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ICS ）（5782）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
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IS25WP256D-JLLE	5.0200	RFQ	9	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-wdfn露出パッド	IS25WP256	フラッシュ -	1.65V〜1.95V	8-wson （8x6）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	480	104 MHz	不揮発性	256mbit		フラッシュ	32m x 8	spi -quad i/o	800µs
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IS46LD32320A-3BPLA2-TR	-	RFQ	4982	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	168-VFBGA	IS46LD32320	SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4	1.14V〜1.95V	168-VFBGA（12x12）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	1,200	333 MHz	揮発性	1gbit		ドラム	32m x 32	平行	15ns
IS46TR16128D-125KBLA1-TR	4.8753	RFQ	1971年年	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA	IS46TR16128	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS46TR16128D-125KBLA1-TR	ear99	8542.32.0036	1,500	800 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
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IS62WV102416DBLL-45TLI	11.1800	RFQ	9315	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）	IS62WV102416	sram-非同期	2.2V〜3.6V	48-tsop i	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	96		揮発性	16mbit	45 ns	sram	1m x 16	平行	45ns
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IS42RM16160E-75BLI-TR	-	RFQ	9248	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TFBGA	IS42RM16160	sdram-モバイル	2.3V〜3V	54-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	2,500	133 MHz	揮発性	256mbit	6 ns	ドラム	16m x 16	平行	-
IS65WV1288FBLL-55CTLA3-TR	-	RFQ	5809	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）	IS65WV1288	sram-同期	2.2V〜3.6V	32-tsop i	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS65WV1288FBLL-55CTLA3-TR	ear99	8542.32.0041	1,500		揮発性	1mbit	55 ns	sram	128k x 8	平行	55ns
IS43R16320D-6TLI	8.3985	RFQ	7474	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	新しいデザインではありません	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS43R16320	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	108	166 MHz	揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	32m x 16	平行	15ns
IS42S32200E-6TL	-	RFQ	1565	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S32200	SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	108	166 MHz	揮発性	64mbit	5.5 ns	ドラム	2m x 32	平行	-
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IS42S32200L-6BI-TR	-	RFQ	2954	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA	IS42S32200	SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	揮発性	64mbit	5.4 ns	ドラム	2m x 32	平行	-
IS49NLC93200-25B	-	RFQ	3637	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	144-TFBGA	IS49NLC93200	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	104	400 MHz	揮発性	288mbit	20 ns	ドラム	32m x 9	平行	-
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IS25LQ025B-JVLE	-	RFQ	5229	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IS25LQ025	フラッシュ -	2.3V〜3.6V	8-VVSOP	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS25LQ025B-JVLE	ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	不揮発性	256kbit	8 ns	フラッシュ	32k x 8	spi -quad i/o	800µs
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IS43R16320F-5BL	5.8923	RFQ	8491	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	60-TFBGA	IS43R16320	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	60-tfbga （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	190	200 MHz	揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	32m x 16	平行	15ns
IS61NVP102418-250B3-TR	-	RFQ	9777	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-TBGA	IS61NVP102418	sram- sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	250 MHz	揮発性	18mbit	2.6 ns	sram	1m x 18	平行	-
IS61QDPB42M36A1-500M3L	111.7063	RFQ	2703	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61QDPB42	sram- quadp	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	105	500 MHz	揮発性	72mbit	8.4 ns	sram	2m x 36	平行	-
IS42S16800D-6B-TR	-	RFQ	3335	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-VFBGA	IS42S16800	SDRAM	3V〜3.6V	54-minibga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	8m x 16	平行	-
IS62WV102416GBLL-45TLI	8.7377	RFQ	6281	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）	IS62WV102416	sram-非同期	2.2V〜3.6V	48-tsop i	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	96		揮発性	16mbit	45 ns	sram	1m x 16	平行	45ns
IS43TR16640B-125KBLI	-	RFQ	5613	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	190	800 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS46TR16640B-15GBLA1	-	RFQ	7983	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA	IS46TR16640	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	190	667 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ICS ）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²