画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | アプリケーション | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | タイプ | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 現在 -出力 /チャネル | クロック周波数 | 出力数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | 内部スイッチ | トポロジー | 電圧 -供給(最大) | 調光 | 電圧 -供給(最小) | 電圧 -出力 | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS25LP080D-JULE-TR | 0.6114 | ![]() | 8522 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.3V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS25LP080D-JULE-TR | 5,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 7 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 40µs 、800µs | |||||||||||||||||
![]() | IS31FL3235-QFLS2-TR | - | ![]() | 1545 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | - | 表面マウント | 36-VFQFN露出パッド | リニア | IS31FL3235 | - | 36-QFN (4x4) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 38ma | 28 | はい | - | 5.5V | i²c | 2.7V | - | |||||||||||||
![]() | IS46QR16512A-083TBLA1-TR | 18.9924 | ![]() | 5318 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-TWBGA (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS46QR16512A-083TBLA1-TR | 2,000 | 1.2 GHz | 揮発性 | 8gbit | 18 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | |||||||||||||||||
![]() | IS62C1024-70Q | 1.5000 | ![]() | 45 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32ソップ | - | 3277-IS62C1024-70Q | ear99 | 8542.32.0041 | 100 | 揮発性 | 1mbit | sram | 128k x 8 | 平行 | 70ns | 確認されていません | |||||||||||||||||||
![]() | IS61QDB21M36-250M3L | - | ![]() | 8076 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | IS61QDB21 | sram- 同期、クワッド | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga(15x17) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | 7.5 ns | sram | 1m x 36 | 平行 | - | ||||||||||||||
![]() | IS61DDP2B44M18A-400M3L | 100.1770 | ![]() | 2889 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | IS61DDP2 | sram- ddr iip | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga(15x17) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 400 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | |||||||||||||||
![]() | IS49NLC36800-25EBLI | - | ![]() | 7191 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLC36800 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 104 | 400 MHz | 揮発性 | 288mbit | 15 ns | ドラム | 8m x 36 | 平行 | - | ||||||||||||||
![]() | IS34MW02G084-TLI | 6.8500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | IS34MW02 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1637 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 2Gbit | 45 ns | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | 45ns | ||||||||||||||
![]() | IS42S16320D-7BLI | 14.6759 | ![]() | 4484 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S16320 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TW-BGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | ||||||||||||||
![]() | IS21ES16G-JCLI | - | ![]() | 6752 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | IS21ES16 | フラッシュ-nand (mlc) | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS21ES16G-JCLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 200 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | EMMC | - | ||||||||||||||
![]() | IS49NLS93200A-18WBL | 30.4983 | ![]() | 4570 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLS93200 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-TWBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS49NLS93200A-18WBL | 104 | 533 MHz | 揮発性 | 288mbit | 15 ns | ドラム | 32m x 9 | HSTL | - | |||||||||||||||
![]() | IS43R86400D-5TLI-TR | 7.8600 | ![]() | 8247 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS43R86400 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||||||||||||||
![]() | IS43TR82560DL-107MBLI-TR | 4.5617 | ![]() | 3285 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43TR82560DL-107MBLI-TR | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | |||||||||||||||||
![]() | IS45S32400B-7BLA1 | - | ![]() | 4050 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS45S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 144 | 143 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | ||||||||||||||
![]() | IS61QDB42M36A-300M3L | 74.4172 | ![]() | 4815 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | IS61QDB42 | sram- 同期、クワッド | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga(15x17) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 300 MHz | 揮発性 | 72mbit | 8.4 ns | sram | 2m x 36 | 平行 | - | ||||||||||||||
![]() | IS61NLF51236-6.5B3I-TR | - | ![]() | 8717 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61NLF51236 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 133 MHz | 揮発性 | 18mbit | 6.5 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||||||||||||||
IS65WV12816BLL-55TLA3-TR | 4.1685 | ![]() | 7668 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS65WV12816 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 2mbit | 55 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 55ns | ||||||||||||||||
![]() | IS25LP128F-JLLA3-TR | 2.2238 | ![]() | 5087 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.3V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS25LP128F-JLLA3-TR | 4,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6.5 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 40µs 、800µs | |||||||||||||||||
![]() | IS46TR16640C-125JBLA1 | 3.8222 | ![]() | 5486 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46TR16640C-125JBLA1 | ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS25WJ064f-jble | 1.6200 | ![]() | 3525 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | * | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS25WJ064F-jble | 90 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IS46TR16256BL-125KBLA1-TR | 7.8141 | ![]() | 7393 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16256 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46TR16256BL-125KBLA1-TR | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS46LD32128B-25BPLA1 | - | ![]() | 8282 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 168-VFBGA | IS46LD32128 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 168-VFBGA(12x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46LD32128B-25BPLA1 | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 400 MHz | 揮発性 | 4gbit | 5.5 ns | ドラム | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS25WP032D-JBLA3 | 1.2578 | ![]() | 3033 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS25WP032D-JBLA3 | 90 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 7 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 40µs 、800µs | |||||||||||||||||
![]() | IS45S32200L-6TLA2-TR | 4.8606 | ![]() | 7048 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS45S32200 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - | ||||||||||||||
![]() | IS46TR16256ECL-125LB2LA1-TR | - | ![]() | 1323 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3L | - | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS46TR16256ECL-125LB2LA1-TR | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | ||||||||||||||||||
![]() | IS61LPD51236A-200B3-TR | - | ![]() | 4019 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | IS61LPD51236 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.1 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||||||||||||||
![]() | IS61WV10248BLL-10MLI-TR | 12.7500 | ![]() | 8985 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS61WV10248 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-minibga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 8mbit | 10 ns | sram | 1m x 8 | 平行 | 10ns | |||||||||||||||
![]() | IS62WV25616ECLL-35BLI | 3.9214 | ![]() | 4530 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | sram-非同期 | 3.135V〜3.465V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS62WV25616ECLL-35BLI | 480 | 揮発性 | 4mbit | 35 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 35ns | ||||||||||||||||||
![]() | IS43TR16256A-107MBL | - | ![]() | 4085 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16256 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | ||||||||||||||
![]() | IS49RL18320A-093EBLI | 76.6200 | ![]() | 1858年年 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 168-lbga | rldram 3 | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA(13.5x13.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS49RL18320A-093EBLI | ear99 | 8542.32.0032 | 119 | 1.066 GHz | 揮発性 | 576mbit | 7.5 ns | ドラム | 32m x 18 | 平行 | - |
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