SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS43QR16512A-075VBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16512A-075VBL 17.7495
RFQ
ECAD 9274 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-TWBGA (10x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS43QR16512A-075VBL 136 1.333 GHz 揮発性 8gbit 18 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS43LQ16256A-062BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ16256A-062BLI-TR -
RFQ
ECAD 2665 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 200-VFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-VFBGA (10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS43LQ16256A-062BLI-TR 2,500 1.6 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 LVSTL -
IS25LP128F-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25lp128f-jble-tr 1.7218
RFQ
ECAD 7280 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) IS25LP128 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS22TF16G-JQLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF16G-JQLA1-TR 25.4030
RFQ
ECAD 5678 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 100-lbga フラッシュ-Nand (TLC) 2.7V〜3.6V 100-lfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS22TF16G-JQLA1-TR 1,000 200 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 EMMC_5.1 -
IS43LD32128B-18BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128B-18BLI 12.2129
RFQ
ECAD 6850 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 134-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-TFBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS43LD32128B-18BLI 171 533 MHz 揮発性 4gbit 5.5 ns ドラム 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS61VF102418A-7.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF102418A-7.5B3I -
RFQ
ECAD 1423 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 165-TBGA IS61VF102418 sram- sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA(13x15) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 144 117 MHz 揮発性 18mbit 7.5 ns sram 1m x 18 平行 -
IS46DR16320C-3DBA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320C-3DBA2 -
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ECAD 9897 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 84-TFBGA IS46DR16320 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA (8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS46DR16320C-3DBA2 廃止 209 333 MHz 揮発性 512mbit 450 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS64WV51216BLL-10MA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216BLL-10MA3-TR -
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ECAD 8259 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA IS64WV51216 sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-minibga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 8mbit 10 ns sram 512K x 16 平行 10ns
IS42S83200G-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200G-7TLI-TR 6.1201
RFQ
ECAD 1355 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S83200 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 -
IS43TR16256B-093NBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256B-093NBLI-TR -
RFQ
ECAD 6944 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS43TR16256B-093NBLI-TR ear99 8542.32.0036 1,500 1.066 GHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
IS62WV1288DBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV1288DBLL-45TLI-TR -
RFQ
ECAD 9364 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) IS62WV1288 sram-非同期 2.3V〜3.6V 32-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,500 揮発性 1mbit 45 ns sram 128k x 8 平行 45ns
IS46TR16128B-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128B-125KBLA1-TR -
RFQ
ECAD 3135 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS49NLC96400A-18WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC96400A-18WBL 52.0065
RFQ
ECAD 8723 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 144-TFBGA rldram 2 1.7V〜1.9V 144-TWBGA (11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS49NLC96400A-18WBL 104 533 MHz 揮発性 576mbit 15 ns ドラム 64m x 9 HSTL -
IS61QDPB42M36A2-550M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A2-550M3L -
RFQ
ECAD 2551 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 165-lbga IS61QDPB42 sram- クアッドポート、同期 1.71V〜1.89V 165-lfbga(15x17) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 550 MHz 揮発性 72mbit sram 2m x 36 平行 -
IS46TR16640CL-125JBLA25 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640CL-125JBLA25 -
RFQ
ECAD 2653 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜115°C 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS46TR16640CL-125JBLA25 ear99 8542.32.0032 190 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS43TR82560CL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560CL-125KBL-TR 3.8489
RFQ
ECAD 7671 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS43TR82560CL-125KBL-TR 2,000 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
IS61NLP51236-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236-200B3li -
RFQ
ECAD 5751 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 165-TBGA IS61NLP51236 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 MHz 揮発性 18mbit 3.1 ns sram 512K x 36 平行 -
IS25LP01GG-RHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25lp01gg-rhle 13.1000
RFQ
ECAD 7587 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc * トレイ アクティブ - ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS25LP01GG-RHLE 480
IS62WV10248BLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV10248BLL-55BLI 6.8343
RFQ
ECAD 6991 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA IS62WV10248 sram-非同期 2.5V〜3.6V 48-minibga (7.2x8.7 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 312 揮発性 8mbit 55 ns sram 1m x 8 平行 55ns
IS42S81600E-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S81600E-7TL-TR -
RFQ
ECAD 8381 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S81600 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 16m x 8 平行 -
IS43LD32320C-18BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32320C-18BLI-TR 9.4650
RFQ
ECAD 6805 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 134-TFBGA IS43LD32320 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.95V 134-TFBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 533 MHz 揮発性 1gbit ドラム 32m x 32 平行 15ns
IS25WP016-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP016-JNLE-TR -
RFQ
ECAD 7831 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) IS25WP016 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 133 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o、qpi 800µs
IS61LF102418A-7.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF102418A-7.5B3 -
RFQ
ECAD 9469 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 165-TBGA IS61LF102418 sram- sdr 3.135V〜3.6V 165-TFBGA(13x15) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 144 117 MHz 揮発性 18mbit 7.5 ns sram 1m x 18 平行 -
IS46LD32128B-18BPLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128B-18BPLA2-TR -
RFQ
ECAD 7850 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 168-VFBGA IS46LD32128 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 168-VFBGA(12x12) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS46LD32128B-18BPLA2-TR ear99 8542.32.0036 1 533 MHz 揮発性 4gbit 5.5 ns ドラム 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS42S16100H-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100H-7BL-TR 1.3075
RFQ
ECAD 6060 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 60-TFBGA IS42S16100 SDRAM 3V〜3.6V 60-TFBGA (6.4x10.1 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0002 2,500 143 MHz 揮発性 16mbit 5.5 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS61WV102416ALL-20MLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416ALL-20MLI-TR 21.7500
RFQ
ECAD 5155 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA IS61WV102416 sram-非同期 1.65V〜2.2V 48-minibga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 16mbit 20 ns sram 1m x 16 平行 20ns
IS46DR16640C-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640C-3DBLA2 6.6880
RFQ
ECAD 7087 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 84-TFBGA IS46DR16640 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA (8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 209 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS42SM16800H-75BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16800H-75BI -
RFQ
ECAD 9813 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42SM16800 sdram-モバイル 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 348 133 MHz 揮発性 128mbit 6 ns ドラム 8m x 16 平行 -
IS46TR16640CL-107MBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640CL-107MBLA2 4.1184
RFQ
ECAD 1494 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS46TR16640CL-107MBLA2 ear99 8542.32.0032 190 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS46LD32128C-25BPLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128C-25BPLA1 -
RFQ
ECAD 3130 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 168-VFBGA IS46LD32128 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 168-VFBGA(12x12) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS46LD32128C-25BPLA1 ear99 8542.32.0036 1 400 MHz 揮発性 4gbit 5.5 ns ドラム 128m x 32 HSUL_12 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

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    在庫倉庫