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製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	頻度	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	現在 -出力 /チャネル	クロック周波数	出力数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ	内部スイッチ	トポロジー	電圧 -供給（最大）	調光	電圧 -供給（最小）	電圧 -出力
IS43DR86400C-25DBL	6.1873	RFQ	5652	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	新しいデザインではありません	0°C〜70°C（Ta）		表面マウント	60-TFBGA		IS43DR86400		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA （8x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	242		400 MHz		揮発性	512mbit	400 PS	ドラム	64m x 8	平行	15ns
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IS49NLC18160-33BI	-	RFQ	9018	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	144-TFBGA		IS49NLC18160		rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	104		300 MHz		揮発性	288mbit	20 ns	ドラム	16m x 18	平行	-
IS61VPS51236A-250B3L	-	RFQ	1534	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）		表面マウント	165-TBGA		IS61VPS51236		sram- sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	144		250 MHz		揮発性	18mbit	2.6 ns	sram	512K x 36	平行	-
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IS46TR16128AL-15HBLA2-TR	-	RFQ	6376	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜105°C （TC）		表面マウント	96-TFBGA		IS46TR16128		SDRAM -DDR3	1.283V〜1.45V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	1,500		667 MHz		揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
IS42S32400E-6BL-TR	-	RFQ	4828	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）		表面マウント	90-TFBGA		IS42S32400		SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	2,500		166 MHz		揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 32	平行	-
IS46DR16320C-3DBLA2-TR	8.6550	RFQ	4277	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-40°C〜105°C（Ta）		表面マウント	84-TFBGA		IS46DR16320		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA （8x12.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	2,500		333 MHz		揮発性	512mbit	450 PS	ドラム	32m x 16	平行	15ns
IS49NLS18160-33B	-	RFQ	2479	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）		表面マウント	144-TFBGA		IS49NLS18160		rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	104		300 MHz		揮発性	288mbit	20 ns	ドラム	16m x 18	平行	-
IS43DR81280C-25DBLI	7.5200	RFQ	6	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	60-TFBGA		IS43DR81280		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA （8x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-1576	ear99	8542.32.0032	242		400 MHz		揮発性	1gbit	400 PS	ドラム	128m x 8	平行	15ns
IS43LQ16128A-062TBLI-TR	8.6583	RFQ	8912	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）		表面マウント	200-TFBGA				SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-TFBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43LQ16128A-062TBLI-TR			2,500		1.6 GHz		揮発性	2Gbit	3.5 ns	ドラム	128m x 16	LVSTL	18ns
IS61DDPB451236A-400M3L	44.1540	RFQ	4518	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）		表面マウント	165-lbga		IS61DDPB451236		sram- ddr iip	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0002	105		400 MHz		揮発性	18mbit		sram	512K x 36	平行	-
IS43DR16320C-3DBI-TR	-	RFQ	7816	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	84-TFBGA		IS43DR16320		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA （8x12.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	2,500		333 MHz		揮発性	512mbit	450 PS	ドラム	32m x 16	平行	15ns
IS61NVP102418-200Tli	-	RFQ	5000	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	100-lqfp		IS61NVP102418		sram- sdr	2.375V〜2.625V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	72		200 MHz		揮発性	18mbit	3.1 ns	sram	1m x 18	平行	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ICS ）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²