SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS43DR86400D-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400D-25DBLI-TR 5.5650
RFQ
ECAD 1448 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-TFBGA IS43DR86400 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,000 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
IS63LV1024L-12H-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-12H-TR -
RFQ
ECAD 5878 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 32-TFSOP (0.465 "、11.80mm 幅) IS63LV1024 sram-非同期 3V〜3.6V 32 stsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 2,000 揮発性 1mbit 12 ns sram 128k x 8 平行 12ns
IS25LX256-LHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX256-LHLE 5.1400
RFQ
ECAD 240 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 24-tbga フラッシュ 2.7V〜3.6V 24-tfbga - ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS25LX256-LHLE 480 133 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 SPI -OCTAL I/O 1.8ms
IS43TR16128C-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128C-107MBL-TR -
RFQ
ECAD 8329 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 933 MHz 揮発性 2Gbit 195 ps ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS64WV6416BLL-15BLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV6416BLL-15BLA3-TR 4.0648
RFQ
ECAD 8144 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA IS64Wv6416 sram-非同期 2.5V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 2,500 揮発性 1mbit 15 ns sram 64k x 16 平行 15ns
IS42S32200L-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-7BL-TR 3.7974
RFQ
ECAD 1798 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 90-TFBGA IS42S32200 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 2m x 32 平行 -
IS46DR16640B-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640B-3DBLA2 10.6309
RFQ
ECAD 7583 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 84-TFBGA IS46DR16640 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA (8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 209 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS43TR82560CL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560CL-125KBLI 7.0517
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ECAD 8132 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
IS43TR16640A-125JBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640A-125JBL-TR -
RFQ
ECAD 4931 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) sicで中止されました 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,500 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS25LQ040-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ040-JBLE-TR -
RFQ
ECAD 8963 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) IS25LQ040 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o 700µs
IS49NLC36800-33BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800-33BI -
RFQ
ECAD 4628 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 144-TFBGA IS49NLC36800 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA (11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 104 300 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 8m x 36 平行 -
IS43R16160B-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160B-6TL -
RFQ
ECAD 7982 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS43R16160 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 108 166 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
IS61QDB24M18A-300B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB24M18A-300B4LI 116.1762
RFQ
ECAD 1494 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 165-lbga IS61QDB24 sram- 同期、クワッド 1.71V〜1.89V 165-lfbga(13x15) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 144 300 MHz 揮発性 72mbit 1.48 ns sram 4m x 18 平行 -
IS42S16800D-75EBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800D-75EBL-TR -
RFQ
ECAD 9882 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-VFBGA IS42S16800 SDRAM 3V〜3.6V 54-minibga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 133 MHz 揮発性 128mbit 6.5 ns ドラム 8m x 16 平行 -
IS43R86400F-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400F-5BLI 6.5170
RFQ
ECAD 6701 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-TFBGA IS43R86400 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-tfbga (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 190 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
IS61LP6436A-133TQ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LP6436A-133TQ -
RFQ
ECAD 3933 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp IS61LP6436 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-lqfp(14x20) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 72 133 MHz 揮発性 2mbit 4 ns sram 64k x 36 平行 -
IS45S32400F-6TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400F-6TLA2-TR 7.4598
RFQ
ECAD 6688 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS45S32400 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 -
IS42S32200E-6B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200E-6B-TR -
RFQ
ECAD 1485 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 90-TFBGA IS42S32200 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 -
IS43TR16640CL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640CL-107MBL 3.3318
RFQ
ECAD 6877 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS43TR16640CL-107MBL ear99 8542.32.0032 190 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS61LPS12836A-200B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS12836A-200B2LI -
RFQ
ECAD 8636 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 119-BBGA IS61LPS12836 sram- sdr 3.135V〜3.465V 119-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 84 200 MHz 揮発性 4.5mbit 3.1 ns sram 128k x 36 平行 -
IS42VM16320D-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16320D-75BLI-TR -
RFQ
ECAD 8011 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42VM16320 sdram-モバイル 1.7V〜1.95V 54-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 133 MHz 揮発性 512mbit 6 ns ドラム 32m x 16 平行 -
IS66WVS1M8BLL-104NLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVS1M8BLL-104NLI 2.8500
RFQ
ECAD 335 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) IS66WVS1M8 psram(pseudo sram 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS66WVS1M8BLL-104NLI 3A991B2A 8542.32.0041 100 104 MHz 揮発性 8mbit 7 ns psram 1m x 8 spi、qpi -
IS45S32800J-6TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32800J-6TLA1 8.2104
RFQ
ECAD 3065 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS45S32800 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0024 108 166 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 -
IS21TF128G-JQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF128G-JQLI 66.7335
RFQ
ECAD 6805 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 100-lbga フラッシュ-Nand (TLC) 2.7V〜3.6V 100-lfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS21TF128G-JQLI 98 200 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 EMMC_5.1 -
IS43R16320D-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-6BL 8.0052
RFQ
ECAD 1234 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 60-TFBGA IS43R16320 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-tfbga (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 190 166 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS42SM16800H-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16800H-6BLI-TR 4.1257
RFQ
ECAD 2686 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42SM16800 sdram-モバイル 2.7V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0002 2,500 166 MHz 揮発性 128mbit 5.5 ns ドラム 8m x 16 平行 -
IS61DDB21M36A-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB21M36A-250M3L -
RFQ
ECAD 7294 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 165-lbga IS61DDB21 sram- ddr ii 1.71V〜1.89V 165-lfbga(13x15) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0002 105 250 MHz 揮発性 36mbit 8.4 ns sram 1m x 36 平行 -
IS43R16320E-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-6BL 7.0302
RFQ
ECAD 2197 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 60-TFBGA IS43R16320 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-tfbga (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 190 166 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS43R16320F-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320F-5TL 3.2303
RFQ
ECAD 1430 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS43R16320F-5TL 108 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 SSTL_2 15ns
IS49NLC36800-25B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800-25B -
RFQ
ECAD 2989 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 144-TFBGA IS49NLC36800 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA (11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 104 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 8m x 36 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

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    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

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