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ICS ）（5782）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	頻度	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	現在 -出力 /チャネル	クロック周波数	出力数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ	内部スイッチ	トポロジー	電圧 -供給（最大）	調光	電圧 -供給（最小）	電圧 -出力
IS45S32200L-6TLA1	4.6963	RFQ	7581	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		IS45S32200		SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	108		166 MHz		揮発性	64mbit	5.4 ns	ドラム	2m x 32	平行	-
IS42SM32800D-75BL	-	RFQ	2613	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	0°C〜70°C（Ta）		表面マウント	90-TFBGA		IS42SM32800		sdram-モバイル	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	240		133 MHz		揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	8m x 32	平行	-
IS61NLF102436B-6.5TQLI-TR	69.6500	RFQ	6296	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	100-lqfp		IS61NLF102436		sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	800		133 MHz		揮発性	36mbit	6.5 ns	sram	1m x 36	平行	-
IS42S32800J-75etli	6.5854	RFQ	3646	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		IS42S32800		SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	108		133 MHz		揮発性	256mbit	6 ns	ドラム	8m x 32	平行	-
IS43LD16640C-25BL	-	RFQ	2349	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜85°C （TC）					IS43LD16640		SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4	1.14V〜1.95V		ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	171		400 MHz		揮発性	1gbit		ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS43LD32640B-18BL-TR	9.5850	RFQ	3536	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（TC）		表面マウント	134-TFBGA		IS43LD32640		SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4	1.14V〜1.95V	134-TFBGA （10x11.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	2,000		533 MHz		揮発性	2Gbit		ドラム	64m x 32	平行	15ns
IS42S83200B-7TL-TR	-	RFQ	4585	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）		表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		IS42S83200		SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	1,500		143 MHz		揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	32m x 8	平行	-
IS25LE256E-RMLE	-	RFQ	1817年	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	廃止	-40°C〜105°C（Ta）		表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）				フラッシュ -	2.3V〜3.6V	16-SOIC	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS25LE256E-RMLE	廃止		1		166 MHz		不揮発性	256mbit		フラッシュ	32m x 8	spi -quad i/o	50µs 、2ms
IS61DDB22M18-250M3L	-	RFQ	3403	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	0°C〜70°C（Ta）		表面マウント	165-lbga		IS61DDB22		sram- ddr ii	1.71V〜1.89V	165-lfbga（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0002	105		250 MHz		揮発性	36mbit		sram	2m x 18	平行	-
IS32BL3552-ZLA3	-	RFQ	9351	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	チューブ	廃止	-40°C〜125°C（タタ	自動車、バックライト	表面マウント	16-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm ）露出したパッド	DC DCコントローラー	IS32BL3552	520kHz			16-etsop	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	60	360ma		2								いいえ	ステップアップ（ブースト）	33V	PWM	4.5V	53V
IS61NLF25636B-7.5TQLI-TR	11.4000	RFQ	2959	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	100-lqfp		IS61NLF25636		sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	800		117 MHz		揮発性	9mbit	7.5 ns	sram	256k x 36	平行	-
IS46TR16128C-15HBLA1	6.1824	RFQ	8133	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）		表面マウント	96-TFBGA		IS46TR16128		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	190		667 MHz		揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
IS61WV6416DBLL-10BLI-TR	2.4716	RFQ	4967	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	48-TFBGA		IS61Wv6416		sram-非同期	2.4V〜3.6V	48-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	2,500				揮発性	1mbit	10 ns	sram	64k x 16	平行	10ns
IS62WV5128EALL-55T2LI	-	RFQ	1680	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	32-SOIC （0.400 "、幅 10.16mm）		IS62WV5128		sram-非同期	1.65V〜2.2V	32-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1				揮発性	4mbit	55 ns	sram	512k x 8	平行	55ns
IS41LV16100B-60TL-TR	-	RFQ	1751	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）		表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		IS41LV16100		ドラム -江戸	3V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	1,000				揮発性	16mbit	30 ns	ドラム	1m x 16	平行	-
