SIC
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ICS ）（5782）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS64WV204816BLL-12CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV204816BLL-12CTLA3 33.7645
RFQ
 ECAD 1622 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS64WV204816BLL-12CTLA3 96 揮発性 32mbit 12 ns sram 2m x 16 平行 12ns
IS61LV6416-10TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV6416-10TL -
RFQ
 ECAD 3625 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS61Lv6416 sram-非同期 3.135V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 135 揮発性 1mbit 10 ns sram 64k x 16 平行 10ns
IS43LD16256A-18BPLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16256A-18BPLI-TR -
RFQ
 ECAD 6530 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 168-VFBGA IS43LD16256 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43LD16256A-18BPLI-TR 廃止 1 533 MHz 揮発性 4gbit 5.5 ns ドラム 256m x 16 HSUL_12 15ns
IS43LD32128B-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128B-25BLI-TR 10.6400
RFQ
 ECAD 9035 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-TFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43LD32128B-25BLI-TR 2,000 400 MHz 揮発性 4gbit 5.5 ns ドラム 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS42S16400J-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-7BL-TR 1.6544
RFQ
 ECAD 9319 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TFBGA IS42S16400 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 -
IS61WV12816DBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV12816DBLL-10TLI 2.9802
RFQ
 ECAD 9028 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS61WV12816 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 2mbit 10 ns sram 128k x 16 平行 10ns
IS66WVQ8M4DBLL-133BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVQ8M4DBLL-133BLI 3.8900
RFQ
 ECAD 466 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga IS66WVQ8M4 psram（pseudo sram 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS66WVQ8M4DBLL-13333333 3A991B2A 8542.32.0041 480 133 MHz 揮発性 32mbit psram 8m x 4 spi -quad i/o 45ns
IS25LP512MG-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512MG-JLLE-TR 4.2584
RFQ
 ECAD 9923 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 2.3V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS25LP512MG-JLLE-TR 4,000 166 MHz 不揮発性 512mbit 5.5 ns フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 70µs 、4ms
IS46LQ32640AL-062BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32640AL-062BLA2 -
RFQ
 ECAD 7473 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-VFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-VFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46LQ32640AL-062BLA2 136 1.6 GHz 揮発性 2Gbit 3.5 ns ドラム 64m x 32 LVSTL 18ns
IS61LF102418A-6.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF102418A-6.5B3I -
RFQ
 ECAD 8681 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-TBGA IS61LF102418 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 144 133 MHz 揮発性 18mbit 6.5 ns sram 1m x 18 平行 -
IS61WV25616EFBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EFBLL-10TLI-TR 1.9686
RFQ
 ECAD 8991 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） sram-非同期 2.4V〜3.6V 44-TSOP II - ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS61WV25616EFBLL-10TLI-TR 1,000 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
IS61VPS51236A-200TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236A-200TQI-TR -
RFQ
 ECAD 1116 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IS61VPS51236 sram- sdr 2.375V〜2.625V 100-lqfp（14x20） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 MHz 揮発性 18mbit 3.1 ns sram 512K x 36 平行 -
IS43LD16320A-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16320A-25BLI 8.1762
RFQ
 ECAD 1394 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-TFBGA IS43LD16320 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.95V 134-TFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 171 400 MHz 揮発性 512mbit ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS46LQ16128AL-062BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128AL-062BLA1-TR -
RFQ
 ECAD 5001 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-VFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-VFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46LQ16128AL-062BLA1-TR 2,500 1.6 GHz 揮発性 2Gbit 3.5 ns ドラム 128m x 16 LVSTL 18ns
IS25WP128F-RMLE-TY ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128F-RMLE-TY 2.2975
RFQ
 ECAD 2471 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） フラッシュ - 1.65V〜1.95V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25WP128F-RMLE-TY 176 166 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 40µs 、800µs
IS42S16100E-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-7TL -
RFQ
 ECAD 6566 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S16100 SDRAM 3V〜3.6V 50-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 117 143 MHz 揮発性 16mbit 5.5 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS61C25616AS-25TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C25616AS-25TLI 4.4700
RFQ
 ECAD 170 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS61C25616 sram-非同期 4.5v〜5.5V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 4mbit 25 ns sram 256k x 16 平行 25ns
IS42S16400F-5BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400F-5BL -
RFQ
 ECAD 6559 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TFBGA IS42S16400 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 348 200 MHz 揮発性 64mbit 5 ns ドラム 4m x 16 平行 -
IS25CD512-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CD512-JNLE -
RFQ
 ECAD 9684 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） IS25CD512 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 100 100 MHz 不揮発性 512kbit フラッシュ 64k x 8 spi 5ms
IS43TR16512AL-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512AL-15HBL 20.9281
RFQ
 ECAD 6613 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-LFBGA IS43TR16512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-lfbga （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 136 667 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS46TR16512BL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512BL-125KBLA1 22.9715
RFQ
 ECAD 1989年年 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46TR16512BL-125KBLA1 136 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS49RL36160-125FBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36160-125FBLI -
RFQ
 ECAD 3312 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 168-lbga rldram 3 1.28V〜1.42V 168-FBGA（13.5x13.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS49RL36160-125FBLI 廃止 1 800 MHz 揮発性 576mbit 8 ns ドラム 16m x 36 平行 -
IS61WV102416FBLL-10B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416FBLL-10B2LI 9.1946
RFQ
 ECAD 4645 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS61WV102416FBLL-10B2LI 480 揮発性 16mbit 10 ns sram 1m x 16 平行 10ns
IS62WV25616DBLL-45TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DBLL-45TI -
RFQ
 ECAD 1700 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS62WV25616 sram-非同期 2.3V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 4mbit 45 ns sram 256k x 16 平行 45ns
IS25LQ512B-JULE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ512B-JULE-TR -
RFQ
 ECAD 5781 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-ufdfn露出パッド IS25LQ512 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 5,000 104 MHz 不揮発性 512kbit フラッシュ 64k x 8 spi -quad i/o 800µs
IS21TF32G-JQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF32G-JQLI-TR 36.0000
RFQ
 ECAD 7751 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga IS21TF32G フラッシュ-Nand （TLC） 2.7V〜3.6V 100-lfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS21TF32G-JQLI-TR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
IS66WVC4M16EALL-7010BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVC4M16EALL-7010BLI 4.6313
RFQ
 ECAD 1326 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 54-VFBGA IS66WVC4M16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 54-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 64mbit 70 ns psram 4m x 16 平行 70ns
IS43TR85120AL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120AL-107MBLI -
RFQ
 ECAD 4603 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA （9x10.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR85120AL-107MBLI ear99 8542.32.0036 220 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
IS61QDPB41M36A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB41M36A-400M3L 75.0000
RFQ
 ECAD 5048 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga IS61QDPB41 sram- quadp 1.71V〜1.89V 165-lfbga（15x17） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 400 MHz 揮発性 36mbit 8.4 ns sram 1m x 36 平行 -
IS42S16800F-6B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-6B -
RFQ
 ECAD 9574 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TFBGA IS42S16800 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 348 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 -
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    標準製品ユニット

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    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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