-GS-AWERE2 | 5.4170 | ![]() | 2852 | 0.00000000 | Kaga Fei America | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RS2 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8ソップ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 50 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラム | 256k x 8 | spi | - | |||||||||
MB85RS256TYPNF-G-AWERE2 | - | ![]() | 7957 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RS256 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8ソップ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 865-MB85RS256TYPNF-G-AWERE2TR | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 33 MHz | 不揮発性 | 256kbit | フラム | 32k x 8 | spi | - | ||||||||
![]() | MB85RC16PN-G-AMERE1 | 0.9200 | ![]() | 3672 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wfdfn露出パッド | MB85RC16 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜3.6V | 8 ソン(2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 1 MHz | 不揮発性 | 16kbit | 550 ns | フラム | 2k x 8 | i²c | - | ||||||
![]() | MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 | 1.1709 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RC16 | フラム(強誘電性ラム) | 3V〜5.5V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 1 MHz | 不揮発性 | 16kbit | 550 ns | フラム | 2k x 8 | i²c | - | ||||||
MB85RC256VPF-G-JNE2 | - | ![]() | 1685 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | MB85RC256 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜5.5V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 865-MB85RC256VPF-G-JNE2 | ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 1 MHz | 不揮発性 | 256kbit | 550 ns | フラム | 32k x 8 | i²c | - | |||||||
![]() | MB85RS64TPNF-G-JNERE2 | 2.2200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RS64 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8ソップ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 10 MHz | 不揮発性 | 64kbit | フラム | 8k x 8 | spi | - | ||||||||
![]() | MB85RS2MTAPF-G-BCERE1 | 6.8425 | ![]() | 1189 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RS2 | フラム(強誘電性ラム) | 1.7V〜3.6V | 8ソップ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 865-MB85RS2MTAPF-G-BCERE1TR | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 40 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 9 ns | フラム | 256k x 8 | spi | 400µs | ||||||
MB85RC256VPF-G-BCE1 | 3.2589 | ![]() | 3046 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | MB85RC256 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜5.5V | 8ソップ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 865-MB85RC256VPF-G-BCE1 | ear99 | 8542.32.0071 | 80 | 1 MHz | 不揮発性 | 256kbit | 550 ns | フラム | 32k x 8 | i²c | - | |||||||
![]() | MB85RS64VYPNF-GS-AWERE2 | 1.6536 | ![]() | 6799 | 0.00000000 | Kaga Fei America | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-wfdfn露出パッド | MB85RS64 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜5.5V | 8 ソン(2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 865-MB85RS64VYPNF-GS-AWERE2TR | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 33 MHz | 不揮発性 | 64kbit | 13 ns | フラム | 8k x 8 | spi | - | ||||||
![]() | MB85RS16NPN-G-AMEWE1 | 1.3500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wfdfn露出パッド | MB85RS16 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜3.6V | 8 ソン(2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 20 MHz | 不揮発性 | 16kbit | フラム | 2k x 8 | spi | - | |||||||
MB85RS2MTPF-G-JNE2 | - | ![]() | 7319 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | MB85RS2 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 865-MB85RS2MTPF-G-JNE2 | ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 25 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラム | 256k x 8 | spi | - | ||||||||
![]() | MB85R8M1TABGL | - | ![]() | 6618 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | トレイ | アクティブ | - | 865-MB85R8M1TABGL | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | MB86276PB-GS-K5ZE1 | 26.4400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | トレイ | 廃止 | プロのビデオ | 表面マウント | 256-BBGA | MB86276 | 1.8V〜3.3V | 256-PBGA (27x27) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 70 | コントローラ | - | gpio、i²c、シリアル | ||||||||||||
MB86297APBH-GSE1 | 55.8775 | ![]() | 1845年 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | トレイ | アクティブ | プロのビデオ | 表面マウント | 543-BGA | MB86297 | 1.8V〜3.3V | 543-TEBGA (27x27) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 20 | コントローラ | - | gpio、i²c、シリアル | |||||||||||||
![]() | MB85AS8MTPF-G-KBERE1 | - | ![]() | 5255 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | MB85AS8 | レラム(抵抗ラム) | 1.6V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 10 MHz | 不揮発性 | 8mbit | ラム | 1m x 8 | spi | 10ms | ||||||||
![]() | MB85RS1MTPNF-G-AWERE2 | 3.9768 | ![]() | 7402 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8ソップ | - | 3 (168 時間) | 865-MB85RS1MTPNF-G-AWERE2TR | 1,500 | 40 MHz | 不揮発性 | 1mbit | 9 ns | フラム | 128k x 8 | spi | - |
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