SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS43DR16640C-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640C-25DBL 3.9700
RFQ
ECAD 21 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜85°C (TC) 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16640 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA (8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-1562 ear99 8542.32.0032 209 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS62LV256AL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62LV256AL-45TLI-TR 1.0839
RFQ
ECAD 3822 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) IS62LV256 sram-非同期 3V〜3.6V 28-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 2,000 揮発性 256kbit 45 ns sram 32k x 8 平行 45ns
IS42RM32800E-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32800E-75BLI-TR 8.5317
RFQ
ECAD 5884 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42RM32800 sdram-モバイル 2.3V〜3V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 133 MHz 揮発性 256mbit 6 ns ドラム 8m x 32 平行 -
IS42S16100C1-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-5TL-TR -
RFQ
ECAD 8588 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 50-tsop (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S16100 SDRAM 3V〜3.6V 50-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 200 MHz 揮発性 16mbit 5 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS61NVP25672-200B1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP25672-200B1-TR -
RFQ
ECAD 5011 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 209-BGA IS61NVP25672 sram- sdr 2.375V〜2.625V 209-LFBGA(14x22) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 200 MHz 揮発性 18mbit 3.1 ns sram 256k x 72 平行 -
IS64WV25616BLL-10BLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV25616BLL-10BLA3 9.5911
RFQ
ECAD 8528 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA IS64WV25616 sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
IS46TR81024B-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR81024B-125KBLA1-TR 22.9824
RFQ
ECAD 5510 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA (10x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS46TR81024B-125KBLA1-TR 2,000 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 1g x 8 平行 15ns
IS42S16400F-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400F-7TL-TR -
RFQ
ECAD 2691 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S16400 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 -
IS43TR16128C-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128C-15HBLI-TR 5.3457
RFQ
ECAD 7377 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS61LF102418A-6.5B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF102418A-6.5B3-TR -
RFQ
ECAD 2077 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 165-TBGA IS61LF102418 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 133 MHz 揮発性 18mbit 6.5 ns sram 1m x 18 平行 -
IS25LQ512A-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ512A-JNLE-TR -
RFQ
ECAD 5699 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) sicで中止されました -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) IS25LQ512 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 80 MHz 不揮発性 512kbit フラッシュ 64k x 8 spi -quad i/o 400µs
IS42S16800D-6B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800D-6B -
RFQ
ECAD 7429 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-VFBGA IS42S16800 SDRAM 3V〜3.6V 54-minibga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 240 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 -
IS43R86400F-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400F-6BLI 6.3460
RFQ
ECAD 1874年年 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-TFBGA IS43R86400 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-tfbga (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 190 166 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
IS42S32400B-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400B-6BL -
RFQ
ECAD 3469 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 90-TFBGA IS42S32400 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 240 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 -
IS25LP080D-JNLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP080D-JNLA3-TR 0.7291
RFQ
ECAD 8937 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) フラッシュ - (slc) 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS25LP080D-JNLA3-TR 3,000 133 MHz 不揮発性 8mbit 7 ns フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 40µs 、800µs
IS25LP01G-RILE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP01G-RILE-TR 10.3607
RFQ
ECAD 7527 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 24-lbga フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 24-lfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS25LP01G-RILE-TR 2,500 133 MHz 不揮発性 1gbit 8 ns フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o 50µs、1ms
IS25LP01G-RILE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP01G-RILE 11.0326
RFQ
ECAD 5155 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 24-lbga フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 24-lfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS25LP01G-RILE 480 133 MHz 不揮発性 1gbit 8 ns フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o 50µs、1ms
IS42S32160B-75TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-75TLI-TR -
RFQ
ECAD 4682 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S32160 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 133 MHz 揮発性 512mbit 5.5 ns ドラム 16m x 32 平行 -
IS61NLP204818A-166TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP204818A-166TQLI -
RFQ
ECAD 8419 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 100-lqfp IS61NLP204818 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-lqfp(14x20) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 72 166 MHz 揮発性 36mbit 3.5 ns sram 2m x 18 平行 -
IS43TR85120A-093NBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120A-093NBL -
RFQ
ECAD 9511 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA (9x10.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS43TR85120A-093NBL ear99 8542.32.0036 220 1.066 GHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
IS62WV5128BLL-55HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55HLI 4.4000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 32-TFSOP (0.465 "、11.80mm 幅) IS62WV5128 sram-非同期 2.5V〜3.6V 32 stsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 234 揮発性 4mbit 55 ns sram 512k x 8 平行 55ns
IS43TR16256A-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-107MBLI -
RFQ
ECAD 4889 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 190 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
IS43TR16640B-125JBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640B-125JBL-TR -
RFQ
ECAD 8643 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,500 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS42S83200B-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200B-7TLI-TR -
RFQ
ECAD 8619 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S83200 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 -
IS61LV12816L-8TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12816L-8TL -
RFQ
ECAD 5609 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS61LV12816 sram-非同期 3.135V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 2mbit 8 ns sram 128k x 16 平行 8ns
IS25WP128F-RHLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128F-RHLA3-TR 2.6208
RFQ
ECAD 3988 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ - (slc) 1.65V〜1.95V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS25WP128F-RHLA3-TR 2,500 166 MHz 不揮発性 128mbit 5.5 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 40µs 、800µs
IS25LQ032B-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ032B-JBLE -
RFQ
ECAD 3137 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク 廃止 -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) IS25LQ032 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-1335 3A991B1A 8542.32.0071 90 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 1ms
IS42S32800D-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-6BLI -
RFQ
ECAD 3530 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 240 166 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 8m x 32 平行 -
IS42S16100H-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100H-7BLI 1.5256
RFQ
ECAD 8442 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-TFBGA IS42S16100 SDRAM 3V〜3.6V 60-TFBGA (6.4x10.1 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0002 286 143 MHz 揮発性 16mbit 5.5 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS43R86400F-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400F-5BLI-TR 5.7900
RFQ
ECAD 1415 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-TFBGA IS43R86400 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-tfbga (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

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    毎日の平均RFQボリューム

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