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ICS ）（5782）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	特徴	基本製品番号	テクノロジー	出力タイプ	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	関数	電圧 -供給（ vcc/vdd）	Max Output Power X Channels @ Load	クロック周波数	出力数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ	トポロジー	周波数 -切り替え	制御機能	出力構成	出力フェーズ	デューティサイクル（最大）	同期整流器	時計同期	シリアルインターフェイス
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IS42S16100H-7BLI-TR	1.4279	RFQ	3694	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	60-TFBGA			IS42S16100	SDRAM		3V〜3.6V	60-TFBGA （6.4x10.1	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0002	2,500				143 MHz		揮発性	16mbit	5.5 ns	ドラム	1m x 16	平行	-
IS61VPD51236A-250B3-TR	-	RFQ	5950	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-TBGA			IS61VPD51236	sram- クアッドポート、同期		2.375V〜2.625V	165-PBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,000				250 MHz		揮発性	18mbit	2.6 ns	sram	512K x 36	平行	-
IS31AP2010F-UTLS2-TR	-	RFQ	3002	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	9-ufbga	d	DEPOP 、シャットダウン	IS31AP2010		1 チャンネル（モノ）	2.7V〜5.5V	9-UTQFN （1.5x1.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.33.0001	3,000			2.8W x 1 @ 4ohm
IS61WV5128FBLL-10BLI	3.1286	RFQ	7937	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	36-tfbga				sram-非同期		2.4V〜3.6V	36-tfbga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS61WV5128FBLL-10BLI			480						揮発性	4mbit	10 ns	sram	512k x 8	平行	10ns
IS42S32400D-6B-TR	-	RFQ	7653	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	90-TFBGA			IS42S32400	SDRAM		3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	2,500				166 MHz		揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 32	平行	-
IS62WV51216GBLL-45TLI-TR	4.6718	RFQ	9904	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）			IS62WV51216	sram-非同期		2.2V〜3.6V	48-tsop i	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1,500						揮発性	8mbit	45 ns	sram	512K x 16	平行	45ns
IS43R16320E-6TLI	7.0644	RFQ	4916	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	新しいデザインではありません	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）			IS43R16320	SDRAM -DDR		2.3V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	108				166 MHz		揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	32m x 16	平行	15ns
IS61VPD51236A-200B3-TR	-	RFQ	4506	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-TBGA			IS61VPD51236	sram- クアッドポート、同期		2.375V〜2.625V	165-PBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,000				200 MHz		揮発性	18mbit	3.1 ns	sram	512K x 36	平行	-
IS43TR16128AL-15HBLI	-	RFQ	9970	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA			IS43TR16128	SDRAM -DDR3L		1.283V〜1.45V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	190				667 MHz		揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
IS29LV032T-70TLI	-	RFQ	8420	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）			IS29LV032T	フラッシュ -		2.7V〜3.6V	48-tsop i	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-1352	3A991B1A	8542.32.0071	96						不揮発性	32mbit	70 ns	フラッシュ	4m x 8、2m x 16	平行	70ns
IS32PM3510-ZLS4-TR	-	RFQ	8677	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	16-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm ）露出したパッド					トランジスタドライバー		16-etsop	-		3 （168 時間）		706-IS32PM3510-ZLS4-TR	ear99	8542.39.0001	2,500	ステップアップ、ステップダウン、ステップアップ/ステップダウン	4.5V〜55V			1								バック、ブースト、バックブースト	150kHz〜650kHz	デッドタイムコントロール、有効、周波数制御、パワーグッド、ソフトスタート	ポジティブ	1	95.5％	いいえ	はい	-
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IS42S32400b-7bl	-	RFQ	2332	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	90-TFBGA			IS42S32400	SDRAM		3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	240				143 MHz		揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 32	平行	-
IS61LF25618EC-7.5TQLI-TR	6.8099	RFQ	5027	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp			IS61LF25618	sram- sdr		3.135V〜3.465V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	800				117 MHz		揮発性	4.5mbit	7.5 ns	sram	256k x 18	平行	-
