RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

ICS ）（5782）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS42S32160C-75BL	-	RFQ	3625	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	90-lfbga	IS42S32160	SDRAM	3V〜3.6V	90-WBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	240	133 MHz	揮発性	512mbit	6 ns	ドラム	16m x 32	平行	-
IS63WV1024BLL-12JLI-TR	1.7660	RFQ	4779	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	32-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm）	IS63WV1024	sram-非同期	3V〜3.6V	32-SOJ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2B	8542.32.0041	1,000		揮発性	1mbit	12 ns	sram	128k x 8	平行	12ns
IS49NLC18320-25B	-	RFQ	5005	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	144-TFBGA	IS49NLC18320	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	104	400 MHz	揮発性	576mbit	20 ns	ドラム	32m x 18	平行	-
IS62WV102416FBLL-45BLI-TR	8.1000	RFQ	8879	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-VFBGA	IS62WV102416	sram-非同期	2.2V〜3.6V	48-VFBGA （6x8）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		揮発性	16mbit	45 ns	sram	1m x 16	平行	45ns
IS46R16160F-6TLA1	4.4051	RFQ	9766	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS46R16160	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	108	166 MHz	揮発性	256mbit	700 ps	ドラム	16m x 16	平行	15ns
IS39LV040-70JCE	-	RFQ	8043	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	32-lcc	IS39LV040	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	32-PLCC （11.43x13.97	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	32		不揮発性	4mbit	70 ns	フラッシュ	512k x 8	平行	70ns
IS34ML01G081-BLI-TR	3.4331	RFQ	2629	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	63-VFBGA		フラッシュ-nand（slc）	2.7V〜3.6V	63-VFBGA （9x11）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS34ML01G081-BLI-TR			2,500		不揮発性	1gbit	20 ns	フラッシュ	128m x 8	平行	25ns
IS25WP032D-JBLE-TR	0.8952	RFQ	2635	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm）	IS25WP032	フラッシュ -	1.65V〜1.95V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	133 MHz	不揮発性	32mbit		フラッシュ	4m x 8	spi -quad i/o	800µs
IS42S32160F-7Tli	15.0000	RFQ	1	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S32160	SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	108	143 MHz	揮発性	512mbit	5.4 ns	ドラム	16m x 32	平行	-
IS61LPD25636A-200TQLI	15.4275	RFQ	3269	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	IS61LPD25636	sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	揮発性	9mbit	3.1 ns	sram	256k x 36	平行	-
IS42S86400F-6TL	11.8500	RFQ	6956	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S86400	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	108	166 MHz	揮発性	512mbit	5.4 ns	ドラム	64m x 8	平行	-
IS43TR81280BL-107MBL-TR	-	RFQ	4283	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA	IS43TR81280	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	2,000	933 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	128m x 8	平行	15ns
IS45S16800F-7BLA1-TR	4.4911	RFQ	3395	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TFBGA	IS45S16800	SDRAM	3V〜3.6V	54-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	2,500	143 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	8m x 16	平行	-
IS64WV12816EDBLL-10BLA3-TR	5.2500	RFQ	2703	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA	IS64WV12816	sram-非同期	2.4V〜3.6V	48-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		揮発性	2mbit	10 ns	sram	128k x 16	平行	10ns
IS41C16105C-50TLI	-	RFQ	9208	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS41C16105	DRAM -FP	4.5v〜5.5V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	117		揮発性	16mbit	25 ns	ドラム	1m x 16	平行	-
IS42S16160D-7BL-TR	-	RFQ	9259	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TFBGA	IS42S16160	SDRAM	3V〜3.6V	54-TW-BGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	2,500	143 MHz	揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	16m x 16	平行	-
IS61NLF102418-6.5B3-TR	-	RFQ	3319	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-TBGA	IS61NLF102418	sram- sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	133 MHz	揮発性	18mbit	6.5 ns	sram	1m x 18	平行	-
IS45S16160G-7TLA2-TR	7.5150	RFQ	3549	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS45S16160	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	1,500	143 MHz	揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	16m x 16	平行	-
IS61C5128AL-10KLI	3.7027	RFQ	3845	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	36-bsoj（0.400 "、10.16mm 幅）	IS61C5128	sram-非同期	4.5v〜5.5V	36-SOJ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	19		揮発性	4mbit	10 ns	sram	512k x 8	平行	10ns
IS25LP128-JMLE-TR	2.0097	RFQ	8600	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	IS25LP128	フラッシュ -	2.3V〜3.6V	16-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	133 MHz	不揮発性	128mbit		フラッシュ	16m x 8	spi -quad i/o、qpi	1ms
IS64LPS12832A-200TQLA3-TR	11.0250	RFQ	4176	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	IS64LPS12832	sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	揮発性	4mbit	3.1 ns	sram	128k x 32	平行	-
IS42S16100H-7TL	1.3300	RFQ	75	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S16100	SDRAM	3V〜3.6V	50-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0002	117	143 MHz	揮発性	16mbit	5.5 ns	ドラム	1m x 16	平行	-
IS46R16160D-6TLA1-TR	5.6024	RFQ	8574	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS46R16160	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	1,500	166 MHz	揮発性	256mbit	700 ps	ドラム	16m x 16	平行	15ns
IS46R16320D-6TLA1	9.1584	RFQ	8151	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	新しいデザインではありません	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS46R16320	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	108	166 MHz	揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	32m x 16	平行	15ns
IS62WV10248BLL-55BI	-	RFQ	1863年	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA	IS62WV10248	sram-非同期	2.5V〜3.6V	48-minibga （7.2x8.7	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	312		揮発性	8mbit	55 ns	sram	1m x 8	平行	55ns
IS61WV12816DBLL-10BLI-TR	2.8644	RFQ	7247	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA	IS61WV12816	sram-非同期	3V〜3.6V	48-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		揮発性	2mbit	10 ns	sram	128k x 16	平行	10ns
IS25LP064A-JGLE	-	RFQ	8965	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	24-tbga	IS25LP064	フラッシュ -	2.3V〜3.6V	24-tfbga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	480	133 MHz	不揮発性	64mbit		フラッシュ	8m x 8	spi -quad i/o、qpi	800µs
IS43QR16256A-093PBLI-TR	-	RFQ	1601	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA	IS43QR16256	SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	1,500	1.066 GHz	揮発性	4gbit		ドラム	256m x 16	平行	15ns
IS49NLC96400-25BLI	-	RFQ	1412	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	144-TFBGA	IS49NLC96400	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	104	400 MHz	揮発性	576mbit	20 ns	ドラム	64m x 9	平行	-
IS43LD16640C-25BLI	10.0900	RFQ	3	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	134-TFBGA	IS43LD16640	SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4	1.14V〜1.95V	134-TFBGA （10x11.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	171	400 MHz	揮発性	1gbit		ドラム	64m x 16	平行	15ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ICS ）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²