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製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	頻度	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	現在 -出力 /チャネル	クロック周波数	出力数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ	内部スイッチ	トポロジー	電圧 -供給（最大）	調光	電圧 -供給（最小）	電圧 -出力
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IS62WV5128BLL-55TI	-	RFQ	6645	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）		IS62WV5128		sram-非同期	2.5V〜3.6V	32-tsop i	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	156				揮発性	4mbit	55 ns	sram	512k x 8	平行	55ns
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IS62WV2568BLL-55HLI	2.6100	RFQ	2	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	32-TFSOP （0.465 "、11.80mm 幅）		IS62WV2568		sram-非同期	2.5V〜3.6V	32 stsop i	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	234				揮発性	2mbit	55 ns	sram	256k x 8	平行	55ns
IS45S32800J-6TLA1-TR	7.3684	RFQ	7891	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		IS45S32800		SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0024	1,500		166 MHz		揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	32m x 8	平行	-
IS43R16320D-6BL-TR	7.1700	RFQ	7580	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	0°C〜70°C（Ta）		表面マウント	60-TFBGA		IS43R16320		SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	60-tfbga （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	2,500		166 MHz		揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	32m x 16	平行	15ns
IS25WX128-JHLE	3.3203	RFQ	3870	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）		表面マウント	24-tbga		IS25WX128		フラッシュ	1.7V〜2V	24-tfbga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS25WX128-JHLE	3A991B1A	8542.32.0071	480		200 MHz		不揮発性	128mbit		フラッシュ	16m x 8	SPI -OCTAL I/O	-
IS42S32200C1-7TI-TR	-	RFQ	3868	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		IS42S32200		SDRAM	3.15V〜3.45V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	1,500		143 MHz		揮発性	64mbit	5.5 ns	ドラム	2m x 32	平行	-
IS43QR16512A-075VBL	17.7495	RFQ	9274	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	0°C〜95°C （TC		表面マウント	96-TFBGA				SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-TWBGA （10x14）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43QR16512A-075VBL			136		1.333 GHz		揮発性	8gbit	18 ns	ドラム	512m x 16	平行	15ns
IS42S16800F-7TLI-TR	2.2538	RFQ	6321	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		IS42S16800		SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	1,500		143 MHz		揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	8m x 16	平行	-
IS43DR16640B-25DBL	6.1100	RFQ	6098	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	新しいデザインではありません	0°C〜70°C（Ta）		表面マウント	84-TFBGA		IS43DR16640		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA （8x12.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-1275	ear99	8542.32.0032	209		400 MHz		揮発性	1gbit	400 PS	ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS25LQ032B-JMLE-TR	-	RFQ	2750	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜105°C（Ta）		表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）		IS25LQ032		フラッシュ -	2.3V〜3.6V	16-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		104 MHz		不揮発性	32mbit		フラッシュ	4m x 8	spi -quad i/o	1ms

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ICS ）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²