画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | アプリケーション | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | タイプ | 特徴 | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | 出力タイプ | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 現在 -出力 /チャネル | Max Output Power X Channels @ Load | クロック周波数 | 出力数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | 内部スイッチ | トポロジー | 電圧 -供給(最大) | 調光 | 電圧 -供給(最小) | 電圧 -出力 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS62WV25616EBLL-55TLI-TR | - | ![]() | 7921 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS62WV25616 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 55ns | |||||||||||||||||
IS61LV6416-8TL-TR | - | ![]() | 7742 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS61Lv6416 | sram-非同期 | 3.135V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 8 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 8ns | ||||||||||||||||||
![]() | IS43TR16640BL-125JBL-TR | - | ![]() | 2825 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS42S16160G-6BL | 3.9375 | ![]() | 2252 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 348 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||||||||||||||||
![]() | IS42S83200J-7TLI-TR | 3.0110 | ![]() | 9676 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S83200 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 8 | 平行 | - | ||||||||||||||||
![]() | IS43TR16512S2DL-125KBLI | 21.2437 | ![]() | 6935 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-LFBGA | IS43TR16512 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-LWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS43TR16512S2DL-125KBLI | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | |||||||||||||||
![]() | IS46TR16512A-15HBLA1 | - | ![]() | 3763 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-LFBGA | IS46TR16512 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-lfbga (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46TR16512A-15HBLA1 | ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 667 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | |||||||||||||||
![]() | IS46TR16128D-125KBLA2-TR | 5.4312 | ![]() | 2641 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46TR16128D-125KBLA2-TR | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||||||||||||||
![]() | IS61VPS102436A-166TQL | - | ![]() | 2999 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | IS61VPS102436 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 166 MHz | 揮発性 | 36mbit | 3.5 ns | sram | 1m x 36 | 平行 | - | ||||||||||||||||
![]() | IS61QDB22M18A-250M3L | - | ![]() | 5459 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | IS61QDB22 | sram- 同期、クワッド | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga(15x17) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | 8.4 ns | sram | 2m x 18 | 平行 | - | ||||||||||||||||
![]() | IS61LF25636A-7.5TQI | - | ![]() | 6861 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LF25636 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | 揮発性 | 9mbit | 7.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||||||||||||||||
![]() | IS25LQ025B-JBLE | - | ![]() | 3880 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | IS25LQ025 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1326 | ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 不揮発性 | 256kbit | フラッシュ | 32k x 8 | spi -quad i/o | 800µs | ||||||||||||||||
![]() | IS61WV102416EDALL-12BLI | 12.2789 | ![]() | 5540 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS61WV102416EDALL-12BLI | 480 | 揮発性 | 16mbit | 12 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 12ns | ||||||||||||||||||||
![]() | IS46LQ32128A-062BLA2 | - | ![]() | 9204 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-VFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS46LQ32128A-062BLA2 | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 32 | LVSTL | 18ns | |||||||||||||||||||
![]() | IS46TR16640CL-107MBLA1-TR | 3.6095 | ![]() | 4285 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46TR16640CL-107MBLA1-TR | ear99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |||||||||||||||
![]() | IS25WP016-JBLE-TR | - | ![]() | 3420 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | IS25WP016 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 800µs | |||||||||||||||||
![]() | IS42S16100E-6BLI-TR | - | ![]() | 4108 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS42S16100 | SDRAM | 3V〜3.6V | 60-TFBGA (6.4x10.1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 16mbit | 5.5 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | ||||||||||||||||
IS46DR16640B-3DBLA1 | 8.5436 | ![]() | 1793 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 84-TFBGA | IS46DR16640 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 209 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |||||||||||||||||
![]() | IS31FL3719-TQLS4-TR | - | ![]() | 6820 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 汎用 | 表面マウント | 32-TQFP露出パッド | リニア | - | 32-ETQFP | ダウンロード | 3 (168 時間) | 2,500 | - | 9 | いいえ | 定電流 | 5.5V | i²c | 2.7V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | IS61VF102418A-7.5B3I-TR | - | ![]() | 4854 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61VF102418 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 117 MHz | 揮発性 | 18mbit | 7.5 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||||||||||||||||
![]() | IS43TR16640AL-125JBL | - | ![]() | 9061 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS61C64AL-10TLI | 1.2867 | ![]() | 8502 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | IS61C64 | sram-非同期 | 4.75v〜5.25V | 28-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 234 | 揮発性 | 64kbit | 10 ns | sram | 8k x 8 | 平行 | 10ns | |||||||||||||||||
![]() | IS43TR16128D-107MBLI-TR | 4.6838 | ![]() | 3585 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS43TR16128D-107MBLI-TR | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||||||||||||||
![]() | IS46TR16640C-125JBLA2-TR | 3.7412 | ![]() | 2384 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46TR16640C-125JBLA2-TR | ear99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |||||||||||||||
![]() | IS61LPS12836A-200B2I | - | ![]() | 9859 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 119-BBGA | IS61LPS12836 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 200 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.1 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||||||||||||||||
![]() | IS46TR16640B-125JBLA25 | - | ![]() | 5648 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜115°C | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46TR16640B-125JBLA25 | ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |||||||||||||||
![]() | IS46TR16512A-15HBLA1-TR | - | ![]() | 2974 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-LFBGA | IS46TR16512 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-lfbga (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46TR16512A-15HBLA1-TR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 667 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | |||||||||||||||
![]() | IS46TR16640B-107MBLA1 | - | ![]() | 6018 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46TR16640B-107MBLA1 | ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |||||||||||||||
![]() | IS32AP2123-ZLA3 | - | ![]() | 3082 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 16-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm )露出したパッド | d | - | 1 チャンネル(モノ) | 4.5V〜24V | 16-etsop | ダウンロード | 3 (168 時間) | 706-IS32AP2123-ZLA3 | 96 | 24w x 1 @ 4ohm | |||||||||||||||||||||||||
IS62C51216AL-55TLI | 10.5176 | ![]() | 8348 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS62C51216 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 8mbit | 55 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 55ns |
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