SIC
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ICS ）（5782）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS49NLS18320A-25EWBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18320A-25EWBL 49.5275
RFQ
 ECAD 4638 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA rldram 2 1.7V〜1.9V 144-TWBGA （11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS49NLS18320A-25EWBL 104 400 MHz 揮発性 576mbit 15 ns ドラム 32m x 18 HSTL -
IS42S32800J-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-7BL-TR 5.3250
RFQ
 ECAD 6045 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 8m x 32 平行 -
IS45S16800E-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800E-6BLA1 -
RFQ
 ECAD 3346 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS45S16800 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 348 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 -
IS45S16320D-7BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320D-7BLA2 23.1600
RFQ
 ECAD 6411 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 54-TFBGA IS45S16320 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 240 143 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 -
IS43LR32160B-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32160B-6BL -
RFQ
 ECAD 3138 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-TFBGA IS43LR32160 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 240 166 MHz 揮発性 512mbit 5.5 ns ドラム 16m x 32 平行 12ns
IS43QR85120B-083RBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR85120B-083RBL-TR 8.6849
RFQ
 ECAD 4195 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-TWBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43QR85120B-083RBL-TR 2,000 1.2 GHz 揮発性 4gbit 19 ns ドラム 512m x 8 ポッド 15ns
IS25LQ020B-JDLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ020B-JDLE-TR -
RFQ
 ECAD 2937 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） IS25LQ020 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,500 104 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o 800µs
IS61LPS25636A-200TQ2I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25636A-200TQ2I-TR -
RFQ
 ECAD 5305 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IS61LPS25636 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-lqfp（14x20） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 MHz 揮発性 9mbit 3.1 ns sram 256k x 36 平行 -
IS45S16800E-6TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800E-6TLA1 -
RFQ
 ECAD 2147 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS45S16800 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 -
IS25LX128-JHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX128-JHLE 4.2600
RFQ
 ECAD 9229 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga IS25LX128 フラッシュ 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25LX128-JHLE 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 SPI -OCTAL I/O -
IS42RM16160E-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16160E-6BLI -
RFQ
 ECAD 1050 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42RM16160 sdram-モバイル 2.3V〜3V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 348 166 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS41C16100D-50KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41C16100D-50KLI -
RFQ
 ECAD 5776 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 42-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm） IS41C16100 ドラム -江戸 4.5v〜5.5V 42-SOJ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 16 揮発性 16mbit 25 ns ドラム 1m x 16 平行 84ns
IS43TR81280CL-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280CL-107MBL-TR 3.3258
RFQ
 ECAD 3047 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR81280CL-107MBL-TR ear99 8542.32.0032 2,000 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
IS43TR81280CL-125JBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280CL-125JBL-TR 3.2186
RFQ
 ECAD 6485 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR81280CL-125JBL-TR ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
IS43TR81280B-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280B-125KBL-TR -
RFQ
 ECAD 9482 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR81280B-125KBL-TR ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
IS43TR85120A-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120A-107MBL -
RFQ
 ECAD 5908 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA （9x10.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR85120A-107MBL ear99 8542.32.0036 220 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
IS43LQ16256AL-062BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ16256AL-062BLI -
RFQ
 ECAD 5085 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-VFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43LQ16256AL-062BLI 136 1.6 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 LVSTL -
IS61WV6416EEBLL-8TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416EEBLL-8TLI 2.3255
RFQ
 ECAD 6337 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） sram-非同期 2.4V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS61WV6416EEBLL-8TLI 135 揮発性 1mbit 8 ns sram 64k x 16 平行 8ns
IS43QR16512A-075VBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16512A-075VBLI-TR 17.8087
RFQ
 ECAD 1163 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-TWBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43QR16512A-075VBLI-TR 2,000 1.333 GHz 揮発性 8gbit 18 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS61WV25616EFBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EFBLL-10BLI-TR 2.1688
RFQ
 ECAD 2304 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-TFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS61WV25616EFBLL-10BLI-TR 2,500 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
IS46TR16640BL-125KBLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640BL-125KBLA3-TR -
RFQ
 ECAD 1598 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46TR16640BL-125KBLA3-TR ear99 8542.32.0032 1,500 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS46LQ32128AL-062BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32128AL-062BLA2-TR -
RFQ
 ECAD 8205 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-VFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-VFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46LQ32128AL-062BLA2-TR 2,500 1.6 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 128m x 32 LVSTL 18ns
IS25LP020E-JNLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP020E-JNLA3 0.4819
RFQ
 ECAD 2487 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc * トレイ アクティブ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS25LP020E-JNLA3 100
IS61WV102416DALL-12BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416DALL-12BLI 10.9618
RFQ
 ECAD 9943 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA sram-非同期 1.65V〜2.2V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS61WV102416DALL-12BLI 480 揮発性 16mbit 12 ns sram 1m x 16 平行 12ns
IS25LP064D-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP064D-JLLE-TR 1.2855
RFQ
 ECAD 8073 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 2.3V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS25LP064D-JLLE-TR 4,000 166 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 40µs 、800µs
IS43LD16256C-18BPLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16256C-18BPLI-TR -
RFQ
 ECAD 1979年年 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 168-VFBGA IS43LD16256 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43LD16256C-18BPLI-TR ear99 8542.32.0036 1 533 MHz 揮発性 4gbit 5.5 ns ドラム 256m x 16 HSUL_12 15ns
IS46LD32128B-18BPLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128B-18BPLA2 -
RFQ
 ECAD 3623 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 168-VFBGA IS46LD32128 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46LD32128B-18BPLA2 ear99 8542.32.0036 1 533 MHz 揮発性 4gbit 5.5 ns ドラム 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS43LR32320B-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32320B-6BLI 10.6723
RFQ
 ECAD 5322 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-lfbga IS43LR32320 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-lfbga （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 240 166 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 15ns
IS62WV25616EBLL-45B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EBLL-45B2LI 3.9433
RFQ
 ECAD 2774 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA sram-非同期 2.2V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS62WV25616EBLL-45B2LI 480 揮発性 4mbit 45 ns sram 256k x 16 平行 45ns
IS46LQ16256A-062BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256A-062BLA2 -
RFQ
 ECAD 4503 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-VFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46LQ16256A-062BLA2 136 1.6 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 LVSTL -
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    毎日の平均RFQボリューム

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    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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