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ICS ）（5782）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | アプリケーション | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | タイプ | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 現在 -出力 /チャネル | クロック周波数 | 出力数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | 内部スイッチ | トポロジー | 電圧 -供給（最大） | 調光 | 電圧 -供給（最小） | 電圧 -出力 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS42S16160D-7BI | - |  | 4213 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TW-BGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | |||||||||||||
 | IS43TR16128AL-125KBLI | - | | 9711 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA （9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||||||||||||
 | IS61LPS12836EC-200B3LI | 8.3815 | | 5512 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61LPS12836 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA（13x15） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.1 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||||||||||||
 | IS66WV1M16DBLL-55BLI-TR | - | | 8393 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS66WV1M16 | psram（pseudo sram | 2.5V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 16mbit | 55 ns | psram | 1m x 16 | 平行 | 55ns | ||||||||||||||
 | IS46LD32640C-18BLA1-TR | - | | 5210 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 134-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-TFBGA （10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS46LD32640C-18BLA1-TR | 1 | 533 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5.5 ns | ドラム | 64m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||||||||||||||
 | IS41LV16105B-50TL | - | | 3897 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS41LV16105 | DRAM -FP | 3V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 117 | 揮発性 | 16mbit | 25 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | ||||||||||||||
 | IS66WVO8M8DBLL-166BLI | 4.5800 | | 49 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | IS66WVO8M8 | psram（pseudo sram | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS66WVO8M8DBLL-1666666666666666666666666666666666666666666666666666666666666 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | psram | 8m x 8 | SPI -OCTAL I/O | 36ns | |||||||||||||
| IS46LD16640A-25BLA2 | - | | 9224 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 134-TFBGA | IS46LD16640 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.95V | 134-TFBGA （10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 171 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||||||||||||||
 | IS45S32400E-6BLA1 | - | | 8374 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS45S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | |||||||||||||
 | IS42S16800F-6TLI-TR | 2.3547 | | 6495 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S16800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | - | |||||||||||||
 | IS49RL18640-093FBL | 126.1029 | | 7297 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 168-lbga | rldram 3 | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA（13.5x13.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS49RL18640-093FBL | 119 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1.152gbit | 7.5 ns | ドラム | 64m x 18 | 平行 | - | |||||||||||||||
| IS46QR16512A-075VBLA2 | 22.8299 | | 1656 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-TWBGA （10x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS46QR16512A-075VBLA2 | 136 | 1.333 GHz | 揮発性 | 8gbit | 18 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | ||||||||||||||||
| IS31LT3361-SDLS4-TR | - | | 1825年 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C | 点灯 | 表面マウント | SOT-89-5/6 | DC DCレギュレーター | 1MHz | SOT-89-5 | - | 3 （168 時間） | 2,500 | 1.3a | 1 | はい | ステップダウン（バック） | 40V | PWM | 6V | - | |||||||||||||||||
| IS61WV20488FBLL-8TLI-TR | 9.2060 | | 4969 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS61WV20488FBLL-8TLI-TR | 1,000 | 揮発性 | 16mbit | 8 ns | sram | 2m x 8 | 平行 | 8ns | |||||||||||||||||
| IS46LQ32640A-062BLA1 | - | | 4861 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-VFBGA （10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS46LQ32640A-062BLA1 | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 64m x 32 | LVSTL | 18ns | ||||||||||||||||
 | IS43R32400E-4BL | - | | 8444 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 144-LFBGA | IS43R32400 | SDRAM -DDR | 2.4V〜2.6V | 144-LFBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 189 | 250 MHz | 揮発性 | 128mbit | 700 ps | ドラム | 4m x 32 | 平行 | 16ns | |||||||||||||
| IS64WV25616EFBLL-10BLA3 | 7.1635 | | 9091 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-TFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS64WV25616EFBLL-10BLA3 | 480 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 10ns | |||||||||||||||||
| IS43TR16512S1DL-125KBL | - | | 9270 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-LFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-LWBGA （9x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43TR16512S1DL-125KBL | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | ||||||||||||||||
| IS22TF32G-JCLA2 | 39.0014 | | 2621 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA （11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS22TF32G-JCLA2 | 152 | 200 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||||||||||||||||
| IS62WVS2568GBLL-45NLI-TR | 2.2094 | | 3603 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | sram-同期 | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS62WVS2568GBLL-45NLI-TR | 3,000 | 45 MHz | 揮発性 | 2mbit | 15 ns | sram | 256k x 8 | spi -quad i/o、sdi | - | |||||||||||||||
| IS64WV51216EEBLL-10CTLA3 | 12.6597 | | 1555 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 44-TSOP II | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS64WV51216EEBLL-10CTLA3 | 135 | 揮発性 | 8mbit | 10 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 10ns | |||||||||||||||||
 | IS61C1024AL-12JLI-TR | 1.8501 | | 1313 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 32-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） | IS61C1024 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 12 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 12ns | ||||||||||||||
| IS43QR81024A-075VBLI-TR | 18.2210 | | 4013 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-TWBGA （10x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43QR81024A-075VBLI-TR | 2,000 | 1.333 GHz | 揮発性 | 8gbit | 18 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | 15ns | ||||||||||||||||
 | IS42SM16800G-6BLI | - | | 4219 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42SM16800 | sdram-モバイル | 2.7V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | - | |||||||||||||
| IS42RM16160K-6BLI-TR | 5.2523 | | 8517 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42RM16160 | sdram-モバイル | 2.3V〜3V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | |||||||||||||
| IS25WP128F-JBLA3 | 2.5122 | | 1675 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS25WP128F-JBLA3 | 90 | 166 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 5.5 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 40µs 、800µs | ||||||||||||||||
| IS42S32160F-7BLI-TR | 12.3000 | | 3633 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | |||||||||||||
| IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3-TR | 11.3050 | | 6702 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3-TR | 1,500 | 揮発性 | 8mbit | 10 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 10ns | |||||||||||||||||
| IS43LQ16256AL-062TBLI-TR | 11.7306 | | 4426 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43LQ16256AL-062TBLI-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 256m x 16 | LVSTL | - | |||||||||||||||||
 | IS42S32400F-6TL-TR | 4.0698 | | 1751 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - |
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