画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | アプリケーション | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | タイプ | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 現在 -出力 /チャネル | クロック周波数 | 出力数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | 内部スイッチ | トポロジー | 電圧 -供給(最大) | 調光 | 電圧 -供給(最小) | 電圧 -出力 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS43QR81024A-083TBLI | 19.4204 | ![]() | 8708 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-TWBGA (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43QR81024A-083TBLI | 136 | 1.2 GHz | 揮発性 | 8gbit | 18 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS45S32800D-7TLA1 | - | ![]() | 4527 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS45S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 8 | 平行 | - | |||||||||||||
IS43LR16200C-6BLI-TR | - | ![]() | 4233 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43LR16200 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 166 MHz | 揮発性 | 32mbit | 5.5 ns | ドラム | 2m x 16 | 平行 | 12ns | ||||||||||||||
![]() | IS43LR32640A-6BL-TR | 11.3550 | ![]() | 6458 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 90-lfbga | IS43LR32640 | SDRAM -DDR | 1.7V〜1.95V | 90-WBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS42S16400D-6TLI | - | ![]() | 1105 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | |||||||||||||
![]() | IS43LR32800F-6BLI | - | ![]() | 1411 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS43LR32800 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS49NLS93200A-25EWBLI | 31.9177 | ![]() | 8301 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLS93200 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-TWBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS49NLS93200A-25EWBLI | 104 | 400 MHz | 揮発性 | 288mbit | 15 ns | ドラム | 32m x 9 | HSTL | - | ||||||||||||||
![]() | IS46TR16640ED-125KBLA2 | 9.0150 | ![]() | 9964 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS46TR16640ED-125KBLA2 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS25WJ032f-jble | 1.0600 | ![]() | 365 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | IS25WJ032F | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS25WJ032F-jble | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 1.6ms | ||||||||||||
![]() | IS25WP128F-RMLE | - | ![]() | 2794 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS25WP128F-RMLE | 廃止 | 1 | 166 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 40µs 、800µs | |||||||||||||||
![]() | IS46LQ32640AL-062TBLA1-TR | - | ![]() | 3983 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS46LQ32640AL-062TBLA1-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 64m x 32 | LVSTL | 18ns | ||||||||||||||||
![]() | IS65C1024AL-45TLA3-TR | 3.9871 | ![]() | 8772 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | IS65C1024 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,500 | 揮発性 | 1mbit | 45 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 45ns | ||||||||||||||
![]() | IS46DR81280C-3DBLA1 | - | ![]() | 6845 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS46DR81280 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS61LPS25636A-200TQI | - | ![]() | 3093 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LPS25636 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.1 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |||||||||||||
![]() | IS61DDPB21M18A-400M3L | 45.0000 | ![]() | 5694 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | IS61DDPB21 | sram- ddr iip | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga(15x17) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 400 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||||||||||||||
IS61WV12816EDBLL-10TLI | 2.6286 | ![]() | 3632 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS61WV12816 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 2mbit | 10 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 10ns | |||||||||||||||
![]() | IS43TR81024B-107MBL-TR | 19.5776 | ![]() | 6281 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43TR81024B-107MBL-TR | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS61NLP51236-250B3 | - | ![]() | 8880 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | IS61NLP51236 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | 2.6 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||||||||||||
![]() | IS61WV10248EEBLL-10TLI-TR | 6.4861 | ![]() | 3455 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS61WV10248EEBLL-10TLI-TR | 1,000 | 揮発性 | 8mbit | 10 ns | sram | 1m x 8 | 平行 | 10ns | |||||||||||||||||
![]() | IS61NLP102418-200TQ-TR | - | ![]() | 8692 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | IS61NLP102418 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.1 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | |||||||||||||
![]() | IS64WV51216EEBLL-10CTLA3 | 12.6597 | ![]() | 1555 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 44-TSOP II | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS64WV51216EEBLL-10CTLA3 | 135 | 揮発性 | 8mbit | 10 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 10ns | |||||||||||||||||
![]() | IS46TR16640B-125JBLA25-TR | - | ![]() | 5159 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜115°C | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46TR16640B-125JBLA25-TR | ear99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||||||||||||
![]() | IS62WV102416ALL-35TLI-TR | 19.6042 | ![]() | 3888 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | IS62WV102416 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,500 | 揮発性 | 16mbit | 35 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 35ns | ||||||||||||||
![]() | IS49NLC18320A-18WBLI | 57.2059 | ![]() | 9691 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-TWBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS49NLC18320A-18WBLI | 104 | 533 MHz | 揮発性 | 576mbit | 15 ns | ドラム | 32m x 18 | HSTL | - | |||||||||||||||
![]() | IS42SM16160E-6BLI | - | ![]() | 1150 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42SM16160 | sdram-モバイル | 2.7V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 348 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | |||||||||||||
![]() | IS42SM16400K-6BLI-TR | - | ![]() | 9882 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42SM16400 | sdram-モバイル | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.5 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | |||||||||||||
![]() | IS42S32200L-7BI | - | ![]() | 3317 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32200 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - | |||||||||||||
![]() | IS32LT3124D-ZLA3-TR | - | ![]() | 5110 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C | 自動車、照明 | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | リニア | - | 8-tssop | ダウンロード | 3 (168 時間) | 2,500 | 150ma | 4 | はい | 定電流 | 28V | PWM | 5V | - | |||||||||||||||||
IS63LV1024L-12BLI | - | ![]() | 8665 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 36-tfbga | IS63LV1024 | sram-非同期 | 3.15V〜3.45V | 36-minibga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 220 | 揮発性 | 1mbit | 12 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 12ns | |||||||||||||||
![]() | IS25LP01GG-RMLE-TR | 9.5781 | ![]() | 9890 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS25LP01GG-RMLE-TR | 1,000 |
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