画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 出力タイプ | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 関数 | 電圧 -供給( vcc/vdd) | クロック周波数 | 出力数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | トポロジー | 周波数 -切り替え | 制御機能 | 出力構成 | 出力フェーズ | デューティサイクル(最大) | 同期整流器 | 時計同期 | シリアルインターフェイス |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS46TR16128DL-107MBLA1 | 5.6821 | ![]() | 9504 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS46TR16128DL-107MBLA1 | 190 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | ||||||||||||||||||
IS25LP040E-JYLE-TR | 0.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | IS25LP040 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS25LP040E-JYLE-TR | ear99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 8 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 1.2ms | |||||||||||||||
![]() | IS42S32800D-75EB | - | ![]() | 3916 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | |||||||||||||||
![]() | IS45S32400E-7TLA1 | - | ![]() | 9982 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS45S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | |||||||||||||||
![]() | IS45VM16800H-75BLA1 | - | ![]() | 9311 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS45VM16800 | sdram-モバイル | 1.7V〜1.95V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | - | |||||||||||||||
![]() | IS63LV1024-8KL-TR | - | ![]() | 2079 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-BSOJ (0.400 "、10.16mm 幅) | IS63LV1024 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 32-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 800 | 揮発性 | 1mbit | 8 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 8ns | ||||||||||||||||
![]() | IS42RM16160E-75BLI | - | ![]() | 6204 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42RM16160 | sdram-モバイル | 2.3V〜3V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 348 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 6 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | |||||||||||||||
![]() | IS31PM3510-ZLS4-TR | - | ![]() | 1014 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | 表面マウント | 16-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm )露出したパッド | トランジスタドライバー | 16-etsop | - | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | ステップアップ、ステップダウン、ステップアップ/ステップダウン | 4.5V〜55V | 1 | バック、ブースト、バックブースト | 150kHz〜650kHz | デッドタイムコントロール、有効、周波数制御、パワーグッド、ソフトスタート | ポジティブ | 1 | 95.5% | いいえ | はい | - | |||||||||||||||
![]() | IS61DDB21M36C-250M3L | - | ![]() | 8415 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | IS61DDB21 | sram- ddr ii | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | 8.4 ns | sram | 1m x 36 | 平行 | - | |||||||||||||||
![]() | IS62WV12816BLL-55B2LI-TR | 2.2334 | ![]() | 3816 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS62WV12816 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 2mbit | 55 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 55ns | ||||||||||||||||
![]() | IS45S16160J-7BLA2 | 4.7663 | ![]() | 2946 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 54-TFBGA | IS45S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 348 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | |||||||||||||||
![]() | IS62WVS1288FBLL-20NLI | 2.5017 | ![]() | 6604 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | IS62WVS1288 | sram- sdr | 2.2V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 100 | 20 MHz | 揮発性 | 1mbit | sram | 128k x 8 | spi -quad i/o、sdi | - | ||||||||||||||||
![]() | IS43TR81024BL-125KBL | 20.8861 | ![]() | 8415 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43TR81024BL-125KBL | 136 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | 15ns | ||||||||||||||||||
![]() | IS46R16320D-5BLA1 | 10.5177 | ![]() | 4008 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS46R16320 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 60-tfbga (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | |||||||||||||||
![]() | IS61NLP25636A-200B2LI | - | ![]() | 4783 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 119-BBGA | IS61NLP25636 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 200 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.1 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |||||||||||||||
![]() | IS66WVO32M8DBLL-133BLI-TR | 4.4904 | ![]() | 5826 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | psram(pseudo sram | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS66WVO32M8DBLL-133BLI-TR | 2,500 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | psram | 32m x 8 | SPI -OCTAL I/O | 37.5ns | |||||||||||||||||||
![]() | IS46TR16512BL-125KBLA1-TR | 21.6125 | ![]() | 4230 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS46TR16512BL-125KBLA1-TR | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | ||||||||||||||||||
![]() | IS46LD32640B-25BLA1-TR | - | ![]() | 8659 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | 前回購入します | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-TFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46LD32640B-25BLA1-TR | 1 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5.5 ns | ドラム | 64m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||||||||||||||||
![]() | IS25WP040E-JNLE | 0.3196 | ![]() | 4772 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | IS25WP040 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS25WP040E-JNLE | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 8 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 1.2ms | ||||||||||||||
![]() | IS42S32800D-6B | - | ![]() | 4230 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | |||||||||||||||
![]() | IS46TR16128CL-15HBLA1 | 6.3585 | ![]() | 5845 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||||||||||||||
![]() | IS42VM32100D-6BLI | 2.5287 | ![]() | 7874 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42VM32100 | sdram-モバイル | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 166 MHz | 揮発性 | 32mbit | 5.5 ns | ドラム | 1M x 32 | 平行 | - | |||||||||||||||
![]() | IS42S32800J-7Tli | 7.2600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S32800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | |||||||||||||||
![]() | IS42S32400B-6TL-TR | - | ![]() | 5290 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | |||||||||||||||
![]() | IS61LV12816L-10BLI | - | ![]() | 8205 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS61LV12816 | sram-非同期 | 3.135V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 2mbit | 10 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 10ns | ||||||||||||||||
![]() | IS46DR81280B-25DBLA1 | - | ![]() | 3752 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS46DR81280 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | |||||||||||||||
![]() | IS46TR16128BL-15HBLA1 | - | ![]() | 5019 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||||||||||||||
![]() | IS46LQ16256A-062TBLA1 | 14.3129 | ![]() | 7071 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 200-VFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-VFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS46LQ16256A-062TBLA1 | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 256m x 16 | LVSTL | - | |||||||||||||||||||
![]() | IS43TR81024BL-107MBLI-TR | 21.5460 | ![]() | 4195 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43TR81024BL-107MBLI-TR | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | 15ns | ||||||||||||||||||
![]() | IS25LQ032B-JNLE-TR | - | ![]() | 2322 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | IS25LQ032 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 1ms |
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