IS43R83200F-6TL	2.8899	RFQ	2750	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）			IS43R83200	SDRAM -DDR		2.3V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	108				166 MHz		揮発性	256mbit	700 ps	ドラム	32m x 8	平行	15ns
IS62WV6416ALL-55BLI-TR	2.8153	RFQ	6179	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA			IS62Wv6416	sram-非同期		1.7V〜2.2V	48-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	2,500						揮発性	1mbit	55 ns	sram	64k x 16	平行	55ns
IS49RL18320A-093FBLI	73.2461	RFQ	9151	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	168-lbga				rldram 3		1.28V〜1.42V	168-FBGA（13.5x13.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS49RL18320A-093FBLI			119				1.066 GHz		揮発性	576mbit	7.5 ns	ドラム	32m x 18	平行	-
IS61NLP102418B-200B3L-TR	13.8630	RFQ	6459	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-TBGA			IS61NLP102418	sram- sdr		3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,000				200 MHz		揮発性	18mbit	3 ns	sram	1m x 18	平行	-
IS43R16320D-5TLI-TR	7.8600	RFQ	8458	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）			IS43R16320	SDRAM -DDR		2.5V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	1,500				200 MHz		揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	32m x 16	平行	15ns
IS25LP512M-RHLA3-TR	7.3017	RFQ	3480	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	24-tbga				フラッシュ - （slc）		2.3V〜3.6V	24-tfbga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS25LP512M-RHLA3-TR			2,500				133 MHz		不揮発性	512mbit	7 ns	フラッシュ	64m x 8	spi -quad i/o	50µs、1ms
IS46LQ32128A-062TBLA2	-	RFQ	4435	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	バルク	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	200-VFBGA				SDRAM-モバイルLPDDR4		1.06V〜1.17V	200-VFBGA （10x14.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS46LQ32128A-062TBLA2			136				1.6 GHz		揮発性	4gbit	3.5 ns	ドラム	128m x 32	LVSTL	18ns
IS43TR81024BL-125KBLI-TR	20.9076	RFQ	9874	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-TFBGA				SDRAM -DDR3L		1.283V〜1.45V	78-TWBGA （10x14）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43TR81024BL-125KBLI-TR			2,000				800 MHz		揮発性	8gbit	20 ns	ドラム	1g x 8	平行	15ns
IS61NLP51236-250TLI	-	RFQ	3504	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp			IS61NLP51236	sram- sdr		3.135V〜3.465V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	72				250 MHz		揮発性	18mbit	2.6 ns	sram	512K x 36	平行	-
IS66WVH32M8DALL-166B1LI-TR	4.4904	RFQ	1111	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	24-tbga				psram（pseudo sram		1.7V〜1.95V	24-tfbga	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS66WVH32M8DALL-166B1LI-TR			2,500				166 MHz		揮発性	256mbit	36 ns	psram	32m x 8	平行	36ns
IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR	4.1105	RFQ	3499	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA			IS66WVE4M16	psram（pseudo sram		1.7V〜1.95V	48-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,500						揮発性	64mbit	70 ns	psram	4m x 16	平行	70ns
IS49NLC93200A-25EWBLI	31.9177	RFQ	4963	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	144-TFBGA				rldram 2		1.7V〜1.9V	144-TWBGA （11x18.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS49NLC93200A-25EWBLI			104				400 MHz		揮発性	288mbit	15 ns	ドラム	32m x 9	HSTL	-
IS46TR16128DL-107MBLA2	7.1594	RFQ	6330	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	バルク	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	96-TFBGA				SDRAM -DDR3L		1.283V〜1.45V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS46TR16128DL-107MBLA2			190				933 MHz		揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
IS46LR16320C-6BLA1-TR	10.5900	RFQ	9111	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	60-TFBGA			IS46LR16320	sdram- lpddr		1.7V〜1.95V	60-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	2,000				166 MHz		揮発性	512mbit	5.5 ns	ドラム	32m x 16	平行	15ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ICS ）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²