SIC
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ICS ）（5782）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS43TR16640BL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640BL-125KBL-TR -
RFQ
 ECAD 1743 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR16640BL-125KBL-TR ear99 8542.32.0032 1,500 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS61QDPB42M36A-500B4L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A-500B4L 111.7063
RFQ
 ECAD 1500 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga IS61QDPB42 sram- quadp 1.71V〜1.89V 165-lfbga（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 500 MHz 揮発性 72mbit 8.4 ns sram 2m x 36 平行 -
IS43DR16128B-25EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128B-25EBLI -
RFQ
 ECAD 5190 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TW-BGA（10.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 162 400 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS64WV6416BLL-15BA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV6416BLL-15BA3-TR -
RFQ
 ECAD 7858 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS64Wv6416 sram-非同期 2.5V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 2,500 揮発性 1mbit 15 ns sram 64k x 16 平行 15ns
IS46TR16128B-125KBLA25 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128B-125KBLA25 -
RFQ
 ECAD 5282 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜115°C 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46TR16128B-125KBLA25 ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS21ES16G-JQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES16G-JQLI -
RFQ
 ECAD 9866 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga IS21ES16 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 100-lfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS21ES16G-JQLI 3A991B1A 8542.32.0071 98 200 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 EMMC -
IS43TR85120AL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120AL-125KBLI-TR -
RFQ
 ECAD 2630 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA （9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
IS64LF12832EC-7.5TQLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LF12832EC-7.5TQLA3 10.6794
RFQ
 ECAD 9974 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IS64LF12832 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-lqfp（14x20） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 MHz 揮発性 4mbit 7.5 ns sram 128k x 32 平行 -
IS42S16100F-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100F-6TLI-TR -
RFQ
 ECAD 4936 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S16100 SDRAM 3V〜3.6V 50-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 揮発性 16mbit 5.5 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS25LQ020B-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ020B-JBLE -
RFQ
 ECAD 8405 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） IS25LQ020 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1317 ear99 8542.32.0071 90 104 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o 800µs
IS25LP128F-JBLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-JBLA3 3.1700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） IS25LP128 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25LP128F-JBLA3 3A991B1A 8542.32.0071 90 166 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS25LP512MG-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512MG-RMLE-TR 6.9200
RFQ
 ECAD 360 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） IS25LP512 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性 512mbit 5.5 ns フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 50µs、1ms
IS46TR16640A-125JBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640A-125JBLA2 -
RFQ
 ECAD 4792 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 190 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS61LPS51236A-250B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS51236A-250B3I -
RFQ
 ECAD 1076 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-TBGA IS61LPS51236 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 144 250 MHz 揮発性 18mbit 2.6 ns sram 512K x 36 平行 -
IS25WD020-JVLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WD020-JVLE-TR -
RFQ
 ECAD 1358 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） IS25WD020 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-VVSOP ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,500 80 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi 3ms
IS42SM16160D-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16160D-7BL-TR -
RFQ
 ECAD 5621 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TFBGA IS42SM16160 sdram-モバイル 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS62WV12816EBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816EBLL-45BLI-TR 1.6544
RFQ
 ECAD 6732 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS62WV12816 sram-非同期 2.2V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 揮発性 2mbit 45 ns sram 128k x 16 平行 45ns
IS21ES32G-JQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES32G-JQLI -
RFQ
 ECAD 4915 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga IS21ES32 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.3V 100-lfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS21ES32G-JQLI 3A991B1A 8542.32.0071 98 200 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 EMMC -
IS46QR16512A-075VBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46QR16512A-075VBLA1-TR 19.5776
RFQ
 ECAD 8378 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-TWBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46QR16512A-075VBLA1-TR 2,000 1.333 GHz 揮発性 8gbit 18 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS66WV51216EBLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216EBLL-70BLI-TR 2.5370
RFQ
 ECAD 8262 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS66WV51216 psram（pseudo sram 2.5V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 揮発性 8mbit 70 ns psram 512K x 16 平行 70ns
IS46TR16128A-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128A-125KBLA2-TR -
RFQ
 ECAD 8689 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS46QR81024A-083TBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46QR81024A-083TBLA1 19.5816
RFQ
 ECAD 3735 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-TWBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46QR81024A-083TBLA1 136 1.2 GHz 揮発性 8gbit 18 ns ドラム 1g x 8 平行 15ns
IS61QDPB22M18A-333M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB22M18A-333M3L 71.5551
RFQ
 ECAD 8467 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga IS61QDPB22 sram- quadp 1.71V〜1.89V 165-lfbga（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 333 MHz 揮発性 36mbit 8.4 ns sram 2m x 18 平行 -
IS49NLC18160A-25EWBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18160A-25EWBLI 31.9177
RFQ
 ECAD 2710 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 144-TFBGA IS49NLC18160 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-TWBGA （11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS49NLC18160A-25EWBLI 104 400 MHz 揮発性 288mbit 15 ns ドラム 16m x 18 HSTL -
IS43DR16320E-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320E-3DBL 3.4400
RFQ
 ECAD 388 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1555 ear99 8542.32.0028 209 333 MHz 揮発性 512mbit 450 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS42SM16400M-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16400M-75BLI 3.0706
RFQ
 ECAD 5473 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42SM16400 sdram-モバイル 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0002 348 133 MHz 揮発性 64mbit 6 ns ドラム 4m x 16 平行 -
IS25LQ512B-JVLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ512B-JVLE -
RFQ
 ECAD 4734 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） IS25LQ512 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-VVSOP - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25LQ512B-JVLE ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 不揮発性 512kbit 8 ns フラッシュ 64k x 8 spi -quad i/o 800µs
IS43TR16128B-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128B-15HBLI -
RFQ
 ECAD 8940 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 190 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS43TR16512BL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512BL-125KBLI-TR 19.5377
RFQ
 ECAD 1351 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43TR16512BL-125KBLI-TR 2,000 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS62WV20488EBLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV20488EBLL-55BLI -
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 ECAD 3791 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS62WV20488 sram-非同期 2.2V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 16mbit 55 ns sram 2m x 8 平行 55ns
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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