画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | アプリケーション | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | タイプ | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 現在 -出力 /チャネル | クロック周波数 | 出力数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | 内部スイッチ | トポロジー | 電圧 -供給(最大) | 調光 | 電圧 -供給(最小) | 電圧 -出力 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS42VM32800K-6BLI-TR | 5.5200 | ![]() | 9806 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42VM32800 | sdram-モバイル | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | |||||||||||||
![]() | IS29GL256-70FLET-TR | 5.0853 | ![]() | 7391 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 64-lbga | フラッシュ - (slc) | 3V〜3.6V | 64-lfbga(11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS29GL256-70FLET-TR | 2,000 | 不揮発性 | 256mbit | 70 ns | フラッシュ | 32m x 8 | CFI | 70ns 、200µs | |||||||||||||||||
![]() | IS43R86400D-6BL-TR | 7.1700 | ![]() | 4364 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43R86400 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-tfbga (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS46TR16256A-125KBLA2-TR | - | ![]() | 3822 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16256 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS61LV25616AL-10LQI-TR | - | ![]() | 6057 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-LQFP | IS61LV25616 | sram-非同期 | 3.135V〜3.6V | 44-lqfp(10x10) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,500 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 10ns | ||||||||||||||
![]() | IS62WV25616EBLL-45BI-TR | - | ![]() | 2513 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | IS62WV25616 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 揮発性 | 4mbit | 45 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 45ns | ||||||||||||||
IS61WV25616BLL-10TLI | 3.8600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS61WV25616 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 10ns | |||||||||||||||
![]() | IS25WP016-JKLE | - | ![]() | 9946 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | IS25WP016 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 570 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 7 ns | フラッシュ | 2m x 8 | シリアル | 800µs | |||||||||||||
IS62WV12816BLL-45TLI-TR | 2.9945 | ![]() | 7008 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS62WV12816 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 2mbit | 55 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 55ns | |||||||||||||||
![]() | IS45S16160G-6CTLA1 | 6.8591 | ![]() | 9800 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS45S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | |||||||||||||
![]() | IS43DR81280B-25EBL-TR | - | ![]() | 9933 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43DR81280 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS61VPD51236A-250B3I-TR | - | ![]() | 2634 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61VPD51236 | sram- クアッドポート、同期 | 2.375V〜2.625V | 165-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | 2.6 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||||||||||||
![]() | IS25WQ020-JKLE | - | ![]() | 2444 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | IS25WQ020 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 570 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi | 1ms | ||||||||||||||
![]() | IS34ML02G084-BLI | 5.0397 | ![]() | 6929 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA (9x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS34ML02G084-BLI | 220 | 不揮発性 | 2Gbit | 20 ns | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | 25ns | |||||||||||||||||
![]() | IS45S16400J-7BLA1-TR | 3.6664 | ![]() | 1552 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS45S16400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | |||||||||||||
![]() | IS61NLF102418-6.5TQ-TR | - | ![]() | 2215 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | IS61NLF102418 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 133 MHz | 揮発性 | 18mbit | 6.5 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | |||||||||||||
![]() | IS25WP128-JBLE-TR | 1.8334 | ![]() | 5479 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | IS25WP128 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 800µs | ||||||||||||||
![]() | IS62WV5128DBLL-45HLI-TR | - | ![]() | 7299 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-TFSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | IS62WV5128 | sram-非同期 | 2.3V〜3.6V | 32 stsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 4mbit | 45 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 45ns | ||||||||||||||
![]() | IS45S16800E-7BLA2-TR | - | ![]() | 8198 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 54-TFBGA | IS45S16800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | - | |||||||||||||
![]() | IS61LPS25636A-200TQLI-TR | 12.7500 | ![]() | 2537 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LPS25636 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.1 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |||||||||||||
![]() | IS46TR85120A-125KBLA2-TR | - | ![]() | 1516 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | IS46TR85120 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA (9x10.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46TR85120A-125KBLA2-TR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | ||||||||||||
![]() | IS46TR16128CL-15HBLA2-TR | 6.5574 | ![]() | 7979 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS32LT3129A-GRLA3-TR | - | ![]() | 1535 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C | LED照明 | 表面マウント | 20-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm )露出したパッド | リニア | - | 20エトソップ | - | 3 (168 時間) | 2,500 | 30MA、150ma | 3 | いいえ | - | 42V | i²c、pwm | 5V | - | |||||||||||||||||
![]() | IS41LV16105D-50TLI | 5.8702 | ![]() | 9172 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 50-tsop (0.400 "、10.16mm 幅)、44のリード | IS41LV16105 | DRAM -FP | 3V〜3.6V | 50-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 117 | 揮発性 | 16mbit | 25 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | ||||||||||||||
![]() | IS43TR85120AL-125KBL | - | ![]() | 9218 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | IS43TR85120 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA (9x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 220 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS46LQ32128A-062TBLA1 | - | ![]() | 7655 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 200-VFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-VFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS46LQ32128A-062TBLA1 | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 32 | LVSTL | 18ns | ||||||||||||||||
![]() | IS61C1024AL-12TI | - | ![]() | 1769 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | IS61C1024 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 156 | 揮発性 | 1mbit | 12 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 12ns | ||||||||||||||
![]() | IS25LQ040B-JKLE | - | ![]() | 8673 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | IS25LQ040 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1315 | ear99 | 8542.32.0071 | 570 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 800µs | |||||||||||||
![]() | IS42VM16400K-6BLI-TR | - | ![]() | 4034 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42VM16400 | sdram-モバイル | 1.7V〜1.95V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.5 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | |||||||||||||
![]() | IS42S32800B-7Tli | - | ![]() | 9866 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S32800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - |
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