SIC
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ICS ）（5782）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 基本製品番号 頻度 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 現在 -出力 /チャネル クロック周波数 出力数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ 内部スイッチ トポロジー 電圧 -供給（最大） 調光 電圧 -供給（最小） 電圧 -出力
IS43TR16256A-093NBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-093NBLI-TR -
RFQ
 ECAD 2123 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR16256A-093NBLI-TR ear99 8542.32.0036 1,500 1.066 GHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
IS61VF51236A-6.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF51236A-6.5B3I -
RFQ
 ECAD 6002 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-TBGA IS61VF51236 sram- sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 144 133 MHz 揮発性 18mbit 6.5 ns sram 512K x 36 平行 -
IS46TR16640C-125JBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640C-125JBLA1 3.8222
RFQ
 ECAD 5486 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46TR16640C-125JBLA1 ear99 8542.32.0032 190 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS42S16400J-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-5BL-TR 1.7040
RFQ
 ECAD 4623 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TFBGA IS42S16400 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 200 MHz 揮発性 64mbit 4.8 ns ドラム 4m x 16 平行 -
IS49FL004T-33JCE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49FL004T-33JCE -
RFQ
 ECAD 5306 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ 廃止 0°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-lcc IS49FL004 フラッシュ 3V〜3.6V 32-PLCC （11.43x13.97 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 32 33 MHz 不揮発性 4mbit 120 ns フラッシュ 512k x 8 平行 -
IS25LP016D-JBLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP016D-JBLA3 1.4100
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） IS25LP016 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25LP016D-JBLA3 ear99 8542.32.0071 90 133 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS25WP128-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25wp128-jble 2.6300
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） IS25WP128 フラッシュ 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1443 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS43DR81280C-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280C-3DBLI 7.4100
RFQ
 ECAD 9419 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA IS43DR81280 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1577 ear99 8542.32.0032 242 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
IS46TR16128DL-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128DL-125KBLA2 6.2144
RFQ
 ECAD 8815 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46TR16128DL-125KBLA2 ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS64C25616AL-12CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64C25616AL-12CTLA3 10.1940
RFQ
 ECAD 6242 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS64C25616 sram-非同期 4.5v〜5.5V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 4mbit 12 ns sram 256k x 16 平行 12ns
IS62C5128BL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C5128BL-45TLI-TR -
RFQ
 ECAD 3360 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-SOIC （0.400 "、幅 10.16mm） IS62C5128 sram-非同期 4.5v〜5.5V 32-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4mbit 45 ns sram 512k x 8 平行 45ns
IS42S16400J-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-6BLI 2.0410
RFQ
 ECAD 1223 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42S16400 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 348 166 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 -
IS31LT3353-V1STLS2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS31LT3353-V1STLS2-TR -
RFQ
 ECAD 9692 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 点灯 表面マウント SC-74A 、SOT-753 DC DCレギュレーター IS31LT3353 1MHz SOT-23-5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 3,000 1a （スイッチ） 1 はい ステップダウン（バック） 40V pwm 6V -
IS43TR16256B-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256B-107MBLI-TR 8.1310
RFQ
 ECAD 9179 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR16256B-107MBLI-TR ear99 8542.32.0036 1,500 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
IS66WVS4M8ALL-104NLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVS4M8ALL-104NLI 3.6600
RFQ
 ECAD 395 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） IS66WVS4M8 psram（pseudo sram 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS66WVS4M8ALL-104NLI 3A991B2A 8542.32.0041 100 104 MHz 揮発性 32mbit 7 ns psram 4m x 8 spi、qpi -
IS62WV5128EBLL-45BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EBLL-45BI-TR -
RFQ
 ECAD 2908 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 36-tfbga IS62WV5128 sram-非同期 2.2V〜3.6V 36-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 1 揮発性 4mbit 45 ns sram 512k x 8 平行 45ns
IS46TR16640AL-125JBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640AL-125JBLA2-TR -
RFQ
 ECAD 3437 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,500 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 -
IS25WP256D-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256D-JLLE-TR 3.5100
RFQ
 ECAD 2119 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド IS25WP256 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 104 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS43DR16640C-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640C-25DBLI-TR 5.0239
RFQ
 ECAD 9280 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16640 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,500 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS64WV5128EDBLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV5128EDBLL-10CTLA3-TR 6.3941
RFQ
 ECAD 9499 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS64WV5128 sram-非同期 2.4V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4mbit 10 ns sram 512k x 8 平行 10ns
IS61WV51232BLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51232BLL-10BLI-TR 18.5250
RFQ
 ECAD 3872 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS61WV51232 sram-非同期 1.65v〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 揮発性 16mbit 10 ns sram 512K x 32 平行 10ns
IS43TR85120BL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120BL-125KBL 6.4066
RFQ
 ECAD 7251 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR85120BL-125KBL ear99 8542.32.0036 220 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
IS34MW01G084-BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34MW01G084-BLI 3.6500
RFQ
 ECAD 5673 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS34MW01G084-BLI 220 不揮発性 1gbit 30 ns フラッシュ 128m x 8 平行 45ns
IS46R16320D-6TLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320D-6TLA2 11.0031
RFQ
 ECAD 6109 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS46R16320 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 108 166 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS42RM16200D-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16200D-6BLI 2.4745
RFQ
 ECAD 9655 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42RM16200 sdram-モバイル 2.3V〜2.7V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 348 166 MHz 揮発性 32mbit 6 ns ドラム 2m x 16 平行 -
IS43TR16256AL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256AL-107MBL -
RFQ
 ECAD 1255 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 190 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
IS42S16320B-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320B-6TL-TR -
RFQ
 ECAD 3951 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S16320 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,500 166 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 -
IS43TR16640BL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640BL-125KBL-TR -
RFQ
 ECAD 1743 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR16640BL-125KBL-TR ear99 8542.32.0032 1,500 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS61QDPB42M36A-500B4L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A-500B4L 111.7063
RFQ
 ECAD 1500 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga IS61QDPB42 sram- quadp 1.71V〜1.89V 165-lfbga（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 500 MHz 揮発性 72mbit 8.4 ns sram 2m x 36 平行 -
IS43DR16128B-25EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128B-25EBLI -
RFQ
 ECAD 5190 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TW-BGA（10.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 162 400 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 128m x 16 平行 15ns
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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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