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ICS ）（5782）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
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IS61LV25616AL-10TL	4.1800	RFQ	1	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS61LV25616	sram-非同期	3.135V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	135		揮発性	4mbit	10 ns	sram	256k x 16	平行	10ns
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IS49rl36320-093fbli	138.7184	RFQ	4201	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	168-lbga		rldram 3	1.28V〜1.42V	168-FBGA（13.5x13.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS49RL36320-093FBLI			119	1.066 GHz	揮発性	1.152gbit	7.5 ns	ドラム	32m x 36	平行	-
IS49NLC93200-3333	-	RFQ	7787	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	144-TFBGA	IS49NLC93200	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	104	300 MHz	揮発性	288mbit	20 ns	ドラム	32m x 9	平行	-
IS43TR16640A-125JBLI	-	RFQ	1819年	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	190	800 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS25WP128-JMLE	-	RFQ	1976年年	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	IS25WP128	フラッシュ -	1.65V〜1.95V	16-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	44	133 MHz	不揮発性	128mbit		フラッシュ	16m x 8	spi -quad i/o	800µs
IS42S32400B-7TLI-TR	-	RFQ	4511	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S32400	SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	1,500	143 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 32	平行	-
IS42S32200E-6BL-TR	-	RFQ	2382	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	90-TFBGA	IS42S32200	SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	揮発性	64mbit	5.5 ns	ドラム	2m x 32	平行	-
IS43TR16512S2DL-125KBL	19.9774	RFQ	4297	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	トレイ	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-LFBGA	IS43TR16512	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-LWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS43TR16512S2DL-125KBL	ear99	8542.32.0036	190	800 MHz	揮発性	8gbit	20 ns	ドラム	512m x 16	平行	15ns
IS43LR32400G-6BLI	5.0116	RFQ	7825	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA	IS43LR32400	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	240	166 MHz	揮発性	128mbit	5.5 ns	ドラム	4m x 32	平行	15ns
IS61WV6416BLL-12BLI	1.9868	RFQ	9565	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA	IS61Wv6416	sram-非同期	3V〜3.6V	48-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2B	8542.32.0041	480		揮発性	1mbit	12 ns	sram	64k x 16	平行	12ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ICS ）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²