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製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	頻度	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	現在 -出力 /チャネル	クロック周波数	出力数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ	内部スイッチ	トポロジー	電圧 -供給（最大）	調光	電圧 -供給（最小）	電圧 -出力
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IS42S16100F-7BLI-TR	-	RFQ	2602	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	60-TFBGA		IS42S16100		SDRAM	3V〜3.6V	60-TFBGA （6.4x10.1	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	1,000		143 MHz		揮発性	16mbit	5.5 ns	ドラム	1m x 16	平行	-
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IS42S16100F-7BLI	-	RFQ	6205	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	60-TFBGA		IS42S16100		SDRAM	3V〜3.6V	60-TFBGA （6.4x10.1	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	117		143 MHz		揮発性	16mbit	5.5 ns	ドラム	1m x 16	平行	-
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IS45S16320F-7CTLA1-TR	12.6600	RFQ	8231	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		IS45S16320		SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	1,500		143 MHz		揮発性	512mbit	5.4 ns	ドラム	32m x 16	平行	-
IS21TF16G-JQLI	33.9200	RFQ	8464	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	100-lbga		IS21TF16G		フラッシュ-Nand （TLC）	2.7V〜3.6V	100-lfbga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS21TF16G-JQLI	3A991B1A	8542.32.0071	98		200 MHz		不揮発性	128GBIT		フラッシュ	16g x 8	MMC	-
IS46DR16640B-3DBLA1	8.5436	RFQ	1793	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	新しいデザインではありません	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	84-TFBGA		IS46DR16640		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA （8x12.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	209		333 MHz		揮発性	1gbit	450 PS	ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS31FL3719-TQLS4-TR	-	RFQ	6820	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	汎用	表面マウント	32-TQFP露出パッド	リニア		-			32-ETQFP	ダウンロード		3 （168 時間）					2,500	-		9								いいえ	定電流	5.5V	i²c	2.7V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ICS ）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²