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製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	テクノロジー	現在 -供給	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	入力数	インタフェース	クロック周波数	近接検出	解決	LEDドライバーチャネル	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
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IS42S16160B-6B	-	RFQ	4578	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-LFBGA		IS42S16160	SDRAM		3V〜3.6V	54-LFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	240			166 MHz				揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	16m x 16	平行	-
IS43LD16256A-25BPLI-TR	-	RFQ	2836	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	168-VFBGA		IS43LD16256	SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4		1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V	168-VFBGA（12x12）	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS43LD16256A-25BPLI-TR	廃止		1			400 MHz				揮発性	4gbit	5.5 ns	ドラム	256m x 16	HSUL_12	15ns
IS25LP080D-JVLE	-	RFQ	2104	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		IS25LP080	フラッシュ -		2.3V〜3.6V	8-VVSOP	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	100			133 MHz				不揮発性	8mbit		フラッシュ	1m x 8	spi -quad i/o	800µs
IS26KS256S-DPBLI00	7.8600	RFQ	1335	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	24-VBGA		IS26KS256	フラッシュ -		1.7V〜1.95V	24-VFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS26KS256S-DPBLI00	3A991B1A	8542.32.0071	338			166 MHz				不揮発性	256mbit	96 ns	フラッシュ	32m x 8	平行	-
IS45S32200E-6TLA1-TR	-	RFQ	5746	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		IS45S32200	SDRAM		3V〜3.6V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	1,500			166 MHz				揮発性	64mbit	5.5 ns	ドラム	2m x 32	平行	-
IS43DR81280C-3DBI	-	RFQ	4164	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	60-TFBGA		IS43DR81280	SDRAM -DDR2		1.7V〜1.9V	60-TWBGA （8x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	242			333 MHz				揮発性	1gbit	450 PS	ドラム	128m x 8	平行	15ns
IS43LD16160B-25BLI-TR	4.8511	RFQ	1831年年	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	134-TFBGA			SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4		1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V	134-TFBGA （10x11.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43LD16160B-25BLI-TR			2,000			400 MHz				揮発性	256mbit	5.5 ns	ドラム	16m x 16	HSUL_12	15ns
IS25LP064A-JMLE-TR	1.3772	RFQ	1901年	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）		IS25LP064	フラッシュ -		2.3V〜3.6V	16-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	1,000			133 MHz				不揮発性	64mbit		フラッシュ	8m x 8	spi -quad i/o、qpi	800µs
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IS62WV1288DBLL-45HLI-TR	-	RFQ	7847	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	32-TFSOP （0.465 "、11.80mm 幅）		IS62WV1288	sram-非同期		2.3V〜3.6V	32 stsop i	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	2,000							揮発性	1mbit	45 ns	sram	128k x 8	平行	45ns
IS25WP020E-JNLE	0.3196	RFQ	9796	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		IS25WP020	フラッシュ -		1.7V〜1.95V	8ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS25WP020E-JNLE	ear99	8542.32.0071	100			104 MHz				不揮発性	2mbit	8 ns	フラッシュ	256k x 8	spi -quad i/o	1.2ms
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IS62WV12816BLL-55BLI-TR	2.0680	RFQ	5548	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA		IS62WV12816	sram-非同期		2.5V〜3.6V	48-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,500							揮発性	2mbit	55 ns	sram	128k x 16	平行	55ns
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IS29GL256-70FLET	8.1900	RFQ	132	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	64-lbga		IS29GL256	フラッシュ -		2.7V〜3.6V	64-lfbga（11x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS29GL256-70FLET	3A991B1A	8542.32.0071	144							不揮発性	256mbit	70 ns	フラッシュ	32m x 8	平行	200µs
IS25LP512M-RMLE-TR	7.2750	RFQ	9982	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）		IS25LP512	フラッシュ -		2.3V〜3.6V	16-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	1,000			133 MHz				不揮発性	512mbit		フラッシュ	64m x 8	spi -quad i/o	1.6ms
IS63LV1024L-10JLI	-	RFQ	5142	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	32-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm）		IS63LV1024	sram-非同期		3.15V〜3.45V	32-SOJ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2B	8542.32.0041	22							揮発性	1mbit	10 ns	sram	128k x 8	平行	10ns
IS61NLF12836EC-7.5TQLI	7.5262	RFQ	6371	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp		IS61NLF12836	sram- sdr		3.135V〜3.465V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	72			117 MHz				揮発性	4.5mbit	7.5 ns	sram	128k x 36	平行	-
IS42S16800D-7B-TR	-	RFQ	4033	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-VFBGA		IS42S16800	SDRAM		3V〜3.6V	54-minibga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	2,500			143 MHz				揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	8m x 16	平行	-
IS61DDPB41M18A-400M3L	44.1540	RFQ	1666	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga		IS61DDPB41	sram- ddr iip		1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0002	105			400 MHz				揮発性	18mbit		sram	1m x 18	平行	-
IS42S16160G-7TL	3.5582	RFQ	7971	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	新しいデザインではありません	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		IS42S16160	SDRAM		3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	108			143 MHz				揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	16m x 16	平行	-
IS43R16800E-6TLI	2.5198	RFQ	6768	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		IS43R16800	SDRAM -DDR		2.3V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	108			166 MHz				揮発性	128mbit	700 ps	ドラム	8m x 16	平行	12ns
IS46TR16640BL-125KBLA2-TR	-	RFQ	9746	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	96-TFBGA		IS46TR16640	SDRAM -DDR3L		1.283V〜1.45V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS46TR16640BL-125KBLA2-TR	ear99	8542.32.0032	1,500			800 MHz				揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS61NLP204818B-250B3L	94.1664	RFQ	8722	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-TBGA		IS61NLP204818	sram- sdr		3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	144			250 MHz				揮発性	36mbit	2.8 ns	sram	2m x 18	平行	-
IS66WVS4M8BLL-104NLI	3.6600	RFQ	279	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		IS66WVS4M8	psram（pseudo sram		2.7V〜3.6V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS66WVS4M8BLL-104NLI	3A991B2A	8542.32.0041	100			104 MHz				揮発性	32mbit	7 ns	psram	4m x 8	spi、qpi	-
IS32SE5118-ZNLA3-TR	-	RFQ	3399	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜125°C	表面マウント	16-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）	ボタン			50µA	2.35V〜5.5V	16-tssop	ダウンロード		3 （168 時間）					2,500	最大8	i²c		はい	-	最大8
IS49NLC96400-3333	-	RFQ	5663	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	144-TFBGA		IS49NLC96400	rldram 2		1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	104			300 MHz				揮発性	576mbit	20 ns	ドラム	64m x 9	平行	-
IS46TR16640BL-107MBLA1	-	RFQ	8642	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	トレイ	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA		IS46TR16640	SDRAM -DDR3L		1.283V〜1.45V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS46TR16640BL-107MBLA1	ear99	8542.32.0032	190			933 MHz				揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ICS ）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²