SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 特徴 基本製品番号 頻度 テクノロジー 出力タイプ 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 現在 -出力 /チャネル Max Output Power X Channels @ Load クロック周波数 出力数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ 内部スイッチ トポロジー 電圧 -供給(最大) 調光 電圧 -供給(最小) 電圧 -出力
IS62WV25616EBLL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EBLL-55TLI-TR -
RFQ
ECAD 7921 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS62WV25616 sram-非同期 2.2V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 4mbit 55 ns sram 256k x 16 平行 55ns
IS61LV6416-8TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV6416-8TL-TR -
RFQ
ECAD 7742 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS61Lv6416 sram-非同期 3.135V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 揮発性 1mbit 8 ns sram 64k x 16 平行 8ns
IS43TR16640BL-125JBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640BL-125JBL-TR -
RFQ
ECAD 2825 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,500 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS42S16160G-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-6BL 3.9375
RFQ
ECAD 2252 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TFBGA IS42S16160 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 348 166 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS42S83200J-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200J-7TLI-TR 3.0110
RFQ
ECAD 9676 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S83200 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 -
IS43TR16512S2DL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512S2DL-125KBLI 21.2437
RFQ
ECAD 6935 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-LFBGA IS43TR16512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-LWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS43TR16512S2DL-125KBLI ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS46TR16512A-15HBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512A-15HBLA1 -
RFQ
ECAD 3763 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-LFBGA IS46TR16512 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-lfbga (10x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS46TR16512A-15HBLA1 ear99 8542.32.0036 136 667 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS46TR16128D-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128D-125KBLA2-TR 5.4312
RFQ
ECAD 2641 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS46TR16128D-125KBLA2-TR ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS61VPS102436A-166TQL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102436A-166TQL -
RFQ
ECAD 2999 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp IS61VPS102436 sram- sdr 2.375V〜2.625V 100-lqfp(14x20) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 72 166 MHz 揮発性 36mbit 3.5 ns sram 1m x 36 平行 -
IS61QDB22M18A-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB22M18A-250M3L -
RFQ
ECAD 5459 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 165-lbga IS61QDB22 sram- 同期、クワッド 1.71V〜1.89V 165-lfbga(15x17) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 MHz 揮発性 36mbit 8.4 ns sram 2m x 18 平行 -
IS61LF25636A-7.5TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF25636A-7.5TQI -
RFQ
ECAD 6861 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 100-lqfp IS61LF25636 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-lqfp(14x20) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 MHz 揮発性 9mbit 7.5 ns sram 256k x 36 平行 -
IS25LQ025B-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ025B-JBLE -
RFQ
ECAD 3880 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク 廃止 -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) IS25LQ025 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-1326 ear99 8542.32.0071 90 104 MHz 不揮発性 256kbit フラッシュ 32k x 8 spi -quad i/o 800µs
IS61WV102416EDALL-12BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416EDALL-12BLI 12.2789
RFQ
ECAD 5540 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA sram-非同期 1.65V〜2.2V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS61WV102416EDALL-12BLI 480 揮発性 16mbit 12 ns sram 1m x 16 平行 12ns
IS46LQ32128A-062BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32128A-062BLA2 -
RFQ
ECAD 9204 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 200-WFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-VFBGA (10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS46LQ32128A-062BLA2 136 1.6 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 128m x 32 LVSTL 18ns
IS46TR16640CL-107MBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640CL-107MBLA1-TR 3.6095
RFQ
ECAD 4285 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS46TR16640CL-107MBLA1-TR ear99 8542.32.0032 1,500 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS25WP016-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP016-JBLE-TR -
RFQ
ECAD 3420 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) IS25WP016 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o、qpi 800µs
IS42S16100E-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-6BLI-TR -
RFQ
ECAD 4108 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-TFBGA IS42S16100 SDRAM 3V〜3.6V 60-TFBGA (6.4x10.1 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 揮発性 16mbit 5.5 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS46DR16640B-3DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640B-3DBLA1 8.5436
RFQ
ECAD 1793 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 84-TFBGA IS46DR16640 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA (8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 209 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS31FL3719-TQLS4-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS31FL3719-TQLS4-TR -
RFQ
ECAD 6820 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 汎用 表面マウント 32-TQFP露出パッド リニア - 32-ETQFP ダウンロード 3 (168 時間) 2,500 - 9 いいえ 定電流 5.5V i²c 2.7V -
IS61VF102418A-7.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF102418A-7.5B3I-TR -
RFQ
ECAD 4854 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 165-TBGA IS61VF102418 sram- sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA(13x15) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 117 MHz 揮発性 18mbit 7.5 ns sram 1m x 18 平行 -
IS43TR16640AL-125JBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640AL-125JBL -
RFQ
ECAD 9061 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 190 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS61C64AL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C64AL-10TLI 1.2867
RFQ
ECAD 8502 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) IS61C64 sram-非同期 4.75v〜5.25V 28-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 234 揮発性 64kbit 10 ns sram 8k x 8 平行 10ns
IS43TR16128D-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128D-107MBLI-TR 4.6838
RFQ
ECAD 3585 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS43TR16128D-107MBLI-TR ear99 8542.32.0036 1,500 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS46TR16640C-125JBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640C-125JBLA2-TR 3.7412
RFQ
ECAD 2384 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS46TR16640C-125JBLA2-TR ear99 8542.32.0032 1,500 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS61LPS12836A-200B2I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS12836A-200B2I -
RFQ
ECAD 9859 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 119-BBGA IS61LPS12836 sram- sdr 3.135V〜3.465V 119-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 84 200 MHz 揮発性 4.5mbit 3.1 ns sram 128k x 36 平行 -
IS46TR16640B-125JBLA25 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640B-125JBLA25 -
RFQ
ECAD 5648 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜115°C 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA (9x13 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS46TR16640B-125JBLA25 ear99 8542.32.0032 190 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS46TR16512A-15HBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512A-15HBLA1-TR -
RFQ
ECAD 2974 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-LFBGA IS46TR16512 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-lfbga (10x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS46TR16512A-15HBLA1-TR ear99 8542.32.0036 2,000 667 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS46TR16640B-107MBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640B-107MBLA1 -
RFQ
ECAD 6018 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS46TR16640B-107MBLA1 ear99 8542.32.0032 190 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS32AP2123-ZLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS32AP2123-ZLA3 -
RFQ
ECAD 3082 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 16-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm )露出したパッド d - 1 チャンネル(モノ) 4.5V〜24V 16-etsop ダウンロード 3 (168 時間) 706-IS32AP2123-ZLA3 96 24w x 1 @ 4ohm
IS62C51216AL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C51216AL-55TLI 10.5176
RFQ
ECAD 8348 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS62C51216 sram-非同期 4.5v〜5.5V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 8mbit 55 ns sram 512K x 16 平行 55ns
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    毎日の平均RFQボリューム

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    標準製品ユニット

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