画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS43R86400E-5TL | - | ![]() | 3925 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(タタ | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43R86400E-5TL | 108 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | SSTL_2 | 15ns | |||||
![]() | IS61QDP2B41M18A-400M3L | 44.1540 | ![]() | 9576 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | IS61QDP2 | sram- quadp | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga(15x17) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 400 MHz | 揮発性 | 18mbit | 8.4 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||
![]() | IS61NLF51236-7.5TQI-TR | - | ![]() | 8543 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61NLF51236 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | 揮発性 | 18mbit | 7.5 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS43LR16640A-6BL-TR | 9.0000 | ![]() | 3489 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43LR16640 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-TWBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 166 MHz | 揮発性 | 1gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS61LV25616AL-10BLI | 5.2700 | ![]() | 393 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS61LV25616 | sram-非同期 | 3.135V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 220 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 10ns | |||
![]() | IS46LQ16256AL-062BLA2-TR | - | ![]() | 7439 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-VFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-VFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS46LQ16256AL-062BLA2-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 16 | LVSTL | 18ns | |||||
![]() | IS62WV25616DALL -55BI -TR | - | ![]() | 7111 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS62WV25616 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 55ns | |||
IS43LR16200C-6BL-TR | - | ![]() | 4617 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43LR16200 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 166 MHz | 揮発性 | 32mbit | 5.5 ns | ドラム | 2m x 16 | 平行 | 12ns | |||
![]() | IS66WVH8M8DALL-200B1LI | 3.2589 | ![]() | 2440 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | psram(pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS66WVH8M8DALL-200B1LI | 480 | 200 MHz | 揮発性 | 64mbit | 35 ns | psram | 8m x 8 | ハイパーバス | 35ns | |||||
![]() | IS42VM32160D-75BLI-TR | - | ![]() | 3245 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42VM32160 | sdram-モバイル | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 6 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS61NLF25672-7.5B1I-TR | - | ![]() | 9146 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 209-BGA | IS61NLF25672 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 209-LFBGA(14x22) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 117 MHz | 揮発性 | 18mbit | 7.5 ns | sram | 256k x 72 | 平行 | - | ||
![]() | IS42S32200L-7TL-TR | 2.8125 | ![]() | 3405 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(タタ | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S32200 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS25LQ080B-JNLE | - | ![]() | 9553 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | sicで中止されました | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | IS25LQ080 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1331 | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 1ms | ||
IS43DR16160A-3DBI-TR | - | ![]() | 9790 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 84-TFBGA | IS43DR16160 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 333 MHz | 揮発性 | 256mbit | 450 PS | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | IS46TR16128B-15HBLA2 | - | ![]() | 5762 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS46TR16256B-107MBLA1 | 8.8181 | ![]() | 9446 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS46TR16256B-107MBLA1 | 190 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | |||||
![]() | IS61QDPB42M36A-550B4L | - | ![]() | 7461 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | IS61QDPB42 | sram- クアッドポート、同期 | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 550 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | IS66WV51216EBLL-70BLI-TR | 2.5370 | ![]() | 8262 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS66WV51216 | psram(pseudo sram | 2.5V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 8mbit | 70 ns | psram | 512K x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | IS42VM16160E-75BLI | - | ![]() | 5077 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42VM16160 | sdram-モバイル | 1.7V〜1.95V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 348 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 6 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS49NLS18320A-25EWBLI | 54.4856 | ![]() | 1222 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-TWBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS49NLS18320A-25EWBLI | 104 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 15 ns | ドラム | 32m x 18 | HSTL | - | ||||
![]() | IS61NLP51218B-200TQLI-TR | 11.4000 | ![]() | 2440 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61NLP51218 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.1 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | ||
IS46DR16320D-3DBLA1 | 6.4315 | ![]() | 4911 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 84-TFBGA | IS46DR16320 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 209 | 333 MHz | 揮発性 | 512mbit | 450 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | IS42VM16160K-6BLI | 5.8352 | ![]() | 8260 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42VM16160 | sdram-モバイル | 1.7V〜1.95V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 348 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
IS43DR16160A-25EBL-TR | - | ![]() | 5944 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(タタ | 表面マウント | 84-TFBGA | IS43DR16160 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 400 MHz | 揮発性 | 256mbit | 400 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | IS43R16320D-6TL-TR | 5.1123 | ![]() | 6886 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 0°C〜70°C(タタ | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS43R16320 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS61WV102416EDALL-10BLI-TR | - | ![]() | 5024 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 48-TFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS61WV102416EDALL-10BLI-TR | 2,500 | 揮発性 | 16mbit | 10 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 10ns | ||||||
![]() | IS42S16800E-6BLI | - | ![]() | 8323 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S16800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS61NVF51236B-7.5TQLI | 17.2425 | ![]() | 3433 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61NVF51236 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | 揮発性 | 18mbit | 7.5 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS61LV5128AL-10K | - | ![]() | 8174 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(タタ | 表面マウント | 36-bsoj(0.400 "、10.16mm 幅) | IS61LV5128 | sram-非同期 | 3.135V〜3.6V | 36-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 19 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 10ns | |||
![]() | IS61LV632A-6TQI-TR | - | ![]() | 9973 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61Lv632 | sram-非同期 | 3.135V〜3.6V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 800 | 揮発性 | 1mbit | 6 ns | sram | 32K x 32 | 平行 | - |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