画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS61DDPB44M18A-400M3L | 100.1770 | ![]() | 3310 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | IS61DDPB44 | sram- ddr iip | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga(15x17) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 400 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | IS49NLS93200-33B | - | ![]() | 8175 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLS93200 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 104 | 300 MHz | 揮発性 | 288mbit | 20 ns | ドラム | 32m x 9 | 平行 | - | ||
![]() | IS63LV1024L-12JL-TR | - | ![]() | 8175 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | IS63LV1024 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 32-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 12 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 12ns | |||
![]() | IS62WV51216EBLL-45BLI | 6.5500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | IS62WV51216 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 8mbit | 45 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 45ns | |||
![]() | IS42VS16100C1-10T-TR | - | ![]() | 8533 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 50-tsop (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42VS16100 | SDRAM | 1.7V〜1.9V | 50-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 100 MHz | 揮発性 | 16mbit | 7 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS45S32800J-6BLA1 | 7.9350 | ![]() | 8876 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS45S32800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 8 | 平行 | - | ||
![]() | IS42S32800D-6TLI-TR | - | ![]() | 6492 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S32800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS43LD16256C-18BPLI | - | ![]() | 5482 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 168-VFBGA | IS43LD16256 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 168-VFBGA(12x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS43LD16256C-18BPLI | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 533 MHz | 揮発性 | 4gbit | 5.5 ns | ドラム | 256m x 16 | HSUL_12 | 15ns | |
![]() | IS43DR86400E-3DBL-TR | 2.4369 | ![]() | 4670 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 60-TFBGA | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43DR86400E-3DBL-TR | 2,000 | 333 MHz | 揮発性 | 512mbit | 450 PS | ドラム | 64m x 8 | SSTL_18 | 15ns | |||||
![]() | IS61LPS51218A-200TQLI | 15.4275 | ![]() | 7502 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LPS51218 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.1 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | ||
![]() | IS46TR16128B-15HBLA1-TR | - | ![]() | 2994 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS46TR16512A-125KBLA2-TR | - | ![]() | 3683 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-LFBGA | IS46TR16512 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-lfbga (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46TR16512A-125KBLA2-TR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | |
![]() | IS62WV6416ALL-55BLI | 2.9583 | ![]() | 3861 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS62Wv6416 | sram-非同期 | 1.7V〜2.2V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 1mbit | 55 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 55ns | |||
![]() | IS45S16320D-7BLA2-TR | 23.2650 | ![]() | 7654 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 54-TFBGA | IS45S16320 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS61LF51236B-6.5TQLI-TR | 15.0000 | ![]() | 6413 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LF51236 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 133 MHz | 揮発性 | 18mbit | 6.5 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS42VM32800E-6BLI | - | ![]() | 8084 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42VM32800 | sdram-モバイル | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS42S16320D-7BL | 19.8100 | ![]() | 155 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S16320 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TW-BGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1206 | ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | |
IS62WV12816BLL-55T | - | ![]() | 7550 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS62WV12816 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 2mbit | 55 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | IS62WV51216HBLL-45BLI | 4.1520 | ![]() | 7180 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS62WV51216HBLL-45BLI | 480 | 揮発性 | 8mbit | 45 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 45ns | ||||||
![]() | IS42S16320B-7BLI | - | ![]() | 3981 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S16320 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-WBGA (11x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 144 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS45S16320D-7TLA1 | 18.7367 | ![]() | 8818 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS45S16320 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS49NLC36160-33B | - | ![]() | 9013 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLC36160 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 104 | 300 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 16m x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS25LQ040B-JBLE | - | ![]() | 9444 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | IS25LQ040 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1314 | ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 800µs | ||
![]() | IS43LR32400G-6BL | 4.5560 | ![]() | 5853 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 90-TFBGA | IS43LR32400 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.5 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS25LD040-JKLE | - | ![]() | 2107 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | IS25LD040 | フラッシュ | 2.3V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 100 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 5ms | |||
![]() | IS62WV25616BLL-55BI | - | ![]() | 2573 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS62WV25616 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 55ns | |||
![]() | IS62WV5128EALL-55BLI | - | ![]() | 9883 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 36-tfbga | IS62WV5128 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 36-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 55ns | |||
![]() | IS45S32400E-7TLA1-TR | - | ![]() | 6883 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS45S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 143 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS43TR16256A-15HBLI-TR | - | ![]() | 3798 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16256 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 667 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS42S32400D-7B | - | ![]() | 6072 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - |
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