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製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS42S16100C1-7BL-TR	-	RFQ	4104	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	60-TFBGA	IS42S16100	SDRAM	3V〜3.6V	60-TFBGA （6.4x10.1	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	2,500	143 MHz	揮発性	16mbit	5.5 ns	ドラム	1m x 16	平行	-
IS45S32400F-7BLA1	6.3698	RFQ	8466	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA	IS45S32400	SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	240	143 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 32	平行	-
IS42S32400B-6TL	-	RFQ	7461	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S32400	SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	108	166 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 32	平行	-
IS43R16160B-5TLI-TR	-	RFQ	4848	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS43R16160	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	1,500	200 MHz	揮発性	256mbit	700 ps	ドラム	16m x 16	平行	15ns
IS42S32400B-6T	-	RFQ	2542	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S32400	SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	108	166 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 32	平行	-
IS43R86400D-5B	-	RFQ	3320	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	60-TFBGA	IS43R86400	SDRAM -DDR	2.5V〜2.7V	60-tfbga （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS43R86400D-5B	廃止		190	200 MHz	揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	64m x 8	平行	15ns
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IS43LD32640B-25BPL	-	RFQ	5075	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	前回購入します	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	168-VFBGA	IS43LD32640	SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4	1.14V〜1.95V	168-VFBGA（12x12）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	168	400 MHz	揮発性	2Gbit		ドラム	64m x 32	平行	15ns
IS42S16400D-7TL-TR	-	RFQ	5396	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S16400	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	1,500	143 MHz	揮発性	64mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 16	平行	-
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IS42S16160D-7BL	-	RFQ	1984年年	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TFBGA	IS42S16160	SDRAM	3V〜3.6V	54-TW-BGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	240	143 MHz	揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	16m x 16	平行	-
IS61QDPB42M36A1-500M3L	111.7063	RFQ	2703	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61QDPB42	sram- quadp	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	105	500 MHz	揮発性	72mbit	8.4 ns	sram	2m x 36	平行	-
IS46DR16320D-25DBA2	-	RFQ	2815	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	84-TFBGA	IS46DR16320	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA （8x12.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS46DR16320D-25DBA2	廃止		209	400 MHz	揮発性	512mbit	400 PS	ドラム	32m x 16	平行	15ns
IS46TR16128D-125KBLA1-TR	4.8753	RFQ	1971年年	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA	IS46TR16128	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS46TR16128D-125KBLA1-TR	ear99	8542.32.0036	1,500	800 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
IS25WP256D-JLLE	5.0200	RFQ	9	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-wdfn露出パッド	IS25WP256	フラッシュ -	1.65V〜1.95V	8-wson （8x6）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	480	104 MHz	不揮発性	256mbit		フラッシュ	32m x 8	spi -quad i/o	800µs
IS25LQ025B-JVLE	-	RFQ	5229	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IS25LQ025	フラッシュ -	2.3V〜3.6V	8-VVSOP	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS25LQ025B-JVLE	ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	不揮発性	256kbit	8 ns	フラッシュ	32k x 8	spi -quad i/o	800µs
IS42S16160D-6BL-TR	-	RFQ	4076	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TFBGA	IS42S16160	SDRAM	3V〜3.6V	54-TW-BGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	2,500	166 MHz	揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	16m x 16	平行	-
IS25LP256D-JLLA3	4.0905	RFQ	6719	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	バルク	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	8-wdfn露出パッド		フラッシュ - （slc）	2.3V〜3.6V	8-wson （8x6）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS25LP256D-JLLA3			480	166 MHz	不揮発性	256mbit	6.5 ns	フラッシュ	32m x 8	spi -quad i/o	40µs 、800µs
IS46LD32320A-3BPLA2-TR	-	RFQ	4982	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	168-VFBGA	IS46LD32320	SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4	1.14V〜1.95V	168-VFBGA（12x12）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	1,200	333 MHz	揮発性	1gbit		ドラム	32m x 32	平行	15ns
IS61NLP102418-200B3I-TR	-	RFQ	4504	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	165-TBGA	IS61NLP102418	sram- sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	200 MHz	揮発性	18mbit	3.1 ns	sram	1m x 18	平行	-
IS61NVP102418-250B3-TR	-	RFQ	9777	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-TBGA	IS61NVP102418	sram- sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	250 MHz	揮発性	18mbit	2.6 ns	sram	1m x 18	平行	-
IS61LP6436A-133TQ	-	RFQ	3933	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	IS61LP6436	sram- sdr	3.135V〜3.6V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	72	133 MHz	揮発性	2mbit	4 ns	sram	64k x 36	平行	-
IS42S32200L-7BL-TR	3.7974	RFQ	1798	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	90-TFBGA	IS42S32200	SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	2,500	143 MHz	揮発性	64mbit	5.4 ns	ドラム	2m x 32	平行	-
IS42SM32200M-6BLI-TR	3.3554	RFQ	2686	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA	IS42SM32200	sdram-モバイル	2.7V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0002	2,500	166 MHz	揮発性	64mbit	5.5 ns	ドラム	2m x 32	平行	-
IS61VVF409618B-7.5TQL	142.2603	RFQ	7785	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	IS61VVF409618	sram- sdr	1.71V〜1.89V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	揮発性	72mbit	7.5 ns	sram	4m x 18	平行	-
IS25LP064-JKLE	-	RFQ	8223	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-wdfn露出パッド	IS25LP064	フラッシュ -	2.3V〜3.6V	8-wson （6x5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	100	133 MHz	不揮発性	64mbit		フラッシュ	8m x 8	spi -quad i/o、qpi	800µs
IS61QDB21M36C-250M3	-	RFQ	7324	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61QDB21	sram- 同期、クワッド	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	揮発性	36mbit	8.4 ns	sram	1m x 36	平行	-
IS61QDPB42M36A1-500M3LI	117.1779	RFQ	6457	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	165-lbga	IS61QDPB42	sram- quadp	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	105	500 MHz	揮発性	72mbit	8.4 ns	sram	2m x 36	平行	-
IS61LV632A-6TQI	-	RFQ	2857	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	IS61Lv632	sram-非同期	3.135V〜3.6V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2B	8542.32.0041	72		揮発性	1mbit	6 ns	sram	32K x 32	平行	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ICS ）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²