画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | アプリケーション | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | タイプ | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | sicプログラム可能 | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 現在 -出力 /チャネル | クロック周波数 | 出力数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | 内部スイッチ | トポロジー | 電圧 -供給(最大) | 調光 | 電圧 -供給(最小) | 電圧 -出力 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS61WV12888888888Tli | - | ![]() | 5408 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-SOIC (0.400 "、幅 10.16mm) | IS61WV1288 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 32-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS61WV1288EEBLL-8TLITR | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 8 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 8ns | ||||||||||||||
![]() | IS42S16400F-7BL | - | ![]() | 9308 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S16400 | SDRAM | 確認されていません | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | |||||||||||||
![]() | IS42S32160B-75EBLI-TR | - | ![]() | 5673 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-WBGA (11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,000 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.5 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | ||||||||||||||
![]() | IS63LV1024-10KI-TR | - | ![]() | 1198 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-BSOJ (0.400 "、10.16mm 幅) | IS63LV1024 | sram-非同期 | 3.15V〜3.45V | 32-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 800 | 揮発性 | 1mbit | 10 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 10ns | |||||||||||||||
![]() | IS49RL36160-125BL | - | ![]() | 1874年年 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 168-lbga | IS49RL36160 | ドラム | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA(13.5x13.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 119 | 800 MHz | 揮発性 | 576mbit | 12 ns | ドラム | 16m x 36 | 平行 | - | ||||||||||||||
![]() | IS42S32200C1-6T | - | ![]() | 3342 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S32200 | SDRAM | 3.15V〜3.45V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.5 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - | ||||||||||||||
IS43DR16320C-25DBL-TR | 3.4864 | ![]() | 4697 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 84-TFBGA | IS43DR16320 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | |||||||||||||||
![]() | IS32BL3552-ZLA3-TR | - | ![]() | 5143 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 自動車、バックライト | 表面マウント | 16-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm )露出したパッド | DC DCコントローラー | IS32BL3552 | 520kHz | 16-etsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 360ma | 2 | いいえ | ステップアップ(ブースト) | 33V | PWM | 4.5V | 53V | |||||||||||||
IS64WV6416BLL-15TLA3-TR | 4.0426 | ![]() | 6439 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS64Wv6416 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 15 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS46TR16256AL-125KBLA2 | - | ![]() | 2954 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16256 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | ||||||||||||||
![]() | IS42RM32200K-6BLI-TR | - | ![]() | 5181 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42RM32200 | sdram-モバイル | 2.3V〜2.7V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.5 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - | ||||||||||||||
![]() | IS61VPD102418A-250B3I | - | ![]() | 8972 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61VPD102418 | sram- クアッドポート、同期 | 2.375V〜2.625V | 165-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | 2.6 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||||||||||||||
![]() | IS61VPD51236A-250B3-TR | - | ![]() | 5950 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | IS61VPD51236 | sram- クアッドポート、同期 | 2.375V〜2.625V | 165-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | 2.6 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||||||||||||||
IS62WV5128BLL-55BLI-TR | 3.9283 | ![]() | 8338 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 36-tfbga | IS62WV5128 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 36-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 55ns | ||||||||||||||||
IS43LR16800F-6BL | - | ![]() | 1960年 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43LR16800 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 300 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | |||||||||||||||
![]() | IS42VM16320E-75BLI-TR | 8.0400 | ![]() | 6825 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42VM16320 | sdram-モバイル | 1.7V〜1.95V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 6 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | ||||||||||||||
![]() | IS43R32160D-5BL | - | ![]() | 4370 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 144-LFBGA | IS43R32160 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 144-LFBGA(12x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 189 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 32 | 平行 | 15ns | ||||||||||||||
![]() | IS46TR16128AL-15HBLA1 | - | ![]() | 7299 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | ||||||||||||||
![]() | IS42S16100E-7BLI-TR | - | ![]() | 4948 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS42S16100 | SDRAM | 3V〜3.6V | 60-TFBGA (6.4x10.1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 揮発性 | 16mbit | 5.5 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | ||||||||||||||
![]() | IS49NLC18320-25BL | - | ![]() | 4531 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLC18320 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 32m x 18 | 平行 | - | ||||||||||||||
![]() | IS42S16100H-6TL-TR | 1.0897 | ![]() | 4391 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 50-tsop (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16100 | SDRAM | 3V〜3.6V | 50-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 16mbit | 5.5 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | ||||||||||||||
![]() | IS61NLF51218A-7.5B3I | - | ![]() | 6440 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61NLF51218 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 117 MHz | 揮発性 | 9mbit | 7.5 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | ||||||||||||||
![]() | IS43DR86400C-25DBL | 6.1873 | ![]() | 5652 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43DR86400 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 242 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||||||||||||||
![]() | IS42S16320D-6BI | - | ![]() | 6717 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S16320 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TW-BGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS42S16320D-6BI | 廃止 | 240 | 167 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | ||||||||||||||
![]() | IS43DR16128B-25EBL | - | ![]() | 6042 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | IS43DR16128 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TW-BGA(10.5x13.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 162 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 400 PS | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | ||||||||||||||
![]() | IS64WV10248EDBLL-10BLA3 | 14.9738 | ![]() | 5443 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS64WV10248 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 8mbit | 10 ns | sram | 1m x 8 | 平行 | 10ns | |||||||||||||||
![]() | IS43TR82560D-107MBLI | 5.0700 | ![]() | 1413 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43TR82560D-107MBLI | 242 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | |||||||||||||||||
![]() | IS42S16100E-5TL-TR | - | ![]() | 8015 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 50-tsop (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16100 | SDRAM | 3V〜3.6V | 50-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 16mbit | 5 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | ||||||||||||||
![]() | IS43LR32320B-6BL-TR | 9.5250 | ![]() | 1746 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 90-lfbga | IS43LR32320 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-lfbga (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.5 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | 15ns | ||||||||||||||
![]() | IS43DR16640C-3DBL-TR | 2.8354 | ![]() | 4956 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43DR16640C-3DBL-TR | 2,500 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 64m x 16 | SSTL_18 | 15ns |
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