画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS42S16100E-7BL | - | ![]() | 3434 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 60-TFBGA | IS42S16100 | SDRAM | 3V〜3.6V | 60-TFBGA (6.4x10.1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 286 | 143 MHz | 揮発性 | 16mbit | 5.5 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS25LP256D-RGLE | - | ![]() | 4994 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | IS25LP256 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 7 ns | フラッシュ | 32m x 8 | シリアル | 800µs | ||
![]() | IS42S32800J-6BI | - | ![]() | 3377 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS42S32800J-6BI | 廃止 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | ||
IS61WV51216EEBLL-10TLI | 7.7827 | ![]() | 4720 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS61WV51216 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 8mbit | 10 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 10ns | ||||
![]() | IS46LR32160C-6BLA1 | 10.4878 | ![]() | 6904 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS46LR32160 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.5 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | 12ns | ||
![]() | IS61QDB22M18C-250M3 | - | ![]() | 2847 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | IS61QDB22 | sram- 同期、クワッド | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga(15x17) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | 8.4 ns | sram | 2m x 18 | 平行 | - | ||
![]() | IS46LQ16128AL-062TBLA1 | 10.6342 | ![]() | 7913 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS46LQ16128AL-062TBLA1 | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 16 | LVSTL | 18ns | |||||
![]() | IS22TF128G-JCLA1-TR | 73.8150 | ![]() | 5808 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-Nand (TLC) | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS22TF128G-JCLA1-TR | 2,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
IS43DR16320E-25DBL | 3.4400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | IS43DR16320 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1554 | ear99 | 8542.32.0028 | 209 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS42S32200E-7TLI | - | ![]() | 2194 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S32200 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.5 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS61C5128AS-25QLI-TR | 3.4742 | ![]() | 8657 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-SOIC (0.445 "、幅11.30mm) | IS61C5128 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 4mbit | 25 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 25ns | |||
![]() | IS43R16160F-6BL | 3.9917 | ![]() | 7494 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43R16160 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-tfbga (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 190 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS42S16320D-7TL | 14.4000 | ![]() | 725 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16320 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1268 | ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | |
![]() | IS61NVF51236-7.5B3-TR | - | ![]() | 1386 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | IS61NVF51236 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 117 MHz | 揮発性 | 18mbit | 7.5 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS42RM16160D-7BL-TR | - | ![]() | 2355 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42RM16160 | sdram-モバイル | 2.3V〜2.7V | 54-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS42SM32160C-7BLI | - | ![]() | 8095 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS42SM32160 | sdram-モバイル | 3V〜3.6V | 60-TFBGA (6.4x10.1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS46TR16K01S2AL-125KBLA2-TR | 35.8036 | ![]() | 4500 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-LFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-LWBGA (10x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS46TR16K01S2AL-125KBLA2-TR | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 16gbit | 20 ns | ドラム | 1g x 16 | 平行 | 15ns | |||||
![]() | IS43TR16512S2DL-107MBL | 20.5636 | ![]() | 3836 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-LFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-LWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43TR16512S2DL-107MBL | 190 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | |||||
![]() | IS42S16320F-7TLI-TR | 11.1150 | ![]() | 8335 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16320 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS61VPS25618A-200B3I-TR | - | ![]() | 7227 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61VPS25618 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 200 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.1 ns | sram | 256k x 18 | 平行 | - | ||
![]() | IS62WVS1288FBLL-20NLI-TR | 2.2588 | ![]() | 3958 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | IS62WVS1288 | sram- sdr | 2.2V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 3,000 | 20 MHz | 揮発性 | 1mbit | sram | 128k x 8 | spi -quad i/o、sdi | - | |||
![]() | IS42S32160B-7BL-TR | - | ![]() | 2350 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 90-lfbga | IS42S32160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-LFBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,000 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS61LV12824-10BL | - | ![]() | 3588 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 119-BGA | IS61LV12824 | sram-非同期 | 3.135V〜3.6V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 揮発性 | 3mbit | 10 ns | sram | 128k x 24 | 平行 | 10ns | |||
![]() | IS49NLC36160A-25EWBL | 55.4400 | ![]() | 2595 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLC36160 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-TWBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 15 ns | ドラム | 16m x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS42RM16160E-75BLI-TR | - | ![]() | 9248 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42RM16160 | sdram-モバイル | 2.3V〜3V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 6 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS25WQ040-JKLE | - | ![]() | 2951 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | IS25WQ040 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 570 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 1ms | |||
IS43LR16400B-6BLI | - | ![]() | 1855年 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43LR16400 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 300 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.5 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | IS65WV1288FBLL-55CTLA3-TR | - | ![]() | 5809 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | IS65WV1288 | sram-同期 | 2.2V〜3.6V | 32-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS65WV1288FBLL-55CTLA3-TR | ear99 | 8542.32.0041 | 1,500 | 揮発性 | 1mbit | 55 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 55ns | ||
![]() | IS42S83200J-7TL | 2.9802 | ![]() | 8175 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S83200 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 8 | 平行 | - | ||
![]() | IS42RM16160K-75BLI-TR | 5.0239 | ![]() | 1281 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42RM16160 | sdram-モバイル | 2.3V〜3V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 6 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - |
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