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製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS61LF102418A-7.5B3-TR	-	RFQ	5423	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-TBGA	IS61LF102418	sram- sdr	3.135V〜3.6V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	117 MHz	揮発性	18mbit	7.5 ns	sram	1m x 18	平行	-
IS42S83200J-7Bl	-	RFQ	5674	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TFBGA	IS42S83200	SDRAM	3V〜3.6V	54-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	348	143 MHz	揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	32m x 8	平行	-
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IS61NLP102418-200Tli	-	RFQ	7574	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	IS61NLP102418	sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	揮発性	18mbit	3.1 ns	sram	1m x 18	平行	-
IS42S16100C1-6TL-TR	-	RFQ	8090	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S16100	SDRAM	3V〜3.6V	50-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	1,000	166 MHz	揮発性	16mbit	5.5 ns	ドラム	1m x 16	平行	-
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IS61DDP2B451236A-400M3L	44.1540	RFQ	8444	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61DDP2	sram- ddr iip	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0002	105	400 MHz	揮発性	18mbit		sram	512K x 36	平行	-
IS42S16160B-6B	-	RFQ	4578	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-LFBGA	IS42S16160	SDRAM	3V〜3.6V	54-LFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	240	166 MHz	揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	16m x 16	平行	-
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IS45S32200E-6TLA1-TR	-	RFQ	5746	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS45S32200	SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	1,500	166 MHz	揮発性	64mbit	5.5 ns	ドラム	2m x 32	平行	-
IS43DR81280C-3DBI	-	RFQ	4164	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	60-TFBGA	IS43DR81280	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA （8x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	242	333 MHz	揮発性	1gbit	450 PS	ドラム	128m x 8	平行	15ns
IS43LD16160B-25BLI-TR	4.8511	RFQ	1831年年	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	134-TFBGA		SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4	1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V	134-TFBGA （10x11.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43LD16160B-25BLI-TR			2,000	400 MHz	揮発性	256mbit	5.5 ns	ドラム	16m x 16	HSUL_12	15ns
IS25LP064A-JMLE-TR	1.3772	RFQ	1901年	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	IS25LP064	フラッシュ -	2.3V〜3.6V	16-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	133 MHz	不揮発性	64mbit		フラッシュ	8m x 8	spi -quad i/o、qpi	800µs
IS61WV204816ALL-10TLI-TR	-	RFQ	2011年年	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）	IS61WV204816	sram-非同期	1.65V〜2.2V	48-tsop i	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1,500		揮発性	32mbit	10 ns	sram	2m x 16	平行	10ns
IS62WV1288DBLL-45HLI-TR	-	RFQ	7847	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	32-TFSOP （0.465 "、11.80mm 幅）	IS62WV1288	sram-非同期	2.3V〜3.6V	32 stsop i	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	2,000		揮発性	1mbit	45 ns	sram	128k x 8	平行	45ns
IS25WP020E-JNLE	0.3196	RFQ	9796	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IS25WP020	フラッシュ -	1.7V〜1.95V	8ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS25WP020E-JNLE	ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	不揮発性	2mbit	8 ns	フラッシュ	256k x 8	spi -quad i/o	1.2ms
IS43R16320F-6BL-TR	5.0239	RFQ	1380	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	60-TFBGA	IS43R16320	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	60-tfbga （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	2,500	166 MHz	揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	32m x 16	平行	15ns
IS61VPS102418A-250TQL	-	RFQ	5466	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	IS61VPS102418	sram- sdr	2.375V〜2.625V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	72	250 MHz	揮発性	18mbit	2.6 ns	sram	1m x 18	平行	-
IS62WV12816BLL-55BLI-TR	2.0680	RFQ	5548	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA	IS62WV12816	sram-非同期	2.5V〜3.6V	48-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		揮発性	2mbit	55 ns	sram	128k x 16	平行	55ns
IS21TF16G-JQLI-TR	24.9000	RFQ	2699	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lbga	IS21TF16G	フラッシュ-Nand （TLC）	2.7V〜3.6V	100-lfbga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS21TF16G-JQLI-TR	3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	不揮発性	128GBIT		フラッシュ	16g x 8	MMC	-
IS29GL256-70FLET	8.1900	RFQ	132	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	64-lbga	IS29GL256	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	64-lfbga（11x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS29GL256-70FLET	3A991B1A	8542.32.0071	144		不揮発性	256mbit	70 ns	フラッシュ	32m x 8	平行	200µs
IS25LP512M-RMLE-TR	7.2750	RFQ	9982	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	IS25LP512	フラッシュ -	2.3V〜3.6V	16-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	133 MHz	不揮発性	512mbit		フラッシュ	64m x 8	spi -quad i/o	1.6ms
IS63LV1024L-10JLI	-	RFQ	5142	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	32-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm）	IS63LV1024	sram-非同期	3.15V〜3.45V	32-SOJ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2B	8542.32.0041	22		揮発性	1mbit	10 ns	sram	128k x 8	平行	10ns
IS61NLF12836EC-7.5TQLI	7.5262	RFQ	6371	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	IS61NLF12836	sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	揮発性	4.5mbit	7.5 ns	sram	128k x 36	平行	-
IS42S16800D-7B-TR	-	RFQ	4033	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-VFBGA	IS42S16800	SDRAM	3V〜3.6V	54-minibga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	2,500	143 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	8m x 16	平行	-
IS61DDPB41M18A-400M3L	44.1540	RFQ	1666	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61DDPB41	sram- ddr iip	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0002	105	400 MHz	揮発性	18mbit		sram	1m x 18	平行	-
IS42S16160G-7TL	3.5582	RFQ	7971	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	新しいデザインではありません	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S16160	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	108	143 MHz	揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	16m x 16	平行	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ICS ）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²