画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS42S16160B-7BI-TR | - | ![]() | 7312 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-LFBGA | IS42S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-LFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS61NLF51218B-7.5TQLI | 13.7940 | ![]() | 3407 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61NLF51218 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | 揮発性 | 9mbit | 7.5 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | ||
![]() | IS42VM16320D-6BLI-TR | - | ![]() | 5211 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42VM16320 | sdram-モバイル | 1.7V〜1.95V | 54-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.5 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS61VPS51236A-200B3I-TR | - | ![]() | 5830 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61VPS51236 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.1 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS43DR81280B-3DBI | - | ![]() | 3979 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43DR81280 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS61LF25636B-7.5TQLI | 13.7940 | ![]() | 9496 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LF25636 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | 揮発性 | 9mbit | 7.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS46R16320D-5TLA1-TR | 9.1050 | ![]() | 3747 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS46R16320 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS49RL18320A-107EBL | 64.5000 | ![]() | 8096 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 168-lbga | rldram 3 | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA(13.5x13.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS49RL18320A-107EBL | ear99 | 8542.32.0032 | 119 | 933 MHz | 揮発性 | 576mbit | 7.5 ns | ドラム | 32m x 18 | 平行 | - | ||
![]() | IS25LP128-JKLE | 2.4700 | ![]() | 17 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | IS25LP128 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 1ms | |||
![]() | IS42S86400F-7TL-TR | 10.9500 | ![]() | 6137 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S86400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 64m x 8 | 平行 | - | ||
IS64WV12816DBLL-12CTLA3 | 6.7223 | ![]() | 4615 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS64WV12816 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 2mbit | 12 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 12ns | ||||
![]() | IS25LP020E-JNLE-TR | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | IS25LP020 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS25LP020E-JNLE-TR | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 8 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o | 1.2ms | |
![]() | IS43R16320D-5BLI-TR | 8.9850 | ![]() | 8929 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43R16320 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 60-tfbga (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS43TR16256B-125KBLI-TR | 7.7314 | ![]() | 7040 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16256 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS43TR16256B-125KBLI-TR | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | |
![]() | IS42S32200C1-6TLI-TR | - | ![]() | 8474 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S32200 | SDRAM | 3.15V〜3.45V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.5 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS25LP032D-JBLA3-TR | 1.1438 | ![]() | 7180 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | フラッシュ - (slc) | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS25LP032D-JBLA3-TR | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 7 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 40µs 、800µs | |||||
![]() | IS42S16800E-6BL | - | ![]() | 7063 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S16800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS42SM16160K-6BLI-TR | 5.2523 | ![]() | 6058 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42SM16160 | sdram-モバイル | 2.7V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS42S16400J-6TL-TR | 1.5184 | ![]() | 4396 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS25WP128F-RHLE-TR | 2.1378 | ![]() | 5190 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜1.95V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS25WP128F-RHLE-TR | 2,500 | 166 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 40µs 、800µs | ||||||
![]() | IS29GL064-70 | 3.0145 | ![]() | 8077 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | * | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS29GL064-70 | 480 | |||||||||||||||||||
![]() | IS25LP128F-RHLA3 | 2.6234 | ![]() | 5422 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - (slc) | 2.3V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS25LP128F-RHLA3 | 480 | 166 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6.5 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 40µs 、800µs | |||||
![]() | IS62WV25616BLL-55BI-TR | - | ![]() | 7966 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS62WV25616 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 55ns | |||
![]() | IS25WP032D-RMLE-TR | 1.1017 | ![]() | 4999 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | IS25WP032 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 8 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 800µs | ||
![]() | IS61NLP102418B-250B3L | 19.2532 | ![]() | 8538 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | IS61NLP102418 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||
![]() | IS25lp032d-jble | 1.2100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | IS25LP032 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1584 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 800µs | ||
![]() | IS43TR16256AL-125KBL-TR | - | ![]() | 2264 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16256 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS42S32800D-7B-TR | - | ![]() | 7936 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS43R16800E-5TL | 2.4110 | ![]() | 1330 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS43R16800 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 200 MHz | 揮発性 | 128mbit | 700 ps | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS45S16160G -6TLA1 -TR | 5.6177 | ![]() | 5298 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS45S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - |
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