画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | アプリケーション | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | タイプ | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 現在 -出力 /チャネル | クロック周波数 | 出力数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | 内部スイッチ | トポロジー | 電圧 -供給(最大) | 調光 | 電圧 -供給(最小) | 電圧 -出力 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS42VM16160D-8BL | - | ![]() | 5027 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42VM16160 | sdram-モバイル | 1.7V〜1.95V | 54-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 125 MHz | 揮発性 | 256mbit | 6 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | |||||||||||||
![]() | IS43TR85120B-125KBL-TR | 5.4437 | ![]() | 5184 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43TR85120B-125KBL-TR | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS61NLP25618A-200TQLI-TR | 7.5837 | ![]() | 7460 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61NLP25618 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.1 ns | sram | 256k x 18 | 平行 | - | |||||||||||||
![]() | IS42SM16200C-75BLI-TR | - | ![]() | 5354 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42SM16200 | sdram-モバイル | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 133 MHz | 揮発性 | 32mbit | 6 ns | ドラム | 2m x 16 | 平行 | - | |||||||||||||
![]() | IS43R16800C-5TL | - | ![]() | 4593 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS43R16800 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 200 MHz | 揮発性 | 128mbit | 700 ps | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS62WV2568DBLL-45TLI | 1.4800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | IS62WV2568 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 32-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください | 3A991 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 2mbit | 45 ns | sram | 256k x 8 | 平行 | 45ns | ||||||||||||||
![]() | IS49NLC18320A-25EWBLI | 54.4856 | ![]() | 4561 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-TWBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS49NLC18320A-25EWBLI | 104 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 15 ns | ドラム | 32m x 18 | HSTL | - | |||||||||||||||
![]() | IS64LF102436B-7.5TQLA3 | 132.3258 | ![]() | 7589 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS64LF102436 | sram-非同期 | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | 揮発性 | 36mbit | 7.5 ns | sram | 1m x 36 | 平行 | - | |||||||||||||
![]() | IS46LQ32128AL-062BLA2 | - | ![]() | 2605 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-VFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS46LQ32128AL-062BLA2 | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 32 | LVSTL | 18ns | ||||||||||||||||
![]() | IS25LP256H-RMLE-TR | 3.5165 | ![]() | 6157 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS25LP256H-RMLE-TR | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、1ms | |||||||||||||||||
![]() | IS45S16100H-7TLA2-TR | 2.4051 | ![]() | 9948 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 50-tsop (0.400 "、10.16mm 幅) | IS45S16100 | SDRAM | 3V〜3.6V | 50-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 143 MHz | 揮発性 | 16mbit | 5.5 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | |||||||||||||
![]() | IS49NLC18320-25BLI | - | ![]() | 1713 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLC18320 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 32m x 18 | 平行 | - | |||||||||||||
![]() | IS61NLP102418B-200B3L | 15.7469 | ![]() | 1601 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | IS61NLP102418 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | |||||||||||||
![]() | IS61WV10248BLL-10MLI | 13.5201 | ![]() | 4997 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS61WV10248 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-minibga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 210 | 揮発性 | 8mbit | 10 ns | sram | 1m x 8 | 平行 | 10ns | ||||||||||||||
![]() | IS43R16800E-6TL | 2.3023 | ![]() | 3553 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS43R16800 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 700 ps | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 12ns | |||||||||||||
![]() | IS25LQ010B-JBLE-TR | - | ![]() | 2622 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | IS25LQ010 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラッシュ | 128k x 8 | spi -quad i/o | 800µs | ||||||||||||||
![]() | IS43TR16640A-15GBL-TR | - | ![]() | 9608 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |||||||||||||
IS61LV5128AL-10BLI-TR | - | ![]() | 9719 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 36-tfbga | IS61LV5128 | sram-非同期 | 3.135V〜3.6V | 36-minibga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 10ns | |||||||||||||||
![]() | IS42VM16320E-6BLI | 8.6117 | ![]() | 6990 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42VM16320 | sdram-モバイル | 1.7V〜1.95V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 348 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.5 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | |||||||||||||
![]() | IS32FL3740-ZLA3 | - | ![]() | 7599 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C | 汎用 | 表面マウント | 20-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm )露出したパッド | リニア | IS32FL3740 | 1MHz | 20エトソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 70 | 84ma | 7 | いいえ | - | 5.5V | PWM | 2.7V | - | ||||||||||||
![]() | IS45S16800F-6TLA1-TR | 4.1195 | ![]() | 7148 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS45S16800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | - | |||||||||||||
![]() | IS66WV1M16DBLL-55BLI | - | ![]() | 7431 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS66WV1M16 | psram(pseudo sram | 2.5V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 16mbit | 55 ns | psram | 1m x 16 | 平行 | 55ns | ||||||||||||||
![]() | IS25LP064D-JBLA3 | 2.4900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | IS25LP064 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS25LP064D-JBLA3 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 166 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 800µs | |||||||||||||
![]() | IS61NLP25618A-200B3LI-TR | 9.1500 | ![]() | 2926 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61NLP25618 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 200 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.1 ns | sram | 256k x 18 | 平行 | - | |||||||||||||
![]() | IS42S32800D-75EBI | - | ![]() | 5644 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | |||||||||||||
IS43LR16160G-6BLI-TR | 5.4750 | ![]() | 7796 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43LR16160 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,000 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||||||||||||||
![]() | IS43TR16512A-125KBLI | - | ![]() | 7593 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-LFBGA | IS43TR16512 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-lfbga (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1460 | ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | ||||||||||||
![]() | IS42S16320F-6BLI | 11.9356 | ![]() | 3137 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S16320 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TW-BGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 167 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | |||||||||||||
IS64WV51216BLL-10CTLA3 | 16.3574 | ![]() | 9852 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS64WV51216 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 8mbit | 10 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 10ns | |||||||||||||||
![]() | IS42S16100E-6BL-TR | - | ![]() | 7461 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 60-TFBGA | IS42S16100 | SDRAM | 3V〜3.6V | 60-TFBGA (6.4x10.1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 16mbit | 5.5 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - |
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