SIC
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ICS ）（5782）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 基本製品番号 頻度 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 現在 -出力 /チャネル クロック周波数 出力数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ 内部スイッチ トポロジー 電圧 -供給（最大） 調光 電圧 -供給（最小） 電圧 -出力
IS25LP032D-JNLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP032D-JNLA3-TR 1.1255
RFQ
 ECAD 1615 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） フラッシュ - （slc） 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS25LP032D-JNLA3-TR 3,000 133 MHz 不揮発性 32mbit 7 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 40µs 、800µs
IS42S32160F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-6BL-TR 11.5500
RFQ
 ECAD 9236 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-TFBGA IS42S32160 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 167 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 16m x 32 平行 -
IS32LT3134-QWLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS32LT3134-QWLA3-TR -
RFQ
 ECAD 3920 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 汎用 表面マウント、濡れ可能な側面 24-WFQFN露出パッド DC DCコントローラー - 24-wqfn （4x4） - 3 （168 時間） 2,500 - 12 いいえ - 5.5V マルチステップ 3V -
IS43TR16512BL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512BL-125KBL-TR 17.7555
RFQ
 ECAD 7740 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43TR16512BL-125KBL-TR 2,000 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS29GL032-70TLED-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL032-70TLED-TR 2.7884
RFQ
 ECAD 6963 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS29GL032-70TLED-TR 1,500 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 2m x 16 CFI 70ns
IS43TR16128DL-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128DL-107MBL-TR 4.3745
RFQ
 ECAD 3701 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43TR16128DL-107MBL-TR 1,500 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS22TF16G-JCLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF16G-JCLA1-TR 25.1370
RFQ
 ECAD 6117 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA フラッシュ-Nand （TLC） 2.7V〜3.6V 153-VFBGA （11.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS22TF16G-JCLA1-TR 2,000 200 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 EMMC_5.1 -
IS49NLC36800A-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800A-25WBLI 30.5534
RFQ
 ECAD 1005 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 144-TFBGA rldram 2 1.7V〜1.9V 144-TWBGA （11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS49NLC36800A-25WBLI 104 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 8m x 36 HSTL -
IS43QR16256A-093PBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16256A-093PBLI-TR -
RFQ
 ECAD 1601 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS43QR16256 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 1.066 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 平行 15ns
IS61VPS102418A-250TQL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102418A-250TQL-TR -
RFQ
 ECAD 4781 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp IS61VPS102418 sram- sdr 2.375V〜2.625V 100-lqfp（14x20） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 800 250 MHz 揮発性 18mbit 2.6 ns sram 1m x 18 平行 -
IS42S16100F-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100F-7TL -
RFQ
 ECAD 5979 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S16100 SDRAM 3V〜3.6V 50-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 117 143 MHz 揮発性 16mbit 5.5 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS42S32800J-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-7BLI 7.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 240 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 8m x 32 平行 -
IS46TR16256AL-125KBLA25-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256AL-125KBLA25-TR -
RFQ
 ECAD 4583 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜115°C 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46TR16256AL-125KBLA25-TR ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
IS42S16160G-6BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-6BI -
RFQ
 ECAD 5020 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42S16160 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 348 166 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS45S16100E-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16100E-7BLA1 -
RFQ
 ECAD 2165 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA IS45S16100 SDRAM 3V〜3.6V 60-TFBGA （6.4x10.1 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 286 143 MHz 揮発性 16mbit 5.5 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS43LD32640C-18BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32640C-18BLI 10.4529
RFQ
 ECAD 3035 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-TFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43LD32640C-18BLI 171 533 MHz 揮発性 2Gbit 5.5 ns ドラム 64m x 32 HSUL_12 15ns
IS25LP128-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25lp128-jble 2.3600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） IS25LP128 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1341 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o、qpi 1ms
IS45S32400F-6TLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400F-6TLA2 8.2446
RFQ
 ECAD 1104 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS45S32400 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 -
IS25LP016D-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP016D-JLLE 0.8679
RFQ
 ECAD 8108 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド IS25LP016 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25LP016D-JLLE ear99 8542.32.0071 480 133 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS46TR85120AL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR85120AL-125KBLA1 -
RFQ
 ECAD 3420 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA IS46TR85120 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA （9x10.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46TR85120AL-125KBLA1 ear99 8542.32.0036 136 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
IS25LP128F-JBLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-JBLA3 3.1700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） IS25LP128 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25LP128F-JBLA3 3A991B1A 8542.32.0071 90 166 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS25LD040-JVLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LD040-JVLE-TR -
RFQ
 ECAD 8308 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） IS25LD040 フラッシュ 2.3V〜3.6V 8-VVSOP ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,500 100 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 5ms
IS42S16800F-5TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-5TLI-TR 3.9209
RFQ
 ECAD 6687 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S16800 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 200 MHz 揮発性 128mbit 5 ns ドラム 8m x 16 平行 -
IS62WV5128BLL-55QLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55QLI-TR 3.6397
RFQ
 ECAD 5988 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-SOIC （0.445 "、幅11.30mm） IS62WV5128 sram-非同期 2.5V〜3.6V 32ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4mbit 55 ns sram 512k x 8 平行 55ns
IS49RL18640-107EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18640-107EBL 109.1224
RFQ
 ECAD 1959年年 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-lbga rldram 3 1.28V〜1.42V 168-FBGA（13.5x13.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS49RL18640-107EBL 119 933 MHz 揮発性 1.152gbit 8 ns ドラム 64m x 18 平行 -
IS42S32400E-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400E-7BLI -
RFQ
 ECAD 2186 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42S32400 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 240 143 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 -
IS43DR16640C-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640C-25DBLI-TR 5.0239
RFQ
 ECAD 9280 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16640 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,500 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS41C16105C-50KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41C16105C-50KLI-TR -
RFQ
 ECAD 9114 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 42-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm） IS41C16105 DRAM -FP 4.5v〜5.5V 42-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 揮発性 16mbit 25 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS43TR82560B-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560B-125KBL-TR -
RFQ
 ECAD 6165 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR82560B-125KBL-TR ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
IS42S32800D-6B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-6B-TR -
RFQ
 ECAD 7302 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 8m x 32 平行 -
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    標準製品ユニット

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    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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