SIC
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ICS ）（5782）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS43LR32160C-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32160C-6BL-TR 6.7050
RFQ
 ECAD 2677 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-TFBGA IS43LR32160 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 166 MHz 揮発性 512mbit 5.5 ns ドラム 16m x 32 平行 12ns
IS66WV51216DBLL-70TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216DBLL-70Tli -
RFQ
 ECAD 8722 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS66WV51216 psram（pseudo sram 2.5V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 135 揮発性 8mbit 70 ns psram 512K x 16 平行 70ns
IS43R16320D-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-5BLI 9.5792
RFQ
 ECAD 5169 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA IS43R16320 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-tfbga （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 190 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS61VPS25636A-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS25636A-200TQLI-TR 12.7500
RFQ
 ECAD 7454 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IS61VPS25636 sram- sdr 2.375V〜2.625V 100-lqfp（14x20） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 MHz 揮発性 9mbit 3.1 ns sram 256k x 36 平行 -
IS43R16320E-6BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-6BI -
RFQ
 ECAD 8785 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA IS43R16320 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-tfbga （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 190 166 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS25LQ080-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ080-JKLE-TR -
RFQ
 ECAD 8462 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド IS25LQ080 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-wson （6x5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 1ms
IS62WV2568EBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2568EBLL-45BLI 2.6190
RFQ
 ECAD 8526 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 36-tfbga IS62WV2568 sram-非同期 2.2V〜3.6V 36-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 2mbit 45 ns sram 256k x 8 平行 45ns
IS46TR16128DL-125KBLA25 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128DL-125KBLA25 -
RFQ
 ECAD 9891 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜115°C 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46TR16128DL-125KBLA25 ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS21ES32G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES32G-JCLI -
RFQ
 ECAD 9123 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA IS21ES32 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 153-VFBGA （11.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS21ES32G-JCLI 3A991B1A 8542.32.0071 152 200 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 EMMC -
IS66WVS1M8BLL-104NLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVS1M8BLL-10NLI-TR 1.8392
RFQ
 ECAD 6847 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） psram（pseudo sram 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS66WVS1M8BLL-10NLI-TR 3,000 104 MHz 揮発性 8mbit 7 ns psram 1m x 8 spi、qpi -
IS62WV2568DBLL-45HLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2568DBLL-45HLI-TR -
RFQ
 ECAD 6616 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-TFSOP （0.465 "、11.80mm 幅） IS62WV2568 sram-非同期 2.5V〜3.6V 32 stsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 2mbit 45 ns sram 256k x 8 平行 45ns
IS42S16400D-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-7TL -
RFQ
 ECAD 8509 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S16400 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 143 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 -
IS49RL36320-107EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36320-107EBL 109.1224
RFQ
 ECAD 4558 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-lbga rldram 3 1.28V〜1.42V 168-FBGA（13.5x13.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS49RL36320-107EBL 119 933 MHz 揮発性 1.152gbit 8 ns ドラム 32m x 36 平行 -
IS61NVF25672-7.5B1I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF25672-7.5B1I-TR -
RFQ
 ECAD 9927 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 209-BGA IS61NVF25672 sram- sdr 2.375V〜2.625V 209-LFBGA（14x22） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 117 MHz 揮発性 18mbit 7.5 ns sram 256k x 72 平行 -
IS61NLP25618A-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25618A-200B3LI 9.8704
RFQ
 ECAD 4070 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-TBGA IS61NLP25618 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 MHz 揮発性 4.5mbit 3.1 ns sram 256k x 18 平行 -
IS46LD32128C-25BPLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128C-25BPLA2-TR -
RFQ
 ECAD 3161 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 168-VFBGA IS46LD32128 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46LD32128C-25BPLA2-TR ear99 8542.32.0036 1 400 MHz 揮発性 4gbit 5.5 ns ドラム 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS61DDB42M18-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB42M18-250M3 -
RFQ
 ECAD 7712 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga IS61DDB42 sram- ddr ii 1.71V〜1.89V 165-lfbga（15x17） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 MHz 揮発性 36mbit 5.85 ns sram 2m x 18 平行 -
IS64LPS204818B-166TQLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LPS204818B-166TQLA3-TR 116.5500
RFQ
 ECAD 1295 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IS64LPS204818 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-lqfp（14x20） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 800 166 MHz 揮発性 36mbit 3.8 ns sram 2m x 18 平行 -
IS42S86400B-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400B-7Tli -
RFQ
 ECAD 5783 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S86400 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 108 143 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 64m x 8 平行 -
IS66WVH16M8ALL-166B1LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH16M8ALL-166B1LI-TR -
RFQ
 ECAD 2450 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga IS66WVH16M8 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 166 MHz 揮発性 128mbit 36 ns psram 16m x 8 平行 36ns
IS43R83200D-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200D-6TLI-TR 5.5720
RFQ
 ECAD 6282 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS43R83200 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,500 166 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 32m x 8 平行 15ns
IS43DR16160A-25EBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160A-25EBL-TR -
RFQ
 ECAD 5944 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 400 MHz 揮発性 256mbit 400 ns ドラム 16m x 16 平行 15ns
IS42S16800F-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-6TL-TR 2.1697
RFQ
 ECAD 5624 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S16800 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 -
IS25LP080D-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP080D-JNLE 0.8200
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） IS25LP080 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1580 ear99 8542.32.0071 100 133 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS46DR16640C-25DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640C-25DBLA2 7.0301
RFQ
 ECAD 9571 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 84-TFBGA IS46DR16640 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 209 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS42S32800G-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800G-6BL-TR 6.7200
RFQ
 ECAD 1482 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 8m x 32 平行 -
IS21TF16G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF16G-JCLI 33.7200
RFQ
 ECAD 107 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA IS21TF16G フラッシュ-Nand （TLC） 2.7V〜3.6V 153-VFBGA （11.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS21TF16G-JCLI 3A991B1A 8542.32.0071 152 200 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
IS43TR16128B-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128B-15HBLI -
RFQ
 ECAD 8940 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 190 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS62WV51216BLL-55BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216BLL-55BI -
RFQ
 ECAD 9324 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS62WV51216 sram-非同期 2.5V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 312 揮発性 8mbit 55 ns sram 512K x 16 平行 55ns
IS45S16800E-6TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800E-6TLA1-TR -
RFQ
 ECAD 9228 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS45S16800 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 -
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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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