IS42RM32400H-75BI	-	RFQ	5514	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	90-TFBGA		IS42RM32400		sdram-モバイル	2.3V〜2.7V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	240		133 MHz		揮発性	128mbit	6 ns	ドラム	4m x 32	平行	-
IS61NLP25672-250B1I-TR	-	RFQ	2071	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	209-BGA		IS61NLP25672		sram- sdr	3.135V〜3.465V	209-LFBGA（14x22）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		250 MHz		揮発性	18mbit	2.6 ns	sram	256k x 72	平行	-
IS43TR16640B-125KBL-TR	-	RFQ	6334	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜95°C （TC		表面マウント	96-TFBGA		IS43TR16640		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS43TR16640B-125KBL-TR	ear99	8542.32.0032	1,500		800 MHz		揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS62WVS5128GALL-30NLI	4.5292	RFQ	1307	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）				sram-同期	1.65V〜2.2V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS62WVS5128GALL-30NLI			100		30 MHz		揮発性	4mbit	23 ns	sram	512k x 8	spi -quad i/o、sdi	-
IS46QR16512A-075VBLA2-TR	21.5460	RFQ	8851	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）		表面マウント	96-TFBGA				SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-TWBGA （10x14）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS46QR16512A-075VBLA2-TR			2,000		1.333 GHz		揮発性	8gbit	18 ns	ドラム	512m x 16	平行	15ns
IS41LV16257C-35TLI	-	RFQ	4083	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	44-tsop （0.400 "、10.16mm 幅）、40リード		IS41LV16257		DRAM -FP	3V〜3.6V	40-tsop	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	135				揮発性	4mbit	18 ns	ドラム	256k x 16	平行	-
IS43TR85120AL-15HBL	-	RFQ	6310	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜95°C （TC		表面マウント	78-TFBGA		IS43TR85120		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （9x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	220		667 MHz		揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	512m x 8	平行	15ns
IS61NLF12836A-7.5TQLI	8.3815	RFQ	3054	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	100-lqfp		IS61NLF12836		sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	72		117 MHz		揮発性	4.5mbit	7.5 ns	sram	128k x 36	平行	-
IS42S16800E-75ETL	-	RFQ	3635	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）		表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		IS42S16800		SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	108		133 MHz		揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	8m x 16	平行	-
IS25WD020-JBLE-TR	-	RFQ	1968年年	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜105°C（Ta）		表面マウント	8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm）		IS25WD020		フラッシュ -	1.65V〜1.95V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	2,000		80 MHz		不揮発性	2mbit		フラッシュ	256k x 8	spi	3ms
IS46LQ32128AL-062TBLA2	-	RFQ	5854	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	バルク	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）		表面マウント	200-VFBGA				SDRAM -MOBILE LPDDR4X	1.06V〜1.17V	200-VFBGA （10x14.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS46LQ32128AL-062TBLA2			136		1.6 GHz		揮発性	4gbit	3.5 ns	ドラム	128m x 32	LVSTL	18ns
IS25LQ040B-JVLE	-	RFQ	9055	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	廃止	-40°C〜105°C（Ta）		表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		IS25LQ040		フラッシュ -	2.3V〜3.6V	8-VVSOP	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS25LQ040B-JVLE	ear99	8542.32.0071	100		104 MHz		不揮発性	4mbit	8 ns	フラッシュ	512k x 8	spi -quad i/o	800µs
IS43TR16640B-107MBL	-	RFQ	1063	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜95°C （TC		表面マウント	96-TFBGA		IS43TR16640		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	190		933 MHz		揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS43LR32640B-6BLI	9.7484	RFQ	6941	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	90-TFBGA				sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43LR32640B-6BLI			240		166 MHz		揮発性	2Gbit	5 ns	ドラム	64m x 32	平行	15ns
IS43R16160F-5BI	-	RFQ	7722	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	60-TFBGA		IS43R16160		SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	60-tfbga （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS43R16160F-5BI	廃止		242		200 MHz		揮発性	256mbit	700 ps	ドラム	16m x 16	平行	15ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ICS ）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²