画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS43QR8K02S2A-083TBL | 52.9300 | ![]() | 7798 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | * | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43QR8K02S2A-083TBL | 136 | |||||||||||||||||||
![]() | IS61QDB451236A-250M3L | 32.3796 | ![]() | 2570 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | IS61QDB451236 | sram- 同期、クワッド | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga(15x17) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | 1.8 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS43LR32200B-6BLI-TR | - | ![]() | 7464 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS43LR32200 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.5 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS42S16160D-6BLI | - | ![]() | 3237 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TW-BGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS42VM32400G-6BL-TR | - | ![]() | 6340 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42VM32400 | sdram-モバイル | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.5 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS49rl36160-093ebli | - | ![]() | 8634 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 168-lbga | IS49RL36160 | ドラム | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA(13.5x13.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 119 | 1.066 GHz | 揮発性 | 576mbit | 8 ns | ドラム | 16m x 36 | 平行 | - | ||
IS43LR16200D-6BL-TR | 2.5043 | ![]() | 6578 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43LR16200 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 166 MHz | 揮発性 | 32mbit | 5.5 ns | ドラム | 2m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | IS61LF25636B-7.5TQLI-TR | 11.4000 | ![]() | 2079 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LF25636 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | 揮発性 | 9mbit | 7.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS62WV25616EALL-55TI-TR | - | ![]() | 9919 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS62WV25616 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 55ns | |||
![]() | IS43TR16128AL-125KBL | - | ![]() | 4333 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1201 | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |
![]() | IS46LD32640B-18BLA2-TR | - | ![]() | 7597 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | 前回購入します | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 134-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-TFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46LD32640B-18BLA2-TR | 1 | 533 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5.5 ns | ドラム | 64m x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||||
![]() | IS25LP128F-RMLE-TY | 2.1931 | ![]() | 1550 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS25LP128F-RMLE-TY | 176 | 166 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 40µs 、800µs | |||||
![]() | IS49NLC36160A-25WBL | 47.1690 | ![]() | 1478 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 144-TFBGA | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-TWBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS49NLC36160A-25WBL | 104 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 16m x 36 | HSTL | - | ||||
![]() | IS42S32400E-6BLI | - | ![]() | 1739 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS46TR16256AL-125KBLA1-TR | - | ![]() | 5559 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16256 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | ||
IS25LP010E-JYLE-TR | 0.3100 | ![]() | 5802 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | IS25LP010 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS25LP010E-JYLE-TR | ear99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 1mbit | 8 ns | フラッシュ | 128k x 8 | spi -quad i/o | 1.2ms | ||
![]() | IS46TR16640B-107MBLA2 | - | ![]() | 9474 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46TR16640B-107MBLA2 | ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |
![]() | IS61WV102416ALL-20MI | - | ![]() | 6995 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS61WV102416 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 48-minibga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 220 | 揮発性 | 16mbit | 20 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 20ns | |||
![]() | IS61NLF51236B-6.5TQLI-TR | 13.2194 | ![]() | 3584 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | sram- zbt | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS61NLF51236B-6.5TQLI-TR | 800 | 133 MHz | 揮発性 | 18mbit | 6.5 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | IS61Lv6416-10bi | - | ![]() | 3715 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS61Lv6416 | sram-非同期 | 3.135V〜3.63V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS61LV6416-10BI | 廃止 | 480 | 揮発性 | 1mbit | 10 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 10ns | |||
![]() | IS61WV5128FBLL-10BLI | 3.1286 | ![]() | 7937 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 36-tfbga | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 36-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS61WV5128FBLL-10BLI | 480 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 10ns | ||||||
![]() | IS42RM32100D-6BLI | 2.5829 | ![]() | 9451 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42RM32100 | sdram-モバイル | 2.3V〜2.7V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 166 MHz | 揮発性 | 32mbit | 5.5 ns | ドラム | 1M x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS43QR85120B-075UBL | 10.1363 | ![]() | 4346 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-TWBGA (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43QR85120B-075UBL | 136 | 1.333 GHz | 揮発性 | 4gbit | 19 ns | ドラム | 512m x 8 | ポッド | 15ns | |||||
![]() | IS66WVC4M16ECLL-7010BLI | 4.6313 | ![]() | 1320 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 54-VFBGA | IS66WVC4M16 | psram(pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 64mbit | 70 ns | psram | 4m x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | IS42S32200C1-7TLI-TR | - | ![]() | 9249 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S32200 | SDRAM | 3.15V〜3.45V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.5 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS25WP064A-RMLE-TY | 1.5641 | ![]() | 5600 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS25WP064A-RMLE-TY | 176 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 7 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 40µs 、800µs | ||||
![]() | IS61LPS12836EC-200TLI | 7.5262 | ![]() | 1726 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LPS12836 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.1 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS61LPD51236A-250B3I | - | ![]() | 1361 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61LPD51236 | sram- クアッドポート、同期 | 3.135V〜3.465V | 165-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | 2.6 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
IS46DR16320D-3DBA2 | - | ![]() | 8261 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 84-TFBGA | IS46DR16320 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46DR16320D-3DBA2 | 廃止 | 209 | 333 MHz | 揮発性 | 512mbit | 450 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | IS42S83200D-75ETLI-TR | - | ![]() | 2041 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S83200 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 32m x 8 | 平行 | - |
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