SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 基本製品番号 頻度 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 現在 -出力 /チャネル クロック周波数 出力数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ 内部スイッチ トポロジー 電圧 -供給(最大) 調光 電圧 -供給(最小) 電圧 -出力 sicプログラム可能
IS25LP080D-JULE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP080D-JULE-TR 0.6114
RFQ
ECAD 8522 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-ufdfn露出パッド フラッシュ - (slc) 2.3V〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS25LP080D-JULE-TR 5,000 133 MHz 不揮発性 8mbit 7 ns フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 40µs 、800µs
IS31FL3235-QFLS2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS31FL3235-QFLS2-TR -
RFQ
ECAD 1545 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ - 表面マウント 36-VFQFN露出パッド リニア IS31FL3235 - 36-QFN (4x4) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 2,500 38ma 28 はい - 5.5V i²c 2.7V -
IS46QR16512A-083TBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46QR16512A-083TBLA1-TR 18.9924
RFQ
ECAD 5318 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-TWBGA (10x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS46QR16512A-083TBLA1-TR 2,000 1.2 GHz 揮発性 8gbit 18 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS62C1024-70Q ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C1024-70Q 1.5000
RFQ
ECAD 45 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント sram-非同期 4.5v〜5.5V 32ソップ - 3277-IS62C1024-70Q ear99 8542.32.0041 100 揮発性 1mbit sram 128k x 8 平行 70ns 確認されていません
IS61QDB21M36-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB21M36-250M3L -
RFQ
ECAD 8076 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 165-lbga IS61QDB21 sram- 同期、クワッド 1.71V〜1.89V 165-lfbga(15x17) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 MHz 揮発性 36mbit 7.5 ns sram 1m x 36 平行 -
IS61DDP2B44M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDP2B44M18A-400M3L 100.1770
RFQ
ECAD 2889 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 165-lbga IS61DDP2 sram- ddr iip 1.71V〜1.89V 165-lfbga(15x17) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0002 105 400 MHz 揮発性 72mbit sram 4m x 18 平行 -
IS49NLC36800-25EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800-25EBLI -
RFQ
ECAD 7191 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 144-TFBGA IS49NLC36800 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA (11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 104 400 MHz 揮発性 288mbit 15 ns ドラム 8m x 36 平行 -
IS34MW02G084-TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34MW02G084-TLI 6.8500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) IS34MW02 フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜1.95V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-1637 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 2Gbit 45 ns フラッシュ 256m x 8 平行 45ns
IS42S16320D-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320D-7BLI 14.6759
RFQ
ECAD 4484 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42S16320 SDRAM 3V〜3.6V 54-TW-BGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 240 143 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 -
IS21ES16G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES16G-JCLI -
RFQ
ECAD 6752 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 153-VFBGA IS21ES16 フラッシュ-nand (mlc) 2.7V〜3.6V 153-VFBGA (11.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS21ES16G-JCLI 3A991B1A 8542.32.0071 152 200 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 EMMC -
IS49NLS93200A-18WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS93200A-18WBL 30.4983
RFQ
ECAD 4570 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 144-TFBGA IS49NLS93200 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-TWBGA (11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS49NLS93200A-18WBL 104 533 MHz 揮発性 288mbit 15 ns ドラム 32m x 9 HSTL -
IS43R86400D-5TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-5TLI-TR 7.8600
RFQ
ECAD 8247 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS43R86400 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,500 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
IS43TR82560DL-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560DL-107MBLI-TR 4.5617
RFQ
ECAD 3285 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS43TR82560DL-107MBLI-TR 2,000 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
IS45S32400B-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400B-7BLA1 -
RFQ
ECAD 4050 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-TFBGA IS45S32400 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 144 143 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 -
IS61QDB42M36A-300M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB42M36A-300M3L 74.4172
RFQ
ECAD 4815 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 165-lbga IS61QDB42 sram- 同期、クワッド 1.71V〜1.89V 165-lfbga(15x17) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 300 MHz 揮発性 72mbit 8.4 ns sram 2m x 36 平行 -
IS61NLF51236-6.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF51236-6.5B3I-TR -
RFQ
ECAD 8717 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 165-TBGA IS61NLF51236 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 133 MHz 揮発性 18mbit 6.5 ns sram 512K x 36 平行 -
IS65WV12816BLL-55TLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV12816BLL-55TLA3-TR 4.1685
RFQ
ECAD 7668 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS65WV12816 sram-非同期 2.5V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 2mbit 55 ns sram 128k x 16 平行 55ns
IS25LP128F-JLLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-JLLA3-TR 2.2238
RFQ
ECAD 5087 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - (slc) 2.3V〜3.6V 8-wson (8x6) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS25LP128F-JLLA3-TR 4,000 166 MHz 不揮発性 128mbit 6.5 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 40µs 、800µs
IS46TR16640C-125JBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640C-125JBLA1 3.8222
RFQ
ECAD 5486 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS46TR16640C-125JBLA1 ear99 8542.32.0032 190 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS25WJ064F-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WJ064f-jble 1.6200
RFQ
ECAD 3525 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc * トレイ アクティブ - ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS25WJ064F-jble 90
IS46TR16256BL-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256BL-125KBLA1-TR 7.8141
RFQ
ECAD 7393 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS46TR16256BL-125KBLA1-TR ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
IS46LD32128B-25BPLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128B-25BPLA1 -
RFQ
ECAD 8282 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 168-VFBGA IS46LD32128 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 168-VFBGA(12x12) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS46LD32128B-25BPLA1 ear99 8542.32.0036 1 400 MHz 揮発性 4gbit 5.5 ns ドラム 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS25WP032D-JBLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032D-JBLA3 1.2578
RFQ
ECAD 3033 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) フラッシュ - (slc) 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS25WP032D-JBLA3 90 133 MHz 不揮発性 32mbit 7 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 40µs 、800µs
IS45S32200L-6TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200L-6TLA2-TR 4.8606
RFQ
ECAD 7048 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS45S32200 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 2m x 32 平行 -
IS46TR16256ECL-125LB2LA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256ECL-125LB2LA1-TR -
RFQ
ECAD 1323 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3L - 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS46TR16256ECL-125LB2LA1-TR 2,000 800 MHz 揮発性 4gbit ドラム 512m x 8 平行 -
IS61LPD51236A-200B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD51236A-200B3-TR -
RFQ
ECAD 4019 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 165-TBGA IS61LPD51236 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200 MHz 揮発性 18mbit 3.1 ns sram 512K x 36 平行 -
IS61WV10248BLL-10MLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV10248BLL-10MLI-TR 12.7500
RFQ
ECAD 8985 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA IS61WV10248 sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-minibga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 8mbit 10 ns sram 1m x 8 平行 10ns
IS62WV25616ECLL-35BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616ECLL-35BLI 3.9214
RFQ
ECAD 4530 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA sram-非同期 3.135V〜3.465V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS62WV25616ECLL-35BLI 480 揮発性 4mbit 35 ns sram 256k x 16 平行 35ns
IS43TR16256A-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-107MBL -
RFQ
ECAD 4085 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 190 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
IS49RL18320A-093EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320A-093EBLI 76.6200
RFQ
ECAD 1858年年 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 168-lbga rldram 3 1.28V〜1.42V 168-FBGA(13.5x13.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS49RL18320A-093EBLI ear99 8542.32.0032 119 1.066 GHz 揮発性 576mbit 7.5 ns ドラム 32m x 18 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

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