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製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	テクノロジー	現在 -供給	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	入力数	インタフェース	クロック周波数	近接検出	解決	LEDドライバーチャネル	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS46R16320E-6TLA2-TR	8.5950	RFQ	6671	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		IS46R16320	SDRAM -DDR		2.3V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	1,500			166 MHz				揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	32m x 16	平行	15ns
IS43TR85120BL-107MBL	-	RFQ	6621	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-TFBGA		IS43TR85120	SDRAM -DDR3L		1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS43TR85120BL-107MBL	ear99	8542.32.0036	220			933 MHz				揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	512m x 8	平行	15ns
IS42VM16800H-6BLI-TR	4.0039	RFQ	5920	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TFBGA		IS42VM16800	sdram-モバイル		1.7V〜1.95V	54-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0002	2,500			166 MHz				揮発性	128mbit	5.5 ns	ドラム	8m x 16	平行	-
IS22TF08G-JCLA2-TR	17.3565	RFQ	5280	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	153-VFBGA			フラッシュ-Nand （PSLC）		2.7V〜3.6V	153-VFBGA （11.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS22TF08G-JCLA2-TR			2,000			200 MHz				不揮発性	64gbit		フラッシュ	8g x 8	EMMC_5.1	-
IS64WV5128EDBLL-10BLA3	7.6120	RFQ	1073	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	36-tfbga		IS64WV5128	sram-非同期		2.4V〜3.6V	36-tfbga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	480							揮発性	4mbit	10 ns	sram	512k x 8	平行	10ns
IS42S86400D-6TLI	14.8881	RFQ	8048	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	新しいデザインではありません	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		IS42S86400	SDRAM		3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	108			166 MHz				揮発性	512mbit	5.4 ns	ドラム	64m x 8	平行	-
IS62WV1288DBLL-45QLI	-	RFQ	7442	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	32-SOIC （0.445 "、幅11.30mm）		IS62WV1288	sram-非同期		2.3V〜3.6V	32ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	84							揮発性	1mbit	45 ns	sram	128k x 8	平行	45ns
IS25LP256D-JMLE	-	RFQ	2458	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）		IS25LP256	フラッシュ -		2.3V〜3.6V	16-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	44			133 MHz				不揮発性	256mbit		フラッシュ	32m x 8	spi -quad i/o	800µs
IS46TR16640CL-107MBLA3	-	RFQ	1882年年	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	トレイ	アクティブ	-40°C〜125°C	表面マウント	96-TFBGA		IS46TR16640	SDRAM -DDR3L		1.283V〜1.45V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS46TR16640CL-107MBLA3	ear99	8542.32.0032	190			933 MHz				揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS42SM16320E-75BLI-TR	10.0800	RFQ	1616	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TFBGA		IS42SM16320	sdram-モバイル		3V〜3.6V	54-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	2,500			133 MHz				揮発性	512mbit	6 ns	ドラム	32m x 16	平行	-
IS43LR32320B-6BLI-TR	10.5000	RFQ	7385	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-lfbga		IS43LR32320	sdram- lpddr		1.7V〜1.95V	90-lfbga （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	2,500			166 MHz				揮発性	64mbit	5.5 ns	ドラム	2m x 32	平行	15ns
IS62WV12816DBLL-45TLI	-	RFQ	6241	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		IS62WV12816	sram-非同期		2.5V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	135							揮発性	2mbit	45 ns	sram	128k x 16	平行	45ns
IS43LD32640B-25BL	9.8057	RFQ	5233	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	134-TFBGA		IS43LD32640	SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4		1.14V〜1.95V	134-TFBGA （10x11.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	171			400 MHz				揮発性	2Gbit		ドラム	64m x 32	平行	15ns
IS63LV1024L-12J-TR	-	RFQ	4081	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	32-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm）		IS63LV1024	sram-非同期		3V〜3.6V	32-SOJ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2B	8542.32.0041	1,000							揮発性	1mbit	12 ns	sram	128k x 8	平行	12ns
IS43TR81280CL-107MBLI	3.9237	RFQ	5085	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-TFBGA			SDRAM -DDR3L		1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43TR81280CL-107MBLI			242			933 MHz				揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	128m x 8	平行	15ns
IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR	3.2797	RFQ	2905	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	36-bsoj（0.400 "、10.16mm 幅）		IS61WV5128	sram-非同期		2.4V〜3.6V	36-SOJ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	800							揮発性	4mbit	10 ns	sram	512k x 8	平行	10ns
IS22TF08G-JCLA1	20.3738	RFQ	6874	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	153-VFBGA		IS22TF08	フラッシュ-Nand （PSLC）		2.7V〜3.6V	153-VFBGA （11.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS22TF08G-JCLA1	3A991B1A	8542.32.0071	152			200 MHz				不揮発性	64gbit		フラッシュ	8g x 8	MMC	-
IS61LPS51236A-250B3LI	-	RFQ	2556	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	165-TBGA		IS61LPS51236	sram- sdr		3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	144			250 MHz				揮発性	18mbit	2.6 ns	sram	512K x 36	平行	-
IS43R16320E-5BI	-	RFQ	8005	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	60-TFBGA		IS43R16320	SDRAM -DDR		2.3V〜2.7V	60-tfbga （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS43R16320E-5BI	廃止		190			200 MHz				揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	32m x 16	平行	15ns
IS66WVQ2M4DALL-200BLI	3.0900	RFQ	480	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	24-tbga		IS66WVQ2M4	psram（pseudo sram		1.7V〜1.95V	24-tfbga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS66WVQ2M4DALL-200BLI	3A991B2A	8542.32.0041	480			200 MHz				揮発性	8mbit		psram	2m x 4	spi -quad i/o	40ns
IS62WV1288BLL-55HLI-TR	1.6344	RFQ	3602	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	32-TFSOP （0.465 "、11.80mm 幅）		IS62WV1288	sram-非同期		2.5V〜3.6V	32 stsop i	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	2,000							揮発性	1mbit	55 ns	sram	128k x 8	平行	55ns
IS43TR16K01S2AL-125KBL	37.1200	RFQ	5664	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	96-LFBGA		IS43TR16	SDRAM -DDR3L		1.283V〜1.45V	96-LWBGA （10x14	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS43TR16K01S2AL-125KBL	ear99	8542.32.0036	136			800 MHz				揮発性	16gbit	20 ns	ドラム	1g x 16	平行	15ns
IS43R86400D-6TL-TR	5.1123	RFQ	3211	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		IS43R86400	SDRAM -DDR		2.3V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	1,500			166 MHz				揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	64m x 8	平行	15ns
IS32SE5118-ZNLA3-TR	-	RFQ	3399	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜125°C	表面マウント	16-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）	ボタン			50µA	2.35V〜5.5V	16-tssop	ダウンロード		3 （168 時間）					2,500	最大8	i²c		はい	-	最大8
IS49NLC96400-3333	-	RFQ	5663	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	144-TFBGA		IS49NLC96400	rldram 2		1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	104			300 MHz				揮発性	576mbit	20 ns	ドラム	64m x 9	平行	-
IS46TR16256B-125KBLA2-TR	8.8477	RFQ	3097	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	96-TFBGA		IS46TR16256	SDRAM -DDR3		1.425V〜1.575V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS46TR16256B-125KBLA2-TR	ear99	8542.32.0036	1,500			800 MHz				揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	256m x 16	平行	15ns
IS61NLP204818B-250B3L	94.1664	RFQ	8722	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-TBGA		IS61NLP204818	sram- sdr		3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	144			250 MHz				揮発性	36mbit	2.8 ns	sram	2m x 18	平行	-
IS66WVS4M8BLL-104NLI	3.6600	RFQ	279	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		IS66WVS4M8	psram（pseudo sram		2.7V〜3.6V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS66WVS4M8BLL-104NLI	3A991B2A	8542.32.0041	100			104 MHz				揮発性	32mbit	7 ns	psram	4m x 8	spi、qpi	-
IS61WV102416DALL-12TLI	11.2746	RFQ	9134	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）			sram-非同期		1.65V〜2.2V	48-tsop i	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS61WV102416DALL-12TLI			96							揮発性	16mbit	12 ns	sram	1m x 16	平行	12ns
IS61LV12824-8BL	-	RFQ	8252	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	119-BGA		IS61LV12824	sram-非同期		3.135V〜3.63V	119-PBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	84							揮発性	3mbit	8 ns	sram	128k x 24	平行	8ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ICS ）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²