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製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS46DR16320D-25DBLA1	6.7565	RFQ	9104	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	新しいデザインではありません	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	84-TFBGA	IS46DR16320	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA （8x12.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	209	400 MHz	揮発性	512mbit	400 PS	ドラム	32m x 16	平行	15ns
IS61VPS102436B-166B3LI-TR	87.0000	RFQ	2012年	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	165-TBGA	IS61VPS102436	sram- sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	166 MHz	揮発性	36mbit	3.5 ns	sram	1m x 36	平行	-
IS43LD32640B-25BPL-TR	-	RFQ	7471	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	168-VFBGA	IS43LD32640	SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4	1.14V〜1.95V	168-VFBGA（12x12）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	1,500	400 MHz	揮発性	2Gbit		ドラム	64m x 32	平行	15ns
IS65WV1288FBLL-45TLA3-TR	-	RFQ	7396	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）	IS65WV1288	sram-非同期	2.2V〜3.6V	32-tsop i	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2B	8542.32.0041	1,500		揮発性	1mbit	45 ns	sram	128k x 8	平行	45ns
IS25WP128-JMLE-TR	-	RFQ	8824	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	IS25WP128	フラッシュ -	1.65V〜1.95V	16-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	133 MHz	不揮発性	128mbit		フラッシュ	16m x 8	spi -quad i/o	800µs
IS43TR85120AL-15HBL-TR	-	RFQ	3153	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA	IS43TR85120	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （9x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	1,500	667 MHz	揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	512m x 8	平行	15ns
IS43DR16320C-3DBLI	6.2262	RFQ	2222	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	新しいデザインではありません	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	84-TFBGA	IS43DR16320	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA （8x12.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	209	333 MHz	揮発性	512mbit	450 PS	ドラム	32m x 16	平行	15ns
IS46TR16128C-125KBLA2	7.7423	RFQ	5241	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	96-TFBGA	IS46TR16128	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	190	800 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
IS64LPS102436B-166B2LA3-TR	-	RFQ	5853	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	119-BBGA	IS64LPS102436	sram- sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	166 MHz	揮発性	36mbit	3.8 ns	sram	1m x 36	平行	-
IS61VPS204836B-250TQLI-TR	114.6600	RFQ	5890	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	IS61VPS204836	sram- sdr	2.375V〜2.625V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	800	250 MHz	揮発性	72mbit	2.8 ns	sram	2m x 36	平行	-
IS62WV6416DBLL-45BLI-TR	-	RFQ	3397	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA	IS62Wv6416	sram-非同期	2.3V〜3.6V	48-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	2,500		揮発性	1mbit	45 ns	sram	64k x 16	平行	45ns
IS43LR32400F-6BL-TR	-	RFQ	1070	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	90-TFBGA	IS43LR32400	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	揮発性	128mbit	5.5 ns	ドラム	4m x 32	平行	15ns
IS43TR16640B-125KBL	-	RFQ	5901	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	トレイ	廃止	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS43TR16640B-125KBL	ear99	8542.32.0032	190	800 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS25LP064D-RMLE-TY	1.4742	RFQ	3319	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）		フラッシュ -	2.3V〜3.6V	16-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS25LP064D-RMLE-TY			176	166 MHz	不揮発性	64mbit		フラッシュ	8m x 8	spi -quad i/o	40µs 、800µs
IS25LQ040B-JBLE-TR	-	RFQ	9945	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm）	IS25LQ040	フラッシュ -	2.3V〜3.6V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	2,000	104 MHz	不揮発性	4mbit		フラッシュ	512k x 8	spi -quad i/o	800µs
IS42S32400B-7B	-	RFQ	1378	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	90-TFBGA	IS42S32400	SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	240	143 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 32	平行	-
IS25WP080D-JBLE-TR	0.6025	RFQ	5785	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm）	IS25WP080	フラッシュ -	1.65V〜1.95V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	2,000	133 MHz	不揮発性	8mbit		フラッシュ	1m x 8	spi -quad i/o	800µs
IS43TR85120AL-125KBL-TR	-	RFQ	2557	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA	IS43TR85120	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （9x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	1,500	800 MHz	揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	512m x 8	平行	15ns
IS61QDB22M18-250M3	-	RFQ	2919	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61QDB22	sram- 同期、クワッド	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	揮発性	36mbit	7.5 ns	sram	2m x 18	平行	-
IS61LV12816L-10BI-TR	-	RFQ	8122	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA	IS61LV12816	sram-非同期	3.135V〜3.6V	48-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		揮発性	2mbit	10 ns	sram	128k x 16	平行	10ns
IS65LV256AL-45TLA3	2.9235	RFQ	4747	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅）	IS65LV256	sram-非同期	3V〜3.6V	28-tsop i	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	234		揮発性	256kbit	45 ns	sram	32k x 8	平行	45ns
IS42S32800B-6BL-TR	-	RFQ	5670	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	90-TFBGA	IS42S32800	SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	2,500	166 MHz	揮発性	256mbit	5.5 ns	ドラム	8m x 32	平行	-
IS42S32400B-7T	-	RFQ	9247	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S32400	SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 32	平行	-
IS42RM16200D-75BLI	2.3842	RFQ	4717	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TFBGA	IS42RM16200	sdram-モバイル	2.3V〜2.7V	54-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	348	133 MHz	揮発性	32mbit	6 ns	ドラム	2m x 16	平行	-
IS25WP032-JBLE-TR	-	RFQ	8190	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm）	IS25WP032	フラッシュ -	1.65V〜1.95V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	133 MHz	不揮発性	32mbit	7 ns	フラッシュ	4m x 8	spi -quad i/o	800µs
IS43TR16640B-125KBLI-TR	-	RFQ	5136	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	1,500	800 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS25WP016D-JLLE-TR	0.8389	RFQ	3639	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-wdfn露出パッド	IS25WP016	フラッシュ -	1.65V〜1.95V	8-wson （8x6）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	4,000	133 MHz	不揮発性	16mbit		フラッシュ	2m x 8	spi -quad i/o	800µs
IS61NVP51236-250B3	-	RFQ	8736	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-TBGA	IS61NVP51236	sram- sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	144	250 MHz	揮発性	18mbit	2.6 ns	sram	512K x 36	平行	-
IS43DR81280B-25DBL	5.0116	RFQ	9349	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	新しいデザインではありません	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	60-TFBGA	IS43DR81280	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA （8x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	242	400 MHz	揮発性	1gbit	400 PS	ドラム	128m x 8	平行	15ns
IS42VS16100C1-10TL	-	RFQ	9811	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42VS16100	SDRAM	1.7V〜1.9V	50-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	117	100 MHz	揮発性	16mbit	7 ns	ドラム	1m x 16	平行	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ICS ）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²