画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS66WVE2M16ALL-7010BLI-TR | - | ![]() | 4935 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS66WVE2M16 | psram(pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 32mbit | 70 ns | psram | 2m x 16 | 平行 | 70ns | |||
IS43DR16640C-3DBLI | 6.4000 | ![]() | 775 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 84-TFBGA | IS43DR16640 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1565 | ear99 | 8542.32.0032 | 209 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS61NVP102418-250B3-TR | - | ![]() | 9777 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | IS61NVP102418 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | 2.6 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||
![]() | IS61QDPB41M36A-450M3I | - | ![]() | 3591 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | IS61QDPB41 | sram- quadp | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga(15x17) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 450 MHz | 揮発性 | 36mbit | 8.4 ns | sram | 1m x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS25WQ020-JNLE-TR | - | ![]() | 1498 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | IS25WQ020 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi | 1ms | |||
![]() | IS25WQ020-JVLE-TR | - | ![]() | 7359 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | IS25WQ020 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-VVSOP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,500 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi | 1ms | |||
![]() | IS42S32800b-6tli | - | ![]() | 6889 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S32800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS43R16160F-6BLI | 5.5900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43R16160 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-tfbga (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 190 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS62WV10248BLL-55BI-TR | - | ![]() | 5884 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS62WV10248 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 48-minibga (7.2x8.7 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 8mbit | 55 ns | sram | 1m x 8 | 平行 | 55ns | |||
![]() | IS61LPD102418A-250B3 | - | ![]() | 8623 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | IS61LPD102418 | sram- クアッドポート、同期 | 3.135V〜3.465V | 165-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | 2.6 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||
![]() | IS43TR85120BL-125KBL-TR | 5.7021 | ![]() | 4497 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | IS43TR85120 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS43TR85120BL-125KBL-TR | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | IS61LF51236A-6.5B3I | - | ![]() | 3329 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61LF51236 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 133 MHz | 揮発性 | 18mbit | 6.5 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS43R16160D-6BLI | 6.1578 | ![]() | 5488 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43R16160 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-tfbga (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 190 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS61NLP51236-250B3-TR | - | ![]() | 1506 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | IS61NLP51236 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | 2.6 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS62WV1288FALL-55BLI | - | ![]() | 3427 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 36-tfbga | IS62WV1288 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 36-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 156 | 揮発性 | 1mbit | 55 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 45ns | |||
![]() | IS43TR16512AL-15HBL | 20.9281 | ![]() | 6613 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-LFBGA | IS43TR16512 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-lfbga (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 667 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS42S16800D-7TI | - | ![]() | 4208 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS43TR85120AL-107MBLI | - | ![]() | 4603 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | IS43TR85120 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA (9x10.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS43TR85120AL-107MBLI | ear99 | 8542.32.0036 | 220 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | IS61LF25618EC-7.5TQLI | 7.5262 | ![]() | 5227 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LF25618 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 7.5 ns | sram | 256k x 18 | 平行 | - | ||
![]() | IS42S32400b-7tli | - | ![]() | 7064 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS61NLF25636A-7.5TQI-TR | - | ![]() | 9883 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61NLF25636 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | 揮発性 | 9mbit | 7.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS42S32400B-7TI-TR | - | ![]() | 8116 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 143 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS49NLS93200-33B | - | ![]() | 8175 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLS93200 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 104 | 300 MHz | 揮発性 | 288mbit | 20 ns | ドラム | 32m x 9 | 平行 | - | ||
![]() | IS49rl18320-107bl | - | ![]() | 1972年年 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 168-lbga | IS49RL18320 | ドラム | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA(13.5x13.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 119 | 933 MHz | 揮発性 | 576mbit | 10 ns | ドラム | 32m x 18 | 平行 | - | ||
![]() | IS46LQ16256AL-062TBLA2-TR | 14.1246 | ![]() | 3149 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS46LQ16256AL-062TBLA2-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 16 | LVSTL | 18ns | |||||
![]() | IS65WV25616ECLL-45CTLA3 | - | ![]() | 9200 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS65WV25616 | sram-非同期 | 3.135V〜3.465V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4mbit | 45 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 45ns | |||
![]() | IS66WVE4M16ALL-7010BLI | - | ![]() | 7214 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS66WVE4M16 | psram(pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 64mbit | 70 ns | psram | 4m x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | IS42S32800D-75EB-TR | - | ![]() | 8429 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS61VVPS204818B-166B3LI-TR | 137.8300 | ![]() | 5146 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61VVPS204818 | sram- sdr | 1.71V〜1.89V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 166 MHz | 揮発性 | 36mbit | 3.8 ns | sram | 2m x 18 | 平行 | - | ||
![]() | IS42RM32800E-75BLI-TR | 8.5317 | ![]() | 5884 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42RM32800 | sdram-モバイル | 2.3V〜3V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 6 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - |
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