SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 基本製品番号 頻度 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 現在 -出力 /チャネル クロック周波数 出力数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ 内部スイッチ トポロジー 電圧 -供給(最大) 調光 電圧 -供給(最小) 電圧 -出力
IS25WP040E-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP040E-JNLE-TR 0.3011
RFQ
ECAD 1671 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) フラッシュ - (slc) 1.7V〜1.95V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS25WP040E-JNLE-TR 3,000 104 MHz 不揮発性 4mbit 8 ns フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o、qpi 40µs 、1.2ms
IS49NLS96400-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS96400-25BLI -
RFQ
ECAD 4044 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 144-TFBGA IS49NLS96400 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA (11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 104 400 MHz 揮発性 576mbit 20 ns ドラム 64m x 9 平行 -
IS25LQ016B-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ016B-JNLE -
RFQ
ECAD 3764 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク 廃止 -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) IS25LQ016 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-1334 ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 1ms
IS46TR16256AL-107MBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256AL-107MBLA2-TR -
RFQ
ECAD 2009年 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS46TR16256AL-107MBLA2-TR ear99 8542.32.0036 1,500 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
IS43TR81024B-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024B-125KBLI 28.7000
RFQ
ECAD 96 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA IS43TR81024 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA (10x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS43TR81024B-125KBLI ear99 8542.32.0036 136 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 1g x 8 平行 15ns
IS49NLS18160-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160-25BLI -
RFQ
ECAD 2479 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 144-TFBGA IS49NLS18160 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA (11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 104 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 16m x 18 平行 -
IS29GL256-70DLEB ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL256-70DLEB 6.9600
RFQ
ECAD 263 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 64-lbga IS29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-lfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS29GL256-70DLEB 3A991B1A 8542.32.0071 260 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 32m x 8 平行 200µs
IS42VM16160K-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160K-75BLI 6.6300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42VM16160 sdram-モバイル 1.7V〜1.95V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-1313 ear99 8542.32.0024 348 133 MHz 揮発性 256mbit 6 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS42SM16400M-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16400M-75BLI 3.0706
RFQ
ECAD 5473 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42SM16400 sdram-モバイル 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0002 348 133 MHz 揮発性 64mbit 6 ns ドラム 4m x 16 平行 -
IS42SM16400M-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16400M-6BLI-TR 2.9953
RFQ
ECAD 7010 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42SM16400 sdram-モバイル 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0002 2,500 166 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 4m x 16 平行 -
IS42S16800D-7B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800D-7B -
RFQ
ECAD 7291 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-VFBGA IS42S16800 SDRAM 3V〜3.6V 54-minibga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 240 143 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 -
IS45S16100C1-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16100C1-7BLA1 -
RFQ
ECAD 7125 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-TFBGA IS45S16100 SDRAM 3V〜3.6V 60-minibga (6.4x10.1 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 286 143 MHz 揮発性 16mbit 5.5 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS45S32200E-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200E-7TLA1-TR -
RFQ
ECAD 6326 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS45S32200 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 -
IS49NLS18320-33BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18320-33BL -
RFQ
ECAD 9948 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 144-TFBGA IS49NLS18320 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA (11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 104 300 MHz 揮発性 576mbit 20 ns ドラム 32m x 18 平行 -
IS25WP256D-JMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256D-JMLE 5.3900
RFQ
ECAD 263 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ 廃止 -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) IS25WP256 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 44 104 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS32LT3129-GRLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS32LT3129-GRLA3-TR -
RFQ
ECAD 7819 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C 自動車、バックライト、照明 表面マウント 20-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm )露出したパッド リニア - 20エトソップ - 3 (168 時間) 2,500 30MA、150ma 3 いいえ 定電流 42V i²c、pwm 5V -
IS49NLS96400A-33WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS96400A-33WBL -
RFQ
ECAD 6788 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 144-TFBGA IS49NLS96400 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-TWBGA (11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 104 300 MHz 揮発性 576mbit 20 ns ドラム 64m x 9 平行 -
IS42S16100E-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-7TL-TR -
RFQ
ECAD 3511 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 50-tsop (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S16100 SDRAM 3V〜3.6V 50-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 揮発性 16mbit 5.5 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS42S32160F-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-7BL-TR 11.2050
RFQ
ECAD 6647 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 90-TFBGA IS42S32160 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 143 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 16m x 32 平行 -
IS61NVP51236-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP51236-200TQLI-TR -
RFQ
ECAD 5817 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 100-lqfp IS61NVP51236 sram- sdr 2.375V〜2.625V 100-lqfp(14x20) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 MHz 揮発性 18mbit 3.1 ns sram 512K x 36 平行 -
IS62WV10248HBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV10248HBLL-45BLI 5.5800
RFQ
ECAD 2110 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA sram-非同期 2.2V〜3.6V 48-TFBGA - ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS62WV10248HBLL-45BLI 480 揮発性 8mbit 45 ns sram 1m x 8 平行 45ns
IS64LF25636A-7.5B3LA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LF25636A-7.5B3LA3-TR 20.7900
RFQ
ECAD 6339 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 165-TBGA IS64LF25636 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 117 MHz 揮発性 9mbit 7.5 ns sram 256k x 36 平行 -
IS42RM16200D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16200D-6BLI-TR 2.3493
RFQ
ECAD 1292 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42RM16200 sdram-モバイル 2.3V〜2.7V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 揮発性 32mbit 6 ns ドラム 2m x 16 平行 -
IS62WV102416ALL-35MLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416ALL-35MLI 22.4621
RFQ
ECAD 6512 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA IS62WV102416 sram-非同期 1.65V〜2.2V 48-minibga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 210 揮発性 16mbit 35 ns sram 1m x 16 平行 35ns
IS46LQ16256AL-062TBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256AL-062TBLA2 15.4924
RFQ
ECAD 7398 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 200-VFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-VFBGA (10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS46LQ16256AL-062TBLA2 136 1.6 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 256m x 16 LVSTL 18ns
IS46TR16512S2DL-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512S2DL-125KBLA1-TR -
RFQ
ECAD 1220 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-LFBGA IS46TR16512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-LWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS46TR16512S2DL-125KBLA1-TR ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS45S16800E-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800E-6BLA1-TR -
RFQ
ECAD 9657 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TFBGA IS45S16800 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 -
IS25LP256D-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256D-RMLE-TR 3.7624
RFQ
ECAD 4683 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) IS25LP256 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 不揮発性 256mbit 7 ns フラッシュ 32m x 8 シリアル 800µs
IS61NLP51236B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236B-200TLI 17.2425
RFQ
ECAD 9873 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 100-lqfp IS61NLP51236 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-lqfp(14x20) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 MHz 揮発性 18mbit 3 ns sram 512K x 36 平行 -
IS42S32400F-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-6BL 5.1693
RFQ
ECAD 8335 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 90-TFBGA IS42S32400 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 240 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 -
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