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ICS ）（5782）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
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IS66WV51216DBLL-55BLI	-	RFQ	4389	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA	IS66WV51216	psram（pseudo sram	2.5V〜3.6V	48-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	480		揮発性	8mbit	55 ns	psram	512K x 16	平行	55ns
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IS41LV16105D-50TLI	5.8702	RFQ	9172	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅）、44のリード	IS41LV16105	DRAM -FP	3V〜3.6V	50-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	117		揮発性	16mbit	25 ns	ドラム	1m x 16	平行	-
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IS61WV2568EDBLL-10TLI-TR	3.9706	RFQ	8662	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS61WV2568	sram-非同期	2.4V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		揮発性	2mbit	10 ns	sram	256k x 8	平行	10ns
IS43R16320D-6BL	8.0052	RFQ	1234	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	新しいデザインではありません	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	60-TFBGA	IS43R16320	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	60-tfbga （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	190	166 MHz	揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	32m x 16	平行	15ns
IS61DDB21M36A-250M3L	-	RFQ	7294	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61DDB21	sram- ddr ii	1.71V〜1.89V	165-lfbga（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0002	105	250 MHz	揮発性	36mbit	8.4 ns	sram	1m x 36	平行	-
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IS43R16320F-5TL	3.2303	RFQ	1430	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43R16320F-5TL			108	200 MHz	揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	32m x 16	SSTL_2	15ns
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IS61DDB24M18A-300B4LI	74.4172	RFQ	4148	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	165-lbga	IS61DDB24	sram- ddr ii	1.71V〜1.89V	165-lfbga（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0002	144	300 MHz	揮発性	72mbit		sram	4m x 18	平行	-
IS61LV25616AL-10TLI-TR	5.0400	RFQ	5	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS61LV25616	sram-非同期	3.135V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		揮発性	4mbit	10 ns	sram	256k x 16	平行	10ns
IS61NVF51236-7.5TQI-TR	-	RFQ	7597	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	IS61NVF51236	sram- sdr	2.375V〜2.625V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	揮発性	18mbit	7.5 ns	sram	512K x 36	平行	-
IS25LP064D-JKLE	1.3549	RFQ	4254	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	バルク	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-wdfn露出パッド		フラッシュ - （slc）	2.3V〜3.6V	8-wson （6x5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS25LP064D-JKLE			570	166 MHz	不揮発性	64mbit		フラッシュ	8m x 8	spi -quad i/o	40µs 、800µs
IS61WV12816EFBLL-10TLI-TR	2.8969	RFQ	8236	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		sram-非同期	2.4V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS61WV12816EFBLL-10TLI-TR			1,000		揮発性	2mbit	10 ns	sram	128k x 16	平行	10ns
IS62WVS2568GBLL-45NLI	2.5369	RFQ	4194	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		sram-同期	2.7V〜3.6V	8-SOIC	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS62WVS2568GBLL-45NLI			100	45 MHz	揮発性	2mbit	15 ns	sram	256k x 8	spi -quad i/o、sdi	-
IS46TR16256AL-125KBLA2-TR	-	RFQ	4002	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	96-TFBGA	IS46TR16256	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	1,500	800 MHz	揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	256m x 16	平行	15ns
IS25LQ040B-JULE	-	RFQ	8169	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-ufdfn露出パッド	IS25LQ040	フラッシュ -	2.3V〜3.6V	8-USON	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS25LQ040B-JULETR	ear99	8542.32.0071	5,000	104 MHz	不揮発性	4mbit	8 ns	フラッシュ	512k x 8	spi -quad i/o	800µs
IS46LR16320B-6BLA1	-	RFQ	1745	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	60-TFBGA	IS46LR16320	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	300	166 MHz	揮発性	512mbit	5.5 ns	ドラム	32m x 16	平行	12ns
IS42SM32800D-75BLI-TR	-	RFQ	2119	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA	IS42SM32800	sdram-モバイル	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	2,500	133 MHz	揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	8m x 32	平行	-
IS25LP512MG-RMLE-TY	6.9200	RFQ	259	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	IS25LP512	フラッシュ -	2.3V〜3.6V	16-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS25LP512MG-RMLE-TY	3A991B1A	8542.32.0071	176	166 MHz	不揮発性	512mbit	5.5 ns	フラッシュ	64m x 8	spi -quad i/o	50µs、1ms
IS42VM16800E-75BLI	-	RFQ	9734	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TFBGA	IS42VM16800	sdram-モバイル	1.7V〜1.95V	54-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	348	133 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	8m x 16	平行	-
IS61WV5128EDBLL-10BLI	4.2400	RFQ	945	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	36-tfbga	IS61WV5128	sram-非同期	2.4V〜3.6V	36-tfbga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	480		揮発性	4mbit	10 ns	sram	512k x 8	平行	10ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ICS ）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²