SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー sicプログラム可能 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS61WV6416DBLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416DBLL-10BLI 2.6277
RFQ
ECAD 9841 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA IS61Wv6416 sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 480 揮発性 1mbit 10 ns sram 64k x 16 平行 10ns
IS42S16160G-6BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-6BI-TR -
RFQ
ECAD 5480 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42S16160 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS46LQ32128AL-062BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32128AL-062BLA1 -
RFQ
ECAD 9825 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 200-WFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-VFBGA (10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS46LQ32128AL-062BLA1 136 1.6 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 128m x 32 LVSTL 18ns
IS46R16320E-5BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320E-5BLA1-TR 7.7700
RFQ
ECAD 2347 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-TFBGA IS46R16320 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-tfbga (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,500 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS62WV102416BLL-25MLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416BLL-25MLI 19.3315
RFQ
ECAD 6265 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA IS62WV102416 sram-非同期 1.65v〜3.6V 48-minibga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 210 揮発性 16mbit 25 ns sram 1m x 16 平行 25ns
IS49RL36160-125BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36160-125BLI -
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ECAD 5866 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 168-lbga IS49RL36160 ドラム 1.28V〜1.42V 168-FBGA(13.5x13.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 119 800 MHz 揮発性 576mbit 12 ns ドラム 16m x 36 平行 -
IS43QR16256A-083RBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16256A-083RBLI -
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ECAD 2319 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA IS43QR16256 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-1474 ear99 8542.32.0036 50 1.2 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 平行 -
IS43LR32200C-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32200C-6BLI-TR 3.3227
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ECAD 7355 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-TFBGA IS43LR32200 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 15ns
IS25WP128-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128-JLLE 2.9500
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ECAD 11 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-wdfn露出パッド IS25WP128 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-wson (8x6) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS42VM32160E-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32160E-6BLI-TR 9.3900
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ECAD 8479 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42VM32160 sdram-モバイル 1.7V〜1.95V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 166 MHz 揮発性 512mbit 5.5 ns ドラム 16m x 32 平行 -
IS41LV16100B-50KL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100B-50KL-TR -
RFQ
ECAD 4094 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 42-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) IS41LV16100 ドラム -江戸 3V〜3.6V 42-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 揮発性 16mbit 25 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS42S16800D-75EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800D-75EBLI -
RFQ
ECAD 6633 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-VFBGA IS42S16800 SDRAM 3V〜3.6V 54-minibga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 240 133 MHz 揮発性 128mbit 6.5 ns ドラム 8m x 16 平行 -
IS45S16160J-7CTLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160J-7CTLA2-TR 5.0808
RFQ
ECAD 1152 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS45S16160 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS42S16400J-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-5TL-TR 1.6078
RFQ
ECAD 6051 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S16400 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 200 MHz 揮発性 64mbit 4.8 ns ドラム 4m x 16 平行 -
IS61WV102416EDBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416EDBLL-10TLI 12.4385
RFQ
ECAD 3749 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) IS61WV102416 sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 96 揮発性 16mbit 10 ns sram 1m x 16 平行 10ns
IS42S32200C1-7TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-7TI -
RFQ
ECAD 1715 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S32200 SDRAM 3.15V〜3.45V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 143 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 -
IS25WP032-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032-JBLE -
RFQ
ECAD 5139 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) IS25WP032 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 不揮発性 32mbit 7 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS64WV51216BLL-10MLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216BLL-10MLA3 18.0792
RFQ
ECAD 6399 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA IS64WV51216 sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-minibga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 210 揮発性 8mbit 10 ns sram 512K x 16 平行 10ns
IS43R86400E-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-5BLI -
RFQ
ECAD 5738 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-TFBGA IS43R86400 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-tfbga (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 190 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
IS46DR16128C-3DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16128C-3DBLA2-TR 14.3700
RFQ
ECAD 8923 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 84-TFBGA IS46DR16128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA (8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,500 333 MHz 揮発性 2Gbit 450 PS ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS61VPS204836B-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS204836B-250M3L 114.4066
RFQ
ECAD 2270 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 165-lbga IS61VPS204836 sram- sdr 2.375V〜2.625V 165-lfbga(15x17) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 MHz 揮発性 72mbit 2.8 ns sram 2m x 36 平行 -
IS61LF51236B-7.5B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236B-7.5B3li 16.3574
RFQ
ECAD 9779 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 165-TBGA IS61LF51236 sram- sdr 確認されていません 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 144 117 MHz 揮発性 18mbit 7.5 ns sram 512K x 36 平行 -
IS42S16160J-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-7TLI-TR 2.8125
RFQ
ECAD 2320 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S16160 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS34ML01G081-BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML01G081-BLI 5.3600
RFQ
ECAD 194 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 63-VFBGA IS34ML01 フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 63-VFBGA (9x11) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-1629 3A991B1A 8542.32.0071 220 不揮発性 1gbit 25 ns フラッシュ 128m x 8 平行 25ns
IS49NLC36800-25EWBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800-25EWBLI -
RFQ
ECAD 8063 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 144-TFBGA IS49NLC36800 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-TWBGA (11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 104 400 MHz 揮発性 288mbit 15 ns ドラム 8m x 36 平行 -
IS25WP064A-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP064A-JBLE-TR 1.2600
RFQ
ECAD 4344 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) IS25WP064 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS49NLC18320-33B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18320-33B -
RFQ
ECAD 8572 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 144-TFBGA IS49NLC18320 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA (11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 104 300 MHz 揮発性 576mbit 20 ns ドラム 32m x 18 平行 -
IS62WV20488BLL-25MLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2048888BLL-25MLI 19.3315
RFQ
ECAD 1324 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA IS62WV20488 sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-minibga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 210 揮発性 16mbit 25 ns sram 2m x 8 平行 25ns
IS46TR16256AL-15HBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256AL-15HBLA1-TR -
RFQ
ECAD 8128 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 667 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
IS61DDB44M18A-300M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB44M18A-300M3L 74.4172
RFQ
ECAD 4982 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 165-lbga IS61DDB44 sram- ddr ii 1.71V〜1.89V 165-lfbga(15x17) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0002 105 300 MHz 揮発性 72mbit sram 4m x 18 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